концентратор магнитного поля

Формула изобретения

1. Концентратор магнитного поля, включающий каскад из пластин из парамагнетика или ферромагнетика и диамагнетика, отличающий тем, что введены один или более каскадов, соосно расположенных с первым, каждый каскад состоит из двух или более систем двухслойных пластин из парамагнетика или ферромагнетика и диамагнетика с частичным отсутствием диамагнетика, системы двухслойных пластин расположены вокруг воображаемой оси так, что нормали к их поверхностям пересекают воображаемую ось, причем расстояние между крайними точками пересечения не превышает размера наименьшей пластины в направлении вдоль воображаемой оси, каждая система двухслойных пластин содержит пакет из одной или более параллельных двухслойных пластин, обращенных парамагнетиком или ферромагнетиком к воображаемой оси.

2. Концентратор магнитного поля по п.1, отличающийся тем, что системы двухслойных пластин образуют грани прямой правильной призмы.

3. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.1,2, отличающийся тем, что одна или более систем двухслойных пластин в одном или более каскадах содержат два или более дополнительных пакетов двухслойных пластин, расположенных так, что они образуют совместно с первым пакетом двуслойных пластин боковые грани прямой призмы, причем первый пакет двуслойных пластин обращен диамагнетиком, а дополнительные пакеты двуслойных пластин - парамагнетиком или ферромагнетиком внутрь прямой призмы.

4. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.1-3, отличающийся тем, что количество каскадов равно 8.

5. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-4, отличающийся тем, что в 1-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 3-угольной призмы.

6. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-5, отличающийся тем, что во 2-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 4-угольной призмы.

7. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-6, отличающийся тем, что в 3-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 6-угольной призмы.

8. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-7, отличающийся тем, что в 4-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 6-угольной призмы.

9. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-8, отличающийся тем, что в 5-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 8-угольной призмы.

10. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-9, отличающийся тем, что в 6-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 8-угольной призмы.

11. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-10, отличающийся тем, что в 7-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 16-угольной призмы.

12. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.2-11, отличающийся тем, что в 8-м каскаде системы двухслойных пластин образуют грани 3-угольной призмы.

13. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.1-12, отличающийся тем, что пакет двухслойных пластин содержит 3 двухслойные пластины.

14. Концентратор магнитного поля по любому из п.п.3-13, отличающийся тем, что пакеты двухслойных пластин образуют 3-угольные призмы.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к физике, в частности к устройствам для повышения напряженности внешнего магнитного поля, и может быть использовано для повышения октанового числа нефтепродуктов, улучшения качества нефти, экологической очистки и консервации продуктов питания, повышения качества табачных изделий, экологической очистки окружающей среды.

Технический результат от использования предлагаемого устройства заключается в создании концентратора магнитного поля.

Технический результат достигается тем, что концентратор магнитного поля содержит один или более последовательно соосно расположенных каскадов, каждый каскад состоит из двух или более систем двухслойных пластин из парамагнетика или ферромагнетика и диамагнетика с частичным отсутствием диамагнетика, системы двухслойных пластин расположены вокруг воображаемой оси так, что нормали к их поверхностям пересекают воображаемую ось, причем расстояние между крайними точками пересечения не превышает размера наименьшей пластины в направлении вдоль воображаемой оси, каждая система двухслойных пластин содержит пакет из одной или более параллельных двуслойных пластин, обращенных парамагнетиком или ферромагнетиком к воображаемой оси.

Технический результат достигается также тем, что системы двухслойных пластин образуют боковые грани прямой правильной призмы.

Технический результат достигается также тем, что одна или более систем двухслойных пластин в одном или более каскадах содержит два или более дополнительных пакетов двухслойных пластин, расположенных так, что они образуют совместно с первым пакетом двухслойных пластин боковые грани прямой призмы, причем первый пакет двухслойных пластин обращен диамагнетиком, а дополнительные пакеты двухслойных пластин - парамагнетиком или ферромагнетиком внутрь прямой призмы.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема концентратора магнитного поля; на фиг. 2 - вид третьего каскада.

Устройство содержит каскады 1-8, состоящие из систем двухслойных пластин 9 из диамагнетика 10 и парамагнетика или ферромагнетика 11 с частичным отсутствием диамагнетика. Частичное отсутствие диамагнетика в двухслойной пластине заключается в том, что слой диамагнетика вырезан местами так, что нарушена его пространственная однородность, т.е. не вся площадь слоя из парамагнетика или ферромагнетика покрыта диамагнетиком.

В предпочтительном варианте реализации концентратор магнитного поля содержит 8 каскадов, собранных из систем двухслойных пластин по 3 пластины в каждой, сложенных в треугольные призмы, образующие боковые грани прямых правильных призм, имеющих в первом каскаде 3, во втором 4, в третьем и четвертом по 6, в пятом и шестом по 8, в седьмом 16 и в восьмом 3 грани.

Магнитные моменты электронов в атомах парамагнетика или ферромагнетика направлены хаотически. При их попадании в магнитное поле магнитные моменты электронов ориентируются по силовым линиям магнитного поля, вследствие чего происходит усиление внешнего поля в парамагнетике или ферромагнетике.

Устройство работает следующим образом. Вектор напряженности магнитного поля каждого пакета двухслойных пластин возрастает при последовательном прохождении пластин, составляющих пакет. Векторы напряженности, созданные дополнительными пакетами двухслойных пластин, направленные внутрь системы пластин нормально к поверхностям двухслойных пластин, суммируются. Вектор напряженности результирующего магнитного поля возрастает при прохождении через первый пакет двухслойных пластин. Вектор напряженности магнитного поля внутри каждого каскада является суммой горизонтальных составляющих векторов напряженности магнитного поля, созданного первыми пакетами двухслойных пластин каждой системы пластин. Увеличение количества каскадов приводит к дополнительному возрастанию напряженности магнитного поля внутри устройства.