способ кристаллизации синтетического берилла

Формула изобретения

Способ кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав, отличающийся тем, что дно камеры кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубы, по завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм, в полость камеры кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700^oС, после чего давление азота в колбе кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм, расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке и, растекаясь по дну камеры кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700^oС, кристаллизуется.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способам получения синтетических драгоценных камней.

Известен способ кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав (Г. Смит "Драгоценные камни", издание второе переработанное, М., "Мир", 1984 г., стр. 197).

К недостаткам известного способа можно отнести его значительную сложность, обусловленную большим количеством операций.

Задачей изобретения является упрощение процесса кристаллизации.

Решение поставленной задачи достигается тем, что в способе кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав, дно камеры кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным, внутренний диаметр керамической трубки, по завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм, в полость камеры кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700^oC, после чего давление азота в колбе кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм, расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке и, растекаясь по дну камеры кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700^oC, кристаллизуется.

Изобретение поясняется графическими материалами, где изображен кристаллизатор в разрезе.

Кристаллизатор содержит колбу 1, на которую нанесен слой футеровки 2. Колба 1 сообщается с камерой 4 кристаллизатора посредством керамической трубки 5. В колбе 1 находится расплав берилла.

Реализация способа заключается в следующем.

Дно камеры 4 кристаллизатора покрывают слоем асбеста толщиной 2 - 4 мм, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубки 5. По завершении процесса варки расплава 3 необходимо плавно снять давление азота в колбе 1, демонтировать глухой фланец с камеры 4 кристаллизатора и поднять давление в колбе до 0,5 - 0,75 атм.

В полость камеры 4 кристаллизатора заливается расплав алюминия и устанавливается температура 670 - 700^oC. После чего давление азота в колбе 1 поднимается до 1,5 - 2 атм.

Под давлением расплав берилла поднимается по керамической трубке 5 и, растекаясь по дну камеры 4 кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700^oC, происходит кристаллизация. Давление внутри камеры 4 способствует росту кристалла по вертикали.

В полость камеры 4 заливается расплав алюминия и устанавливается температура 670 - 700^oC. Расплав алюминия создает давление на дно камеры 4, способствуя растеканию поступающего по трубке 5 раствора, снижает избыточную температуру поступающего раствора и создает для него состояние невесомости.

Таким образом, соблюдая постоянную температуру расплава алюминия в полости камеры 4 кристаллизатора в диапазоне 670 - 700^oC, создаются условия для роста кристалла.