устройство для определения параметров жидких магнитодиэлектриков

Классы МПК:G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Тамбовский государственный технический университет
Приоритеты:
подача заявки:
1996-06-11
публикация патента:

Устройство предназначено для определения параметров жидких магнитодиэлектриков и может найти применение при контроле процессов производства магнитных носителей информации, в прозводстве спецпокрытий летательных аппаратов, ферритовых устройств техники СВЧ и т.д. Устройство для определения параметров жидких магнитодиэлектриков содержит цилиндрический объемный резонатор, на оси которого расположен трубопровод с исследуемой жидкостью, генератор СВЧ, демультиплексор, вход которого соединен с выходом генератора СВЧ ,а выходы соединены с полой металлической тубкой, надетой на трубопровод, для возбуждения колебания Е010 в цилиндрическом объемном резонаторе и с возбуждающей петлей колебаний H011 объем твердого компенсационного СВЧ- феррита расположен посередине длины и у боковой стенки цилиндрического объемного резонатора и представляет собой тороид с прямоугольным сечением, аксиально расположенный относительно оси, две приемные петли, расположеные во взаимно перпендикулярных плоскостях, для приема энергии колебаний Е010 и H011 через мультиплексор, амплитудный детектор, аналого-цифровой преобразователь соединены с информационным входом микропроцессора, управляющие выходы которого соединены с соответствующими входами демультиплексора, мультиплексора и генератора СВЧ, а информационный выход микропроцессора через цифроаналоговый преобразователь подключен к управляемому источнику тока, который нагружен на соленоид, намотанный на боковую стенку объемного резонатора, для создания постоянного магнитного поля, направленного по оси объемного резонатора. Трубопровод может быть выполнен в виде специальной формы: меньший диаметр в середине длины и больший - у торцевых стенок объемного резонатора. Технический результат: расширение функциональных возможностей и повышение точности определения плотности жидкости. 1 з.п.ф-лы, 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

1. Устройство для определения параметров жидких магнитодиэлектриков, содержащее цилиндрический объемный резонатор, на оси которого расположен трубопровод с исследуемой жидкостью и генератор СВЧ, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит демультиплексор, вход которого соединен с выходом генератора СВЧ, а выходы соединены с полой металлической трубкой, надетой на трубопровод, для возбуждения колебания Е010 в цилиндрическом объемном резонаторе и с возбуждающей петлей колебания Н011, объем твердого компенсационного СВЧ-феррита расположен посередине длины и у боковой стенки цилиндрического объемного резонатора и представляет собой тороид с прямоугольным сечением, аксиально расположенный относительно оси, две приемные петли, расположенные во взаимно перпендикулярных плоскостях, для приема энергии колебаний Е010 и Н011 через мультиплексор, амплитудный детектор, аналого-цифровой преобразователь соединены с информационным входом микропроцессора, управляющие выходы которого соединены с соответствующими входами демультиплексора, мультиплексора и генератора СВЧ, а информационный выход микропроцессора через цифроаналоговый преобразователь подключен к управляемому источнику тока, который нагружен на соленоид, намотанный на боковую стенку объемного резонатора, для создания постоянного магнитного поля, направленного по оси объемного резонатора.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что трубопровод выполнен в виде специальной формы: меньший диаметр в середине длины и больший - у торцевых стенок объемного резонатора.

Описание изобретения к патенту

Предполагаемое изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения параметров жидких магнитодиэлектриков. Оно может найти применение при контроле процессов производства магнитных носителей информации, в производстве спецпокрытий летательных аппаратов, ферритовых устройств техники СВЧ и т.д.

Известен концентратометр ферромагнитных (ФМ) частиц в жидкости /см Наумов А.А., Черняк В.В. Портативный измеритель концентрации магнитной суспензии. Дефектоскопия. - 1971. - N2. - с 124/, который содержит датчик, выполненный в виде катушки индуктивности, включенной в частотно-задающую цепь генератора и намотанной на диэлектрическую трубу постоянного сечения, по которой протекает жидкость с ферромагнитными частицами. Такой концентратометр позволяет определять концентрацию ферромагнитных частиц по изменению индуктивности катушки в зависимости от изменения количества ферромагнитных частиц.

Недостатками данного устройства являются не только высокая погрешность за счет нелинейной зависимости величины индуктивности от концентрации феррочастиц и ее вариации от электропроводности жидкости-носителя, но и низкая чувствительность при концентрации жидких магнитодиэлектриков за счет невысокой величины начальной магнитной проницаемости феррочастиц и ее уменьшение при увеличении частоты генератора.

Наиболее близким к предполагаемому изобретению является устройство для определения плотности жидкости по изменению ее диэлектрической проницаемости, принятое за прототип /см. Кивилис С.С. Плотномеры М.: Энергия, 1980, с. 251-252/ и состоящее из цилиндрического объемного резонатора (ОР), на оси которого расположен диэлектрический трубопровод постоянного сечения с исследуемой жидкостью, и генератора СВЧ. Мерой диэлектрической проницаемости, которая функционально связана и в прототипе пересчитывается в плотность жидкости, является частота генератора СВЧ, преобразованная в разностную частоту путем гетеродинирования.

Недостатками данного устройства являются недостаточные функциональные возможности и низкая точность определения плотности жидкости вследствие дисперсии диэлектрической проницаемости (она существенно зависит от меняющейся частоты для сред с потерями).

Предполагаемое изобретение направлено на обеспечение возможности определения концентрации, диэлектрической проницаемости и электропроводности жидких магнитодиэлектриков и повышение точности определения плотности жидкости. Это достигается тем, что устройство, содержащее цилиндрический объемный резонатор (ОР), на оси которого расположен трубопровод с исследуемой жидкостью и генератор СВЧ дополнительно включают демультиплексор, вход которого соединен с выходом генератора СВЧ, а выходы соединены с полой металлической трубкой, надетой на трубопровод, для возбуждения колебаний E010 в цилиндрическом ОР и с возбуждающей петлей колебания H011, объем твердого компенсационного СВЧ-феррита расположен посередине длины и у боковой стенки цилиндрического ОР и представляет собой тороид с прямоугольным сечением, аксиально расположенный относительно оси, две приемные петли, расположенные во взаимно перпендикулярных плоскостях, для приема энергии колебаний E010 и H011 через мульплексор, амплитудный детектор (АД), аналого-цифровой преобразователь (АЦП) соединены с информационным входом микропроцессора, управляющие выходы которого соединены с соответствующим входами демультиплексора, мультиплексора и генератора СВЧ, информационный выход микропроцессора через цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) подключен к управляемому источнику тока (УИТ), который нагружен на соленоид, намотанный на боковую стенку ОР, для создания постоянного магнитного поля, направленного по оси ОР. При этом трубопровод выполнен в виде специальной формы: меньший диаметр в середине длины и больший - у торцевых стенок ОР.

На фиг. 1 приведена структурная схема предполагаемого устройства.

Устройство содержит цилиндрической ОР 1, источник 3 СВЧ-электромагнитного поля, демультиплексор 4, петлю 5 для возбуждения колебания типа H011, полую металлическую трубку 6, надетую на трубопровод 2, для возбуждения колебания E010, приемные петли 8 и 9 для приема СВЧ-энергии колебаний H011 и E010 соответственно: плоскость раскрыва петли 8 перпендикулярна, а петли 9 - лежит в плоскости чертежа, мультиплексор 10, АД 11, АЦП 12, микропроцессор 13, ЦАП 14, управляемый источник тока 15, нагрузкой которого служит соленоид 16, намотанный на цилиндрический ОР 1 для создания медленноменяющегося поля подмагничивания H, направленного по оси z, а также объем твердого компенсационного СВЧ-феррита 7, расположенного по середине длины и у боковой стенки: он представляет собой тороид с прямоугольным сечением, аксиально расположенный относительно оси ОР. Управлением частотой генератора 3, а также коммутацией демультиплексора 4 и мультиплексора 10 осуществляет микропроцессор 13 через свои управляющие выходы (демультиплексор 4 и мультиплексор 10 можно выполнить, например, на основе коаксиальных реле).

Специальная форма трубопровода 2 выбрана таким образом, что меньшей диаметр 2устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670o (фиг. 2а) находится в области максимального Eустройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 и минимального значения Hr колебания H011 (фиг. 2б, 2в), а больший - наоборот. Это позволяет в значительной степени отстроится от изменения диэлектрической проницаемости устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 и электропроводности устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 дисперсной системы и производить расчет возмущенной частота fв колебания H011 ОР не учитывая диэлектрических свойств жидкости с ФМ частицами (ФМЖ).

Объем твердого компенсационного СВЧ-феррита 7 расположен посередине длины ОР 1, где Hr колебания H011 минимально (фиг. 2в), и у боковой стенки, где электрические и магнитные поля практически отсутствуют, не влияет на частоту и добротность колебания H011. Толщина СВЧ-феррита 7 (фиг. 2а) выбирается устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 0,1устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a и определяется погрешность измерения концентрации ФМЖ и габаритами соленоида 10.

Работа предполагаемого устройства осуществляется в два цикла: определение 1) концентрации С; 2) диэлектрической проницаемости устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 и электропроводности устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670.

В первом цикле выход генератора 3 через демультиплексор 4 подключается к петле 5, следующей для возбуждения колебания H011, частота СВЧ-сигнала генератора 3 постоянна и равна f1, приемная петля 9 отключается, а петля 8 подключается ко входу АД 11 посредством мультиплексора 10. Управление током УИТ 15 через ЦАП 14 осуществляется кодом Ni={Nmin, Nmax} микропроцессора 13. Ток I, протекающий по соленоиду 10, создает магнитное поле H={Hmin, Hmax}, направленное по оси Z ОР 1.

Пусть по трубопроводу протекает жидкость с ферромагнитными частицами с концентрацией C0. При изменении напряженности поля подмагничивания от Hmin до Hmax происходит перестройка ОР. Частота fв колебания H011 цилиндрического ОР при помещении внутрь магнитодиэлектрика без учета диэлектрических свойств дисперсной системы имеет вид:

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

где

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

fп, fв-частоты колебания H011 пустого и "возмущенного" ОР;

C - относительная объемная концентрация ФМ частиц;

g=3,832/а;

J1(gr)-функция Бесселя 1-го рода 1-го порядка;

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H) - "информационный" параметр магнитной проницаемости феррочастиц;

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 диагональный компонент тензора магнитной проницаемости;

k1 - устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 или устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 компонент тензора;

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670o- магнитная проницаемость вакуума.

При f1=fв сигнал через приемную петлю 8, реле 19, АД 11, АЦП 12 поступает в микропроцессор 13, в которым фиксируется код Ni0, соответствующий току I0, величине поля подмагничивания H0 и, следовательно, значению устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(Ho) "информационного" параметра (1).

При изменении концентрации ферромагнитных частиц от C0 до C1 равенство f1=fв достигается при коде Ni микропроцессора 13. Цепь регулирования по аналогии:

C1устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 Niустройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 I1устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 H1устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H1).

Таким образом, изменение концентрации феррочастиц в данном цикле компенсируется изменением величины "информационного" параметра устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H) тензора магнитной проницаемости феррочастиц, а код Ni микропроцессора 13 является мерой концентрации.

"Информационный" параметр устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H), как видно из (1), зависит от компонентов тензора магнитной проницаемости феррита и функционально связан с частотой электромагнитной волны, намагниченностью насыщения, напряженностью постоянного магнитного поля, формой образца феррита. При работе в зоне "А" устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H) изменяется примерно от 0,8 до 0 и магнитными потерями можно принебречь (см. Микаэлян А. Л. Теория и применение ферритов на СВЧ. -М: ГЭИ, 1963, с. 37-48.

Конструктивная особенность трубопровода (фиг. 2а), а также постоянство fв при вариации объемной концентрации C (1) приводит к следующему виду статической характеристики:

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H)/устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670o= C/(C+устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670), (2)

где

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 - постоянная, зависящая от исходных значений C и устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670a(H).

На фиг. 3 показаны зависимости величины постоянного магнитного поля H (легко пересчитываемая в ток соленоида 10) от объемной концентрации С ФМ частиц феррита марки 1СЧ с величиной индукции насыщения Bнас=0,47 Тл в эпоксидной смоле для двух частот 2,5 и 5 ГГц: 1,2 - теоретические зависимости, построенные по (2) для устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 = 0,4; 3,4 - экспериментальные кривые (b=0,02 m; d= 0,025 m). Из графиков видно, что с ростом частоты растет чувствительность, однако, при этом увеличивается величина поля H, что вызывает рост габаритов катушки или самого тока подмагничивания. Появление методической погрешности устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 21216701 обусловлено эффектом размагничивания образца, зависящим от формы феррочастиц, устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 21216702- зависимость диэлектрической проницаемости e от С. Данные методические погрешности устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 21216701 и устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 21216702 легко устраняются тарировкой на модельной жидкости (см. выше).

Во втором цикле выход генератора 3 через демультиплексор 4 соединяется с полой металлической трубкой 6 для возбуждения колебания E010, частота генератора 3 постоянна и равна f2. Выход приемной петли 9 подключается, а петли 8 отключается посредством мультиплексора 10 от входа АД 11.

Из фиг. 2 а, г, д видно, что СВЧ-феррит находится в зоне максимального значения радиальной составляющей Hустройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 магнитного поля, а трубопровод - в зоне максимального значения аксиальной составляющей Ez электрического поля и минимального значения радиальной магнитной составляющей Hустройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 колебания E010. Как и в первом цикле управления током УИТ 15 через ЦАП 14 осуществляется кодом устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 микропроцессора 13. Ток I", протекающий по соленоиду 10, создает магнитное поле устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 В этом цикле изменение диэлектрической проницаемости феррожидкости устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 компенсируется изменением величины диагонального компонента тензора магнитной проницаемости устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 тороидального компенсационного СВЧ-феррита 7.

При изменении напряженности поля подмагничивания от устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 до устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 происходит перестройка частоты устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 колебания E010 цилиндрического ОР. При равенстве устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 сигнал частоты через приемную петлю 9 реле 20, АД 11, ЦАП 12 поступает в микропроцессор 13, в котором фиксируется код Nj, соответствующий текущей диэлектрической проницаемости устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 феррожидкости. Цепь регулирования организуется последовательностью:

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

Зависимость диагонального компонента устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 тензора магнитной проницаемости СВЧ-феррита от диэлектрической проницаемости при этом имеет вид;

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

где

где k = (a2/2-r2o/2)устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670J21(2,405);

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

m1= устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670o[a2устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670J21(2,405)/2-b2устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670J21(bустройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 21216702,405/a)/2];

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670и, устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 - исходное и текущее значения диэлектрической проницаемости ФМЖ; устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670o- вакуума; устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 исходное и текущее значения диагонального компонента; устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670o- магнитная проницаемость вакуума; а-радиус ОР; b-трубопровода; r0- расстояние от оси z до СВЧ-феррита; J1 (...)-функция Бесселя 1-го рода 1-го порядка.

Увеличение толщины (фиг. 2а) компенсационного феррита до устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 0,2-0,4 обеспечивает возможность работы в двух описанных выше циклах на одной частоте (f1-f2), что упрощает генератор СВЧ 3 однако, при этом растет погрешность определения концентрации феррочастиц жидких магнитодиэлектриков из-за влияния СВЧ-феррита на частоту fв колебания H011 при изменении поля подмагничивания.

При контроле жидкости без феррочастиц (как это делается в прототипе) повышение точности определения плотности по изменению диэлектрической проницаемости достигается постоянством частоты f2 генератора СВЧ 4, что устраняет влияние дисперсии диэлектрической проницаемости от частоты на точность определения плотности.

Нагруженная добротность при равенстве f2 частоты генератора СВЧ 4 и частоты нагруженной системы (см. Никольский В.В. Электродинамика и распространение радиоволн.-М.:Наука, 1989, с. 299-303).

устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670

где

M, N, F -постоянные коэффициенты, зависящие от потерь в стенках ОР, ввода-вывода энергии, размеров трубопровода.

Мерой добротности Q (устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670) в предложенном устройстве является полоса пропускания ОР при возбуждении в нем колебания E010, т.е. разность:

Nj - Nj0,5,

где

Nj - код микропроцессора 13, соответствующий текущей дизлектрической проницаемости устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 (выходная мощность петли 9: Рвых устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 Q устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 Рвых); Nj0,5 - код микропроцессора 13, при котором на выходе приемной метли 9 - мощность сигнала равна половинной мощности при резонансе (Pвых0,5 = 0,5 устройство для определения параметров жидких   магнитодиэлектриков, патент № 2121670 Рвх, см выше).

Таким образом, по сравнению с прототипом утсройство наряду с определением плотности жидкости позволяет определить комплекс параметров жидких магнитодиэлектриков: концентрацию феррочастиц, диэлектрическую проницаемость и электропроводность дисперсной системы, что доказывает эффективность предложенного устройства.

При определении плотности жидкости без феррочастиц повышение точности достигается постоянством частоты генератора, которое устраняет дисперсию диэлектрической проницаемости от частоты (она существенно зависит от меняющейся частоты для сред с потерями; см. Кинг Р., Смит Г. Антенны в материальных средах. М.: Мир, 1984, с. 393-402), а также стабильностью частоты генератора, точность установки которой в стабилизированном генераторе примерно на 2 порядка выше, чем в перестраиваемом (как в прототипе).

Класс G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
контрольное устройство миллиметрового диапазона -  патент 2521781 (10.07.2014)
система и способ досмотра субъекта -  патент 2517779 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" -  патент 2517200 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и энергии активации примесных центров полупроводниковых слоев -  патент 2516238 (20.05.2014)
антенна-аппликатор и устройство для определения температурных изменений внутренних тканей биологического объекта путем одновременного неинвазивного измерения яркостной температуры внутренних тканей на разных глубинах -  патент 2510236 (27.03.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле -  патент 2507506 (20.02.2014)
способ обнаружения и идентификации взрывчатых и наркотических веществ и устройство для его осуществления -  патент 2507505 (20.02.2014)
Наверх