способ получения моноизотопного кремния
Классы МПК: | C01B33/027 разложением или восстановлением газообразных или испаряемых соединений кремния, кроме диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния C22B5/00 Общие способы получения металлов восстановлением |
Автор(ы): | Бардин В.А., Петранин Н.П., Свидерский М.Ф. |
Патентообладатель(и): | Петранин Николай Павлович |
Приоритеты: |
подача заявки:
1998-09-03 публикация патента:
20.09.1999 |
Использование: для получения моноизотопного кремния для электроники. Процесс получения кремния ведут через тетрафторид. Исходный продукт - кварцит нагревают с отвальным гексафторидом урана. Получающийся тетрафторид кремния разделяют на моноизотопы в центральном поле. Моноизотопный тетрафторид кремния восстанавливают аммиаком при температуре ниже 1000oC, обеспечивается снижение затрат. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Рисунок 1
Формула изобретения
1. Способ получения моноизотопного кремния, включающий взаимодействие кварцита с реагентом, восстановление при повышенной температуре, отличающийся тем, что в качестве реагента используют отвальный гексафторид урана, полученный тетрафторид кремния разделяют на изотопы в центробежном поле и образующийся моноизотопный тетрафторид кремния восстанавливают аммиаком с получением моноизотопного кремния. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что восстановление тетрафторида кремния осуществляют при температуре 850 - 900oC, мольном отношении аммиака к тетрафториду кремния, равном 6 - 8 и времени их контакта 1 - 2 с.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области металлургии. Известен способ получения кремния путем взаимодействия кварцита с углеродом, последующим гидрохлорированием и восстановлением водородом силанов при температуре более 1000oC. (В. Р. Реньян. Технология полупроводникового кремния. Изд. Металлургия, 1996 г.). Этот способ отливается высокой энергоемкостью и не позволяет получить моноизотопный кремний, из-за неустойчивости силанов при низких давления. Цель изобретения является снижение затрат и получение моноизотопного кремния для электроники. Сущность изобретения заключается в том, что процесс ведут через получение тетрафторида кремния. Для осуществления способа кварцит нагревают с отвальным гексафторидом урана. Получающийся тетрафторид кремния разделяют на моноизотопы и восстанавливают аммиаком при температуре ниже 1000oC. Эта совокупность признаков дает большой эффект и по данным патентно-лицензионного поиска обладает существенной новизной, что доказывает соответствие заявленного технологического решения критерию существенности отличий. Рассмотрим пример способа получения моноизотопного кремния. В никелевой или монелевый реактор шнекового типа подают мелкодисперсный кремнезем с крупностью 0,1 - 1 мкм и твердый отвальный гексафторид урана с мольным соотношением 1: 1. Смесь по ходу движения в реакторе нагревают до 700oC. Образующийся тетрафторид кремния удаляется из реактора и конденсируется в баллоны. Полученный тетрафторид кремния разделяют на изотопы с массовыми числами 28, 29 и 30 в центробежном поле. Накопленный в баллоне моноизотопный тетрафторид кремния подают в реактор, футерованный кремнием, через коаксиальную форсунку в смеси с аммиаком при температуре 850 - 900oC. Образующийся кремний кристаллизуется на нагретой поверхности реактора, остальные продукты процесса из реактора удаляются. Граничные условия процесса даны в таблице. Использование данного способа позволяет получить моноизотопный кремний, необходимый приборостроению и солнечной энергетике.Класс C01B33/027 разложением или восстановлением газообразных или испаряемых соединений кремния, кроме диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния
Класс C22B5/00 Общие способы получения металлов восстановлением