способ исследования диффузной границы фаз

Классы МПК:G01N13/00 Исследование поверхностных или граничных свойств, например смачивающей способности; исследование диффузионных эффектов; анализ материалов путем определения их поверхностных, граничных и диффузионных эффектов; исследование или анализ поверхностных структур в атомном диапазоне
Патентообладатель(и):Гохштейн Александр Яковлевич
Приоритеты:
подача заявки:
1996-06-14
публикация патента:

Изобретение относится к физике и химии поверхностных явлений и может быть использовано для определения параметров двойного электрического слоя на границе фаз. Способ включает изменение потенциала одной фазы относительно другой и отыскание минимума дифференциальной емкости границы фаз. Определяют значение потенциала, соответствующее точке перегиба на зависимости дифференциальной емкости от потенциала, а по найденному значению судят о потенциале минимума дифференциальной емкости и о составе межфазного слоя. Через границу фаз пропускают переменный ток фиксированной амплитуды, регистрируют вторую гармонику потенциала, измеряют ее амплитуду как функцию среднего значения потенциала, а потенциалы точек перегиба и минимума дифференциальной емкости находят из расположения экстремума и нуля этой функции. Определяют интервал между потенциалами точек перегиба и минимума дифференциальной емкости, после чего сравнивают найденный интервал с величиной 6 RT/F, где R - газовая постоянная, F - число Фарадея, T - абсолютная температура фаз, и судят о заряде избыточного иона, участвующего в образовании двойного электрического слоя на границе фаз. 2 з.п.ф-лы, 8 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8

Формула изобретения

1. Способ исследования диффузной границы фаз, включающий пропускание через границу переменного тока, изменение потенциала одной фазы относительно другой и отыскание потенциала минимума дифференциальной емкости границы фаз, отличающийся тем, что определяют значение потенциала, соответствующее точке перегиба на зависимости дифференциальной емкости от потенциала, а по найденному значению судят о потенциале минимума дифференциальной емкости и о составе межфазного слоя.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что изменение потенциала осуществляют переменным током фиксированной амплитуды, регистрируют вторую гармонику переменного потенциала, измеряют ее амплитуду как функцию среднего значения потенциала, а потенциалы перегиба и минимума дифференциальной емкости находят из расположения экстремума и нуля этой функции.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что определяют интервал между потенциалами перегиба и минимума дифференциальной емкости, после чего сравнивают найденный интервал с величиной 6RT/F, где R - газовая постоянная, F - число Фарадея, T - абсолютная температура фаз, а по результату сравнения судят о заряде избыточного иона, участвующего в образовании двойного электрического слоя на границе фаз.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к физике и химии поверхностных явлений и может быть использовано для определения параметров двойного электрического слоя.

Известен способ изучения поверхностных явлений, включающий регистрацию электрического сигнала, генерируемого на границе фаз (авт. свид. СССР N 966560, кл. G 01 N 13/00, 1982, Бюл. N 38).

Известен также способ исследования диффузной границы фаз, включающий изменение потенциала одной фазы относительно другой и отыскание минимума дифференциальной емкости границы фаз (Методы измерений в электрохимии. Ред. Э.Егер, А.Залкинд, т. 1. - М.: Мир, 1977, с. 106).

Во многих случаях потенциал минимума емкости расположен за пределами области поляризуемости границы фаз, что затрудняет его непосредственное определение. Кроме того, знания потенциала минимума не достаточно для определения ряда характеристик двойного слоя, в частности заряда частиц, образующих ионную обкладку границы фаз.

Предлагаемый способ позволяет получить дополнительные сведения о диффузной границе фаз благодаря тому, что он включает определение и использование точки перегиба на зависимости дифференциальной емкости от потенциала.

Измеряют значение потенциала, соответствующее точке перегиба дифференциальной емкости, а по найденному значению судят о потенциале минимума дифференциальной емкости и о составе межфазного слоя.

Через границу фаз пропускают переменный ток фиксированной амплитуды, регистрируют вторую гармонику потенциала, измеряют ее амплитуду как функцию среднего значения потенциала, а потенциал перегиба и минимума дифференциальной емкости находят из расположения экстремума и нуля этой функции.

Определяют интервал между потенциалами перегиба и минимума емкости и сравнивают найденный интервал с величиной 6RT/F, где R - газовая постоянная, F - число Фарадея, T - абсолютная температура фаз. Из результатов сравнения делают вывод о заряде n избыточного иона, участвующего в образовании двойного слоя, и о количестве дополнительных степеней свободы, соответствующих данному иону.

Предложенный способ позволяет исследовать явления испарения и конденсации двойного электрического слоя на границе фаз.

На фиг. 1 показано устройство для исследования диффузной границы фаз; на фиг. 2 - образ точки перегиба дифференциальной емкости на положительном склоне экстремума амплитуды второй гармоники потенциала; на фиг. 3 - сопоставление нулей второй гармоники потенциала и первой гармоники поверхностного натяжения при фиксированной амплитуде переменного тока через границу фаз; на фиг. 4 - сотовая модель двойного электрического слоя с распределением потенциала на границе металл-раствор; на фиг. 5 - волнообразные эквипотенциали на границе металл-раствор; на фиг. 6 - сочетание двух диффузных заряженных слоев на границе раствор-раствор; на фиг. 7 - перегиб и максимум на зависимости дифференциальной емкости диффузного слоя от потенциала; на фиг. 8 - элементарный вклад двойного слоя в снижение активационного барьера на зависимости потенциальной энергии исходных веществ и продуктов от координаты реакции в прямом и обратном процессах.

Распространены системы фаз, включающие растворы электролитов. В качестве примера ниже рассмотрено применение предлагаемого способа к системе "металлический электрод - двухкомпонентный раствор": кадмий в водном растворе 0,01 М NaF. Пластина кадмия, служащая исследуемым электродом, подвергнута предварительной электрополировке до получения фактора шероховатости 1,2. Потенциал E исследуемого электрода задан в шкале нормального водородного электрода (НВЭ), равновесный потенциал которого поддерживается реакцией способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 при давлении 0,1 МПа в растворе ионов водорода с активностью, равной единице.

В определенной области потенциалов (у кадмия от -0,6 до -1,3 В) исследуемый электрод поляризуем и подобен конденсатору без утечки. Переход через потенциал E0 нулевого заряда приводит к изменению полярности металлической и ионной обкладок двойного электрического слоя на границе электрода с раствором (у кадмия в 0,01 М NaF E0 = -0,66 В). При отрицательном заряде металлической обкладки (E < E0) ионная обкладка содержит избыток катионов Na+ над анионами F-.

Исследование диффузной границы фаз проведено с помощью устройства (фиг. 1), обеспечивающего регистрацию производных потенциала E и поверхностного натяжения электрода способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 по поверхностной плотности q заряда электрода, способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2 и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q .

Исследуемый электрод 1 в виде пластины приведен одной стороной в контакт с раствором электролита 2, находящимся в сосуде 3. В раствор погружены электрод сравнения 4 и вспомогательный электрод 5, служащие для задания среднего потенциала исследуемого электрода, а также дополнительный электрод 6, используемый для пропускания через исследуемый электрод 1 переменного тока заданной частоты fс. Электроды 4 и 5 подключены к потенциостату 7. Электрод 6 соединен с генератором 8 переменного напряжения, настроенного на заданную частоту fс. В цепь генератора 8 введено нагрузочное сопротивление 9, фиксирующее амплитуду переменного тока через электрод 6.

Электрод 6 подключен также к входу избирательного усилителя 10, настроенного на прием сигнала с частотой 2 fс, вдвое большей заданной частоты, что позволяет выделить вторую гармонику потенциала E, амплитуда которой пропорциональна величине способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2. После синхронного детектирования сигнал с выхода усилителя 10 поступает на вход осциллографа 11, развертка которого задана потенциалом, снимаемым с электрода 4. Это позволяет получить на экране осциллографа зависимость способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2 от E.

Кроме того, исследуемый электрод 1 приведен в механический контакт с пьезоэлементом 12, обкладки которого подключены к избирательному усилителю 13, настроенному на частоту fс переменного тока. Пьезоэлемент воспринимает колебания поверхностного натяжения способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 , амплитуда которых пропорциональна способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q и может быть зарегистрирована на осциллографе как функция потенциала E. Для уменьшения электрических наводок на пьезоэлемент исследуемый электрод подключен к земле 14.

На описанном устройстве получены зависимости способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2 - E и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q - E для кадмия в 0,01 М NaF при 20oC. Это достигнуто путем регистрации амплитуды второй гармоники потенциала E (1 кГц) и первой гармоники поверхностного натяжения твердого электрода способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 (3,4 кГц) при фиксированной амплитуде плотности заряда q.

Из соотношения

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2 = -(способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E)-3 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542q / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E2 (1)

следует, что способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2 имеет нули при потенциалах экстремумов дифференциальной емкости Cd = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E . Первый нуль, при -0,66 В (в шкале НВЭ), близкий к нулю способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q , соответствует минимуму Cd в точке нулевого заряда E=E0 или способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = 0 , где способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = Eo- E . Второй нуль, при -0,91 В, соответствует максимуму способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654m = 0,25B .

В точке C перегиба дифференциальной емкости выполнено способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196543q / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E3 = 0 , что соответствует наклону

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654(способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2)/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E = 3(способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2)2(способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E)2>0 (2)

кривой способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2 - E в точке C", которая является образом точки C перегиба и расположена вблизи (способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c = 0,02B) экстремума способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2. Этому экстремуму соответствуют значения

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Их подстановка в (2) дает способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654(способ исследования диффузной границы фаз, патент № 21196542E/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654q2)/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654E = 216 м4 Кл-2. Касательная способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 с этим наклоном определяет точку C", измеренный потенциал способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 которой практически совпадает со значением способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c = 0,15 B, рассчитанным по уравнению

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c = 6RT / nF (3)

при величине заряда иона n = 1 и T = 293 К (фиг. 2, 3); величина способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c - потенциал диффузионного коллапса, то есть критическое значение способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 , выше которого (по абсолютной величине) над электродом формируется уплотненная ионная атмосфера с зарядом, не зависящим от концентрации раствора электролита.

Экспериментальные результаты, полученные предложенным способом, указывают на сотовую структуру границы фаз (фиг. 4). При способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 > 0 двойной электрический слой образован избыточными катионами 15, 16 (Na+) и отрицательными зарядами 17, 18 поверхности металла 19. Среднее расстояние между ионами двойного слоя много больше среднего удаления иона от поверхности 19, разделяющей вещества фаз (zспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 << aспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) . В этих условиях двойной электрический слой представляет собой систему независимых ячеек 20, 21, 22, образованных избыточными ионами и подобных элементарным конденсаторам.

В пределах своей ячейки каждый избыточный ион наделен порцией энергии

Ae = eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2 , (4)

освобождаемой без одновременного участия других ионов двойного слоя, и испытывает притяжение к противоположно заряженному электроду с силой

Fe = eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2(z + ze) , (5)

где

e - элементарный заряд, z - расстояние от центра иона до электрода, ze - постоянная, равная в простейшем случае нулю.

В каждой ячейке электрический потенциал способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 изменяется от значения способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = 0 на поверхности 19 металла до значения способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 на внешней обкладке 23. Обкладки 23, 24, 25 всех ячеек имеют один и тот же потенциал способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 . Они образуют волнообразную эквипотенциаль, которая меняется со временем t и принимает различные формы 26, 27 в последовательные моменты t1, t2 (фиг. 5).

Граница двух жидкостей включает контактный слой 28, толщина которого соизмерима с размером молекул жидкостей. По обе стороны от контактного слоя расположены два диффузных двойных слоя, ограниченных эквипотенциалями способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654+ и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654- , которые флуктуируют, принимая положения 29, 30 и 31, 32 в последовательные моменты времени t1 и t2 (фиг. 6).

Результаты, полученные предложенным способом, являются основной для построения единой теории двойного электрического слоя - без эмпирического разделения его на плотную и диффузную части. Резкое уменьшение диффузности в окрестности потенциала способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c - результат перехода от преобладания кинетической энергии теплового движения ионов к преобладанию потенциальной энергии взаимодействия противоположных зарядов. На оси потенциала E электрода величина способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c/ представляет собой интервал между потенциалами перегиба и минимума дифференциальной емкости. Этот интервал зависит от заряда частиц, образующих двойной электрический слой, и от количества степеней свободы этих частиц.

Это может быть показано на примере отрицательно заряженного электрода в растворе электролита сколь угодно малой концентрации. Ионная атмосфера такого электрода образована катионами. Концентрация анионов пренебрежимо мала. Диффузионный поток JD катионов от электрода направлен против потока JF, обусловленного притяжением катионов к электроду,

JD = D способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z ; JF = cbFe, (6)

где

c = c(z,способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) - концентрация катионов (по их количеству в тонком слое способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z ) ;

D = D(z) - коэффициент диффузии катиона;

b = D/kT - подвижность катиона;

k - постоянная Больцмана;

Fe(z,способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) - сила притяжения катиона электродом.

В стационарном состоянии JD + JF = 0 при любом D,

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z + (Fe/kT)c = 0. (7)

Отсюда

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

где

z0 - расстояние наибольшего притяжения центра катиона к электроду. Ионная атмосфера существует, если ее заряд qa = -q на единицу поверхности конечен,

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Возможность образования ионной атмосферы определяется видом функции Fe(z,способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) . Например, сила Fe способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 1/z способна удержать ионную атмосферу при бесконечном разбавлении, тогда как сила Fe способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 1/z2 слишком слаба для этого.

В простейших условиях при заданном способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 диэлектрическая проницаемость способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 раствора не оказывает значительного влияния на Fe, как и в случае взаимного притяжения пластин конденсатора.

При бесконечном разбавлении раствора величина способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c - потенциал начала образования ионной атмосферы

qa = 0 при способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c ; qa > 0 при способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 > способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c . (10)

В окрестности способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 c при qа>0

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c(T) + qa/ Cm , (11)

где

Cm = (способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654qa/ способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c - максимальное значение дифференциальной емкости двойного слоя (см. фиг. 7);

Gi= CiZo/способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 и Gd = Cdzo/ способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 - безразмерные значения интегральной емкости Ci и дифференциальной емкости Cd двойного слоя;

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 - безразмерная концентрация раствора;

отношение способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = 0,01 соответствует приблизительно концентрации 0,01 моль/л; при увеличении концентрации раствора положение M максимума дифференциальной емкости смещается в сторону более высоких значений способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 ) .

При адиабатическом (мгновенном) разряде двойного слоя он освобождает энергию

Wc = qaспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2 = qaспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c/ 2 + q2a/ 2Cm , (12)

а при равновесном (медленном) разряде - энергию

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Такие же соотношения справедливы для модели автономного двойного слоя, в которой упругие шары с противоположными зарядами nk>0 (катионы, n = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) и na<0 (анионы либо электроны, n = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) разделены изолирующей перегородкой и способны перемещаться в областях, размерности которых способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654k и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654a в общем случае различны (модель на чертеже не показана). Например, способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654k = 3 для катионов в объеме раствора, способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654a = 2 для электронов в плоскости границы раздела фаз.

Образование двойного слоя может рассматриваться как конденсация плазмы до состояния, в котором потенциальная энергия взаимодействия заряженных частиц соизмерима с их кинетической энергией. Из двух членов правой части (12) аддитивен по заряду (и, следовательно, по количеству частиц) лишь первый член qaспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c/ 2 . Аддитивность указывает на тепловое происхождение этой части потенциальной энергии. При n = 1 (nk = -na = 1) в окрестности способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c , то есть при малых q, на каждую пару противоположно заряженных частиц приходится в среднем кинетическая энергия Wk = (способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654a + способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654k) kT/ 2 и потенциальная энергия Wp = eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c/ 2 .

Характерное для конденсированного состояния равенство wp = wk выполнялось бы при гармонических колебаниях частиц со всеми доступными степенями свободы. Этому условию удовлетворяют колебания вдоль границы раздела (по две степени свободы на частицу). Несколько отклоняются от него колебания в направлении нормали к границе (третья степень свободы). Поэтому указанное равенство выполняется приближенно, что может быть учтено заменой способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654k и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654a на их эффективные значения

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654ke способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654k и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654ae способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654a ,

Wp = Wke = (способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654ke+ способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654ae)kT/ 2 .

Отсюда при nk = -na = 1

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

В случае любых nk и na

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

При способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c этому соответствует термо-э.д.с.

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Если способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654ke = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654ae = 3 и nk = -na = 1, то

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c = 6kT/ e = 6 RT/ F ;

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654/ способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654T = 6K/ e = 0,517 мВ/К .

При фиксированном q увеличение способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 с ростом T является результатом превращения тепловой энергии в электрическую. Если же фиксировано способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 , способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 двойной слой полностью теряет заряд, то есть испаряется при температуре

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Переход через точку нулевого заряда (изменение знака q и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 ) сопровождается перестановкой nk и na. При этом термо-э.д.с. меняет знак скачком.

Из данных, полученных предложенным способом, следует, что по сравнению с частицами электронейтральной в целом среды избыточные заряженные частицы диффузного двойного слоя аккумулируют больше тепловой энергии так, как если бы они обладали дополнительными степенями свободы, количество которых соответствует размерности их теплового движения.

В системе электрод-электролит число дополнительных степеней свободы, приходящихся на пару противоположных зарядов "катион раствора - электрон металла", превосходит 3. В примере с кадмием и ионами натрия оно близко к 6 при достаточно большом разбавлении раствора. Это возможно, если в тепловом движении наряду с ионами раствора участвуют также электроны поверхности металла, взаимодействующие с молекулами растворителя.

Классический подход к распределению положительных ионов у отрицательно заряженного электрода основан на решении уравнений

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Эти уравнения однако не совместимы с условием конечности перепада потенциала способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 в автономной ионной атмосфере,

0 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654(z) - способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 (z0) способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 . (20)

Поэтому классический подход не в состоянии объяснить образование плотного двойного слоя в разбавленных растворах. Причина такого расхождения уравнений (18), (19) с опытом заключена в самоотталкивании заряда, который искусственно распределен в пространстве. Сосредоточенному заряду ne соответствует куб со стороной ac = c-1/3. Притягивающее поле электрода ослаблено в центре куба полем, которое создается половиной куба с эффективной поверхностной плотностью заряда способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = nec2/3/ 2 . Это поле должно быть добавлено к решению уравнения Пуассона (19), подставляемому в (18):

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

Отсюда

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

В отличие от (18) эти уравнения описывают автономную ионную атмосферу и, в частности, дают необходимую асимптотику c(z) __способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 0 при z __способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 . В данном случае на ион действует сила

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

не зависящая от свойств электрода, что возможно лишь в частном случае. Исследования предложенным способом показывают, что в общем случае сила Fe, притягивающая ион диффузной атмосферы к электроду, зависит не только от заряда электрода, но и от количества дополнительных степеней свободы, вносимых этим зарядом, а, следовательно, от свойств металла и характера взаимодействия его с растворителем.

Замена половины куба зазором означает переход к модели в виде мозаики микроконденсаторов (см. фиг. 4). Зазор возникает естественным путем между электродом и монослоем диффундирующих ионов при способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 средние расстояние иона до электрода и расстояние между ионами. Для способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 справедливо приближение плоского конденсатора Fe = neспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654/ 2z . Измеренное на опыте значение способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c может быть использовано для экстраполяции Fe в сторону больших способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 с учетом свойств электрода:

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

где параметр способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 < z0 должен быть найден путем решения (7) с последующим расчетом способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654c и сопоставлением найденного значения с экспериментальным. Результат проведенной таким путем экстраполяции справедлив для достаточно малых концентраций электролита (0,01 М), включающих случай бесконечно разбавленного раствора.

При определенных условиях на электроде возможен обратимый разряд некоторых ионов, например, способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 либо способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 На некоторой стадии тепловой флуктуации локальная толщина двойного слоя zспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 оказывается меньше эффективной дальности zr переноса заряда, например, путем туннелирования. Ток утечки, возникающий при этом в двойном слое, усиливается с ростом перенапряжения способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 равного отклонению способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 от равновесного значения способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654e . За время разряда избыточного иона диполи среды не успевают изменить ориентацию, наведенную исходным полем. Вокруг вакансии разрядившегося иона образуется пассивная зона, суммарный дипольный момент которой равен в среднем нулю (с точностью до флуктуаций): диполи, число которых не изменилось, уравновешиваются парами зарядов "катион - электрон", число которых в результате разряда уменьшилось на единицу. Вакансии соответствует локальное значение способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 0 .

Изменение локального перепада потенциала от способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 до способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654e включает две стадии способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 __способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z и способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z__способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654e . В случае, если способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z< способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654e < способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 , эти стадии представляют собой разряд и ионизацию с переносом элементарного заряда e, имеющего знак способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 . Освобождение энергии e (способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 - способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z) / 2 сочетается с потреблением энергии e (способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654e- способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654z) / 2 . В среднем по электроду это эквивалентно освобождению энергии eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654/ 2 = eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2 - eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654e/ 2 , которая расходуется на уменьшение высоты активационного барьера. Перенос энергии (стрелка 33, фиг. 5, 6) совершается одновременно с переносом заряда (стрелка 34).

Переходный комплекс, образующийся в результате разряда иона, расположен в пассивной зоне и в простейшем случае свободен от химической связи с веществом электрода. При этом перенапряжение не влияет на состояние O переходного комплекса в координатах "Потенциальная энергия U системы - положение qr элемента системы" (фиг. 8). Сдвиг и деформация кривой потенциальной энергии исходного вещества не меняют уровня состояния способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 (прямая реакция) способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 (обратная реакция). Снижение высоты активационного барьера до способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 либо способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 создается энергией способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 (прямая реакция) либо способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 (обратная реакция). Возможно в определенных пределах различие расстояний qr(0) - qr(Aспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654) и qr(0) - qr(A) . Равенство координат qr у состояний B и B" соответствует в данном примере локализации этих состояний на поверхности электрода (адсорбированный атом). В других случаях начальное и конечное состояния (A, A", A"", A""", B, B") участвующих в реакции веществ расположены в объеме раствора.

Примером переходного комплекса, образованию которого способствует нулевая поляризация пассивной зоны, является частица H3O в реакции разряда иона H3O+ в водной среде, с временем жизни не более 10-7 ... 10-10 с в объеме раствора (координатой реакции может служить положение протона относительно электрода). Из известного поведения этого переходного комплекса в электронейтральной среде с относительно малыми флуктуациями поляризации следует значительно меньшая вероятность его формирования в сильном электрическом поле двойного слоя.

Аналогичны процессы при переносе иона через границу двух несмешивающихся жидкостей. Перемещению иона предшествует его разряд с образованием промежуточной нейтральной или менее заряженной частицы, которая пересекает границу фаз и после этого восстанавливает свой заряд (переход K+ __способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 K0 на фиг. 6).

Состояние заряженной ячейки границы фаз определяется плотностью расположения ячеек. Обособленность ячеек проявляется при разряде одной из них. Из классической электродинамики следует, что часть освобождаемой при разряде энергии может поступать от смежных ячеек. Эта часть, оцениваемая как 2z/d, достигает величины 0,2 при изменении способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 от 0 до 1 В. Однако равенство Ae = eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2 выполнено в том же диапазоне способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 с более высокой точностью (0,02 для реакции выделения водорода на ртутном электроде). Это указывает на автономность ячейки в процессе ее разряда, что выходит за пределы классических представлений.

Наличная энергия ячейки eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2 играет роль своеобразного кванта двойного слоя с фундаментальной константой, равной элементарному заряду. По аналогии эта энергия может быть названа контом (конт, cont). Как носитель элементарной энергии ячейка двойного слоя выполняет функцию квазичастицы.

При n = 1 ячейку можно рассматривать как состояние пары зарядов, созданное поглощением виртуального фотона, переносящего энергию поля двойного слоя. Поглощение чередуется с испусканием, что обеспечивает дискретную связь между ячейками и выравнивание их вклада в общее поле. В интервале времени способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 между поглощением и испусканием ячейка изолирована от дополнительного влияния других ячеек. Минимальное время способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 может быть оценено с использованием соотношения неопределенностей

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 2h / eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 , (25)

где

h - постоянная Планка;

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 10-15 с при способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 = 1B .

Элементарный акт разряда с потреблением порции энергии eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 / 2 осуществим лишь в том случае, если возможно образование переходного комплекса. Кроме того, времени способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 должно быть достаточно для преодоления расстояния способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 между зарядами ячейки. Согласно упрощенной оценке, для электрона без начальной скорости в направлении иона такой разряд возможен, если

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

где

m - масса электрона;

способ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654

В этом одно из отличий границы фаз от макроскопического конденсатора, где за счет многократного взаимодействия с обновляющимся полем электрон способен приобрести при движении между пластинами вдвое большую энергию eспособ исследования диффузной границы фаз, патент № 2119654 .

Обнаруженные предложенным способом явления испарения и конденсации дискретной ионной атмосферы естественным образом объясняют основные свойства границы фаз, ранее оставшиеся непонятными: максимум дифференциальной емкости в окрестности потенциала нулевого заряда и независимость дифференциальной емкости от концентрации раствора за пределами этой окрестности. Размеры указанной окрестности определяются в предложенном способе положением точки перегиба емкости. Они содержат сведения о свойствах избыточных заряженных частиц по обе стороны границы фаз и о поверхностной теплоемкости, вносимой областью пространственного заряда. С дискретностью ионной атмосферы связана также не известная ранее лимитирующая стадия элементарного акта разряда иона:

перемещение иона вдоль границы фаз, отвлекающее значительную часть энергии внешнего источника и существенно влияющее поэтому на кинетику процесса.

Предложенный способ может быть использован для дальнейшего развития представлений о поверхностных явлениях с учетом дискретности электромагнитного поля.

Класс G01N13/00 Исследование поверхностных или граничных свойств, например смачивающей способности; исследование диффузионных эффектов; анализ материалов путем определения их поверхностных, граничных и диффузионных эффектов; исследование или анализ поверхностных структур в атомном диапазоне

способ определения направления перемещения движущихся объектов от взаимодействия поверхностно-активного вещества со слоем жидкости над дисперсным материалом -  патент 2529657 (27.09.2014)
способ определения краевого угла смачивания хвои предварительно обработанной водяным паром -  патент 2525602 (20.08.2014)
способ определения теплоты адсорбции и теплоты смачивания поверхности и измерительная ячейка калориметра -  патент 2524414 (27.07.2014)
способ определения смачиваемости мелкодисперсных порошков -  патент 2522805 (20.07.2014)
способ определения коэффициента диффузии в порошковых материалах и способ определения толщины и показателя целостности покрытия на частицах порошковых материалов -  патент 2522757 (20.07.2014)
способ металлографического анализа -  патент 2522724 (20.07.2014)
способ тестирования системы металлографического анализа на основе сканирующего зондового микроскопа -  патент 2522721 (20.07.2014)
способ определения дисперсности водогазовой смеси -  патент 2522486 (20.07.2014)
способ определения плотности металлических расплавов -  патент 2517770 (27.05.2014)
прибор для совместного измерения поверхностного натяжения и работы выхода электрона жидкометаллических систем с участием компонентов с высокой упругостью насыщенного пара металлов и сплавов -  патент 2511277 (10.04.2014)
Наверх