датчик давления

Классы МПК:G01L7/08 с гибкой диафрагмой 
G01L9/04 резисторных тензометров 
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Институт теоретической и прикладной механики СО РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1997-05-06
публикация патента:

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к тензометрическим датчикам давления. Поставленная задача - упрощение технологии изготовления криволинейного профиля мембраны и оптимизация распределения напряжений на ее поверхности, выполняется следующим образом. Профиль сечения мембраны образуют дугой окружности на центральном участке, ограниченном радиусом r <0,627 R, и отрезком прямой на периферийном участке, причем радиус дуги окружности и угол наклона прямой выбирают так, чтобы переменная толщина мембраны удовлетворяла оптимально условию выбранной формулы. Изобретение позволяет упростить изготовление мембраны датчика давления. 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

Датчик давления, содержащий круглую мембрану переменной толщины, выполненную заодно с корпусом, и тензорезисторы, наклеенные вдоль радиусов на плоскую поверхность мембраны, отличающийся тем, что профиль сечения мембраны образован дугой окружности на центральном участке, ограниченном радиусом r < 0,627 R, и отрезком прямой на периферийном участке, причем радиус дуги окружности и угол наклона прямой выбирают так, чтобы переменная толщина мембраны удовлетворяла оптимально условию формулы

датчик давления, патент № 2115101

где h - текущее значение толщины мембраны;

p - давление, действующее на мембрану;

датчик давления, патент № 2115101 допустимое напряжение растяжения на поверхности мембраны;

R - радиус мембраны;

r - текущее значение радиуса;

датчик давления, патент № 2115101 - коэффициент Пуассона.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к тензометрическим датчикам давления.

За прототип выбран датчик давления, содержащий круглую мембрану переменной толщины, выполненную заодно с корпусом, и тензорезисторы, наклеенные вдоль радиусов на мембрану.

Тензорезисторы испытывают разную по знаку деформацию растяжения на центральном участке мембраны и сжатие на периферийном участке. Мембрана спрофилирована по определенной зависимости, выраженной математической формулой. Геометрическое место точек перехода растянутого участка мембраны в сжатый определено окружностью радиусом r0 = 0,577 R.

В прототипе приведенная зависимость не достаточно точно отражает закон распределения напряжений растяжения-сжатия на поверхности мембраны. Кроме того, изготовление мембраны с двоякой кривизной профиля представляет известные технологические трудности.

Задачей изобретения является упрощение технологии изготовления криволинейного профиля мембраны и оптимизации распределения напряжений на ее поверхности.

Поставленная задача выполняется следующим образом. Профиль сечения мембраны образуют дугой окружности на центральном участке, ограниченном радиусом r < 0,627 R, и отрезком прямой на периферийном участке, причем радиус дуги окружности и угол наклона прямой выбирают так, чтобы переменная толщина мембраны удовлетворяла оптимально условию формулы

датчик давления, патент № 2115101

где h - текущее значение толщины мембраны;

P - давление, действующее на мембрану;

датчик давления, патент № 2115101 - допустимое напряжение растяжения на поверхности мембраны;

R - радиус мембраны;

r - текущее значение радиуса;

датчик давления, патент № 2115101 - коэффициент Пуассона.

При такой зависимости геометрическое место точек перехода растягивающих напряжений в сжатые находится на окружности радиуса r0 = 0,627 R.

На фиг. 1 показана эпюра напряжений на поверхности мембраны; на фиг. 2, 3 - конструкция датчика (схематично).

Датчик давления состоит из профилированной мембраны 1, выполненной заодно с корпусом (защемленной по контуру), и пробки 2 с присоединительным штуцером. Корпус мембраны и пробка соединены сваркой. Тензорезисторы 3 наклеены на плоскую сторону мембраны вдоль радиусов.

Датчик давления работает следующим образом.

Напряженное состояние на поверхности мембраны 1, возникающее под воздействием разности давлений с двух сторон мембраны, характеризуется наличием радиальных и тангенциальных напряжений. При выбранном законе построения поперечного профиля мембраны 1 радиальные напряжения в центральной и перифирийной частях мембраны одинаковы по абсолютной величине и противоположны по знаку. Геометрическое место точек перемены знака напряжений находится на окружности радиуса r0 = 0,627 R (см. эпюру напряжений на фиг. 1).. Топология расклейки тензорезисторов 3 соответствует характеру напряженного состояния: растянутые тензорезисторы в центре, сжатые на периферии. Тензорезисторы электрически соединены в измерительный мост. Изменение электрического сигнала на выходе моста пропорционально изменению измеряемой разности давлений.

Аналитический и графический анализ представленного уравнения показывает, что криволинейный поперечный профиль мембраны, рассчитанный по приведенному уравнению, достаточно точно можно заменить дугой окружности на центральном участке (0 < r < r0) и отрезки прямой на периферийном участке (r < r0 < R). Радиус дуги окружности и наклон отрезка подбираются для каждого конкретного случая.

Такое решение позволяет существенно упростить изготовление и контроль как мембраны, так и инструмента без заметной потери чувствительности и линейности.

Класс G01L7/08 с гибкой диафрагмой 

коррозионно-стойкий малогабаритный датчик давления -  патент 2525659 (20.08.2014)
конструкция чувствительного элемента преобразователя давления на кни-структуре -  патент 2474007 (27.01.2013)
способ изготовления многослойного контактного датчика в виде слоистой пленки -  патент 2411473 (10.02.2011)
гидравлический датчик давления (варианты) -  патент 2393445 (27.06.2010)
датчик давления -  патент 2377515 (27.12.2009)
датчик управления рабочим процессом -  патент 2351906 (10.04.2009)
тонкопленочный датчик давления -  патент 2345341 (27.01.2009)
датчик давления -  патент 2335745 (10.10.2008)
датчик плотности -  патент 2330251 (27.07.2008)
способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора -  патент 2326460 (10.06.2008)

Класс G01L9/04 резисторных тензометров 

высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2526788 (27.08.2014)
датчик давления -  патент 2523754 (20.07.2014)
датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы для прецизионных измерений -  патент 2516375 (20.05.2014)
способ измерения давления и интеллектуальный датчик давления на его основе -  патент 2515079 (10.05.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2512142 (10.04.2014)
высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления -  патент 2507491 (20.02.2014)
датчик абсолютного давления повышенной точности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром -  патент 2507490 (20.02.2014)
способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2505791 (27.01.2014)
преобразователь давления -  патент 2502970 (27.12.2013)
способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы -  патент 2498250 (10.11.2013)
Наверх