высокотемпературный сверхпроводник
Классы МПК: | H01L39/12 отличающиеся материалом |
Автор(ы): | Дончак А.А. |
Патентообладатель(и): | Дончак Андрей Александрович |
Приоритеты: |
подача заявки:
1993-11-01 публикация патента:
27.03.1999 |
Использование: изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости, может быть использовано при создании перспективных линий электропередач и энергетических установок. Техническим результатом изобретения является повышение критической температуры сверхпроводящего перехода. Сущность изобретения: в качестве высокотемпературного сверхпроводника применен фосфид лития РLi3 повышенной плотности
> 1,6 г/см3.
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128106/961.gif)
Формула изобретения
Применение фосфида лития PLi3 повышенной плотности![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128106/961.gif)
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и может быть использовано при создании перспективных линий электропередач и энергетических установок. Параметры известных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на основе сверхпроводящих керамических материалов в настоящее время подошли к предельным значениям, и повышение их качественных характеристик за последние годы значительно замедлилось. Предлагаемый высокотемпературный сверхпроводник представляет новый класс сверхпроводников с предельными температурами сверхпроводящего перехода (Тс) вплоть до комнатных температур и не имеет общих признаков с известными. В настоящее время высокотемпературная сверхпроводимость наиболее широко подтверждена в ВТСП-керамике, но ВТСП-керамика является существенно неоднородным сверхпроводником. То, что интересные явления нормальной проводимости и сверхпроводимости разыгрываются в купратных плоскостях ВТСП-керамики, с одной стороны, как раз и приводит к высоким значениям Тc, а с другой, создает значительные трудности. Уже первые эксперименты по измерению температурной зависимости магнитной восприимчивости показали [1], что переход по X начинается вблизи Тc, найденного по измерениям R(T) и, как правило, более растянут, чем резистивный, что свидетельствует о малости количества высокотемпературной фазы или большой глубине проникновения поля. Во многих работах указывается на анизотропию критических магнитных полей, гистерезисные явления при измерении кривой намагничивания [2]. В сочетании с большой ролью межгранульных контактов, анизотропией критических токов, вплоть до потери сверхпроводимости на длинном участке провода, это создает большие трудности для работ по прикладной сверхпроводимости. Сущность изобретения заключается в том, что предлагается высокотемпературный сверхпроводник, отличающийся для повышения критической температуры сверхпроводящего перехода Тс тем, что представляет из себя фосфид лития PLi3 повышенной плотности![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128106/961.gif)
Фосфид лития PLi3 является малоизученным соединением, о нем имеются в основном устаревшие отрывочные сведения, но все-таки известно, что это недостаточно стойкий диэлектрик, поэтому основная нагрузка ложится на фазовые превращения фосфида лития. Поскольку доминирующим в соединении является сохранение энергетически устойчивой конфигурации с заполненной внешней p-оболочкой иона фосфора P3-, то под действием давления будет происходить ионизация 3s2 оболочки с переходом
3s2р6 _
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128169/8594.gif)
где e- - свободный электрон. Подобного рода переходы характерны при образовании твердых тел и переходах полупроводник-металл элементов V группы, так для висмута в твердом теле характерен переход s2p3 _
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128169/8594.gif)
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128072/969.gif)
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128005/955.gif)
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128383/2128383t.gif)
условия полярона большого радиуса,
где
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128005/955.gif)
ne - концентрация электронов на сложный ион;
E - ширина исходной зоны;
EB - энергия локализации полярона на узле решетки;
f(z) - функция, учитывающая тип кристаллической решетки,
модели поляронной сверхпроводимости [3] и сильной электрон-фононной связи [4] близки и для оценки Тe, при незначительном изменении частоты молекулярных колебаний в твердом теле можно записать:
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128383/2128383-2t.gif)
где
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128383/2128383-3t.gif)
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128383/2128383-4t.gif)
где U - энергия связи ионов фосфора и лития;
m1, m2 - массы ионов;
R0 - длина химической связи, коэффициент C
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128066/8776.gif)
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128066/8776.gif)
![высокотемпературный сверхпроводник, патент № 2128383](/images/patents/343/2128106/961.gif)
[1] Chu C.W., Ног P.H., Meng R.L., Gao L., Huang Z.J., Wang Y.Q., Bechtold J. , Campbell D., Wu M.K., Ashburn J., Huang C.Y. // Preprint Hoisten University. USA. 1987. [2] Maslov S.S., Pokrovsky V.L. // Europhys. Lett. 1991. V. 14. P. 591. [3] A.C. Александров, А.Б. Кребс // УФН. 1992. Т. 162. N5. C.1. [4] Г. М. Элиашберг. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки в сверхпроводниках. ЖЭТФ 1960, 38, с. 976.
Класс H01L39/12 отличающиеся материалом