полупроводниковый прибор
Классы МПК: | H01L29/86 управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток |
Автор(ы): | Иоффе В.М., Максутов А.И. |
Патентообладатель(и): | Иоффе Валерий Моисеевич, Максутов Асхат Ибрагимович |
Приоритеты: |
подача заявки:
1996-12-24 публикация патента:
10.10.1999 |
Использование: микроэлектроника. Прибор может быть выполнен в виде управляемого напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. На приборе могут быть выполнены управляемые напряжением линии передачи. Полупроводниковый прибор содержит низкопроводящий или изолирующий слой (5), на одной поверхности которого сформирован проводящий участок (6), на другой поверхности которого сформирован полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости (1) с омическим контактом, на поверхности которого выполнен слой (2) из полупроводника или (и) металла, образующий с (1) p - n-переход либо (и) барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины слоя (1) ограничен условием полного обеднения слоя (1) либо его части основными носителями заряда до пробоя р - n-перехода либо (и) барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599t.gif)
где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя (1); y - координата, отсчитываемая от металлургической границы р - n-перехода или барьера Шоттки вдоль толщины слоя (1); q - элементарный заряд; Ni(x,y,z)-профиль распределения примеси в слое (1); d(x, z) - толщина слоя (1); z, х - координаты на поверхности пленки;
s - диэлектрическая проницаемость слоя (1); Uk - встроенный потенциал. Р - n-переход или (и) барьер Шоттки может быть сформирован с неоднородным примесным профилем вдоль направления X, выбранного на поверхности слоя (1). На поверхности полупроводникового слоя (1) сформированы вдоль другого поверхностного направления Z проводящие полоски (3), образующие с (1) невыпрямляющий контакт, которые либо соединены с омическим контактом к (1), либо выполнены с зазором относительно омического контакта, полоски (3) либо соединены с проводящими участками (4), выполненными на свободной поверхности слоя (5), либо слой (5) сформирован поверх полосок (3). Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения регулировать величину емкости конденсатора, образованного между проводящими пластинами, а также регулировать величину сопротивления низкопроводящего полупроводникового слоя. 2 з.п. ф-лы, 21 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14, Рисунок 15, Рисунок 16, Рисунок 17, Рисунок 18, Рисунок 19, Рисунок 20, Рисунок 21
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599t.gif)
где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя (1); y - координата, отсчитываемая от металлургической границы р - n-перехода или барьера Шоттки вдоль толщины слоя (1); q - элементарный заряд; Ni(x,y,z)-профиль распределения примеси в слое (1); d(x, z) - толщина слоя (1); z, х - координаты на поверхности пленки;
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139085/949.gif)
Формула изобретения
1. Полупроводниковый прибор, содержащий низкопроводящий или изолирующий слой (5), на одной поверхности которого сформирован проводящий участок (6), а на другой поверхности-полупроводниковый слой (1) электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом, на поверхности слоя (1) выполнен металлический или (и) полупроводниковый слой (2) противоположного со слоем (1) типа проводимости, образующий со слоем (1) p-n-переход либо (и) барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины слоя (1) ограничен условием полного обеднения слоя (1) либо его части основными носителями заряда до пробоя p-n-перехода либо барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения;![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-9t.gif)
где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя (1);
y - координата, отсчитываемая от металлургической границы p-n-перехода или барьера Шоттки в направлении вдоль толщины слоя (1);
q - элементарный заряд;
Ni(x,y,z) - профиль распределения примеси в слое (1);
d(x,z) - толщина слоя (1);
z, x - координаты на поверхности слоя (1);
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139085/949.gif)
Uk - встроенный потенциал. 2. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что p-n-переход или (и) барьер Шоттки сформирован с неоднородным примесным профилем вдоль направления Х, выбранного на поверхности слоя (1), на поверхности полупроводникового слоя (1) сформированы вдоль другого поверхностного направления Z проводящие полоски (3), образующие со слоем (1) невыпрямляющий контакт, которые либо соединены с омическим контактом к слою (1), либо выполнены с зазором относительно омического контакта, полоски (3) либо соединены с проводящими участками (4), выполненными на сводной поверхности слоя (5), либо слой (5) сформирован поверх полосок (3). 3. Полупроводниковый прибор по пп.1 и 2, отличающийся тем, что на свободной поверхности прибора сформирован изолирующий слой (9), отделяющий контакты к слоям (1) и (2) друг от друга.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Прибор может быть выполнен в виде управляемого напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. На приборе могут быть изготовлены параметрические усилители и управляемые напряжением линии передачи. Предшествующий уровень техникиПрибор наиболее близок по принципу работы варикапам (варакторам) - полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Как известно (Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т.1, М., Мир, 1984, с. 80-91, 260-262, 381, 384), во всех трех базовых элементах полупроводниковой электроники (p-n-переходе, барьере Шоттки и структуре металл-диэлектрик-полупроводник) при определенной полярности приложенного напряжения формируется слой полупроводника, обедненный основными носителями заряда, являющийся аналогом диэлектрической прослойки в обычном конденсаторе. Толщина обедненного слоя зависит от напряжения смещения, вследствие чего дифференциальная емкость C полупроводникового прибора может управляться напряжением U. Типичная конструкция варактора представляет собой плоскопараллельный сильнолегированный слой полупроводника с одним типом проводимости, сформированный на слаболегированной рабочей области с другим типом проводимости Обе обкладки снабжены омическими контактами для подачи управляющего напряжения. Задавая соответствующий закон распределения примеси в рабочей области варактора, можно реализовать различные зависимости C(U). К недостаткам всех без исключения варикапов относится то, что область используемых напряжений ограничена напряжением пробоя обедненного слоя. У подавляющего большинства конструкций существующих варакторов отношение величин максимальной емкости к минимальной ограничено напряжением пробоя. Широко известен конденсатор переменной емкости (см., например, Э. Ред, Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике, М., Мир, 1990 г., стр. 219-220), представляющий собой механическое устройство, позволяющее перемещать относительно друг друга обкладки конденсатора. Очевидный недостаток такого прибора - инерционность механической перестройки. Наиболее часто в СВЧ-микроэлектронике используется микрополосковая линия передачи, представляющая собой двухпроводную линию, содержащую две проводящие полоски, между которыми сформирован изолирующий либо полуизолирующий слой (см. , например, "Электроника", Энциклопедический словарь, Москва, Сов. Энциклопедия, 1991 г., стр. 253, 254, 491), М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., Мир, 1991, стр. 405). К недостаткам всех линий передач относится то, что параметры линии передачи, такие как волновое сопротивление и длина, не регулируются внешним источником напряжения, что затрудняет микроминиатюризацию настройку и частотную перестройку большого числа СВЧ-устройств. Под транзистором обычно понимают полупроводниковый прибор, имеющий три или более выводов для подачи управляющего напряжения, предназначенный для усиления генерирования и преобразования электрических колебаний (Энциклопедический словарь, Москва, Сов. Энциклопедия, 1991 г., стр. 557). Существенным недостатком существующих транзисторов, как полевых, так и биполярных транзисторов, является то, что выходная мощность обратно пропорциональна квадрату частоты, что является результатом ограничения, налагаемого напряжением лавинного пробоя достаточно узкой области пространственного заряда p-n - перехода и предельной скоростью носителей (Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т. 1, М., Мир, 1984, с. 178-179). В основу настоящего изобретения поставлена задача создания полупроводникового прибора, не имеющего аналогов, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения регулировать величину емкости конденсатора, образованного между проводящими пластинами, между которыми сформирован изолирующий (диэлектрический) или низкопроводящий (полупроводниковый) слой, а также регулировать величину сопротивления низкопроводящего (полупроводникового) слоя. Решение поставленной задачи обеспечивается тем, что полупроводниковый прибор, содержащий низкопроводящий или изолирующий слой, на одной поверхности которого сформирован проводящий участок, на другой поверхности которого сформирован полупроводниковый слой 1 электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом, на поверхности которого выполнен слой 2, выполненный из металла или (и) полупроводника с противоположным со слоем 1 типом проводимости, образующий с 1 p-n-переход либо (и) барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины слоя 1, ограничен условием полного обеднения слоя 1 либо его части основными носителями заряда до пробоя p-n-перехода либо барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения:
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-3t.gif)
где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя 1, y - координата, отсчитываемая от металлургической границы p-n-перехода или барьера Шоттки в направлении вдоль толщины слоя 1, q - элементарный заряд, Ni(x, y, z) - профиль распределения примеси в слое 1, d(x,z) - толщина слоя 1; z, x - координаты на поверхности слоя 1;
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139085/949.gif)
фиг.1 изображает один из вариантов полупроводникового прибора с источником управляющего напряжения и с источником входного сигнала,
фиг.2 - полупроводниковый прибор, выполненный по планарной технологии;
фиг. 3 - полупроводниковый прибор в виде линии передачи с изменяемым волновым сопротивлением с источником входного сигнала и с источником управляющего напряжения;
фиг.4 - полупроводниковый прибор в виде линии передачи с изменяемой длиной с источником входного сигнала и с источником управляющего напряжения;
фиг. 5 - полупроводниковый прибор в виде линии передачи с изменяемым волновым сопротивлением, у которой p-n-переход (барьер Шоттки) сформирован на входе и выходе линии;
фиг. 6 - полупроводниковый прибор в виде линии передачи с изменяемым волновым сопротивлением, у которой барьер Шоттки сформирован между нижней полоской и полуизолирующей (слаболегированной) подложкой, на противоположной поверхности которой сформирована вторая полоска (с отверстиями), образующая с неоднородно легированной подложкой омический контакт;
фиг.7 - конструкция транзистора;
фиг 8 - управляемый напряжением конденсатор переменной емкости;
фиг.9 - усилитель на управляемом напряжением конденсаторе переменной емкости;
фиг. 10 - расчетная зависимость выходного сигнала на управляемой емкости от времени при различных степенях модуляции емкости;
фиг.11 - устройство управляемого напряжением конденсатора переменной емкости;
фиг.12 - расчетная форма рабочего участка управляемого конденсатора, используемого в идеальном частотном модуляторе;
фиг. 13 - управляемый напряжением конденсатор переменной емкости;
фиг. 14 - устройство изготовленного управляемого напряжением конденсатора;
фиг. 15 - зависимость величины емкости прибора от управляющего напряжения;
фиг.16 - расчетная зависимость волнового сопротивления линии передачи от напряжения;
фиг. 17 - расчетная и экспериментальная зависимости коэффициента стоячей волны линии передачи от напряжения;
фиг.18 - измеренная зависимость тока транзистора в цепи источника питания от величины управляющего напряжения. фиг. 19 - устройство изготовленного управляемого напряжением конденсатора с однородным p-n переходом;
фиг. 20 - временная зависимость напряжения на управляемой емкости с однородным p-n-переходом изготовленного прибора с последовательно соединенными омической нагрузкой и индуктивной нагрузкой. фиг. 21 - временные зависимости напряжения на управляемой емкости прибора с омической нагрузкой при величине нагрузки 1000, 200, 50 Ом. Для пояснения работы предлагаемого прибора обратимся к фиг. 1, на которой приведен один из вариантов прибора, содержащий n-типа область 1, неоднородно легированную вдоль X, с омическим контактом, область 2 с омическим контактом, которая образует с областью 1 p-n-переход либо барьер Шоттки, проводящие полоски 3, которые непосредственно соединены с полосками 4, слой диэлектрика 5, проводящую полоску 6. На фиг.1 изображены также источник управляющего напряжения 7, подключенный p-n-переходу, источник входного сигнала 8. Поверх проводящих полосок 3 сформирован n-типа слой 1, образующий с полосками 3 невыпрямляющий (омический) контакт. Причем слой 1 неоднородно легирован (вдоль направления X). Причем степень легирования уменьшается с ростом X. Поверх слоя 1 сформирована область 2 с омическим контактом, которая образует с областью 1 p-n-переход либо барьер Шоттки. По мере увеличения запирающего напряжения U (источника 7) на переходе размер вдоль X области нейтральности в полупроводнике n-типа (H(U)) непрерывно уменьшается. При этом эффективная ширина пластин конденсатора W с дискретностью, равной ширине полоски 3, повторяет H(U), что приводит к пропорциональному уменьшению емкости между 6 и омическим контактом к области 1 (C ~ H(U)). В рассмотренном случае проводящие полоски сформированы на одной из поверхностей диэлектрической пластины. Очевидно, что если на другой поверхности диэлектрика также сформировать проводящие полоски, поверх которых сформировать неоднородно легированный (поперек полосок) p-n переход или барьер Шоттки, то при подаче на него напряжения можно также варьировать эффективную площадь пластин конденсатора. Заметим, что зависимость емкости от управляющего напряжения определяется выбором формы области, на которой выполнены проводящие полоски 4, и профилем легирования p-n - перехода (барьера Шоттки). При производстве полупроводниковых приборов посредством планарно-эпитаксиальной технологии все контакты, как правило, формируются на одной из поверхностей полупроводниковой пластины, причем контакты отделены друг от друга диэлектрической прослойкой (SiO2). На фиг. 2 представлен управляемый конденсатор переменной емкости, выполненный посредством планарно-эпитаксиальной технологии, который содержит (фиг.2) проводящие полоски 3 (4), проводящую полоску 6, слой диэлектрика 5, неоднородно легированную вдоль ширины прибора примесями n-типа область 1 с омическим контактом, область 2 с омическим контактом, которая образует с областью 1 p-n-переход. На фиг.2 изображены также источник управляющего напряжения 7, подключенный p-n - переходу, источник входного сигнала 8. Причем полоски 3 выполнены из сплава золота и сурьмы (для формирования омического контакта с полупроводником n-типа). В качестве диэлектрика использована двуокись кремния. Омический контакт к p-области 2 выполнен из алюминия. Омический контакт к n-области 1 (сильнолегированной в районе контакта) выполнен также из алюминия, полоска 6 выполнена также из алюминия. Все контакты друг от друга отделены защитным слоем двуокиси кремния 9. Для исключения нежелательного влияния емкостной связи между областями 2 и 6 p-n-переход (барьер Шоттки) может быть сформирован над незначительной частью полосок 3 либо вынесен за их пределы (соединен с продолжениями полосок 3 за пределами диэлектрического слоя 5). Второй способ исключения нежелательного влияния емкостной связи между областями 2 и 6 заключается в том, что у p-n-перехода неоднородно вдоль X легируются как n- область, так и p- область. При этом по мере роста управляющего напряжения размер области нейтральности вдоль X в p-области уменьшается так же, как и в n-области. Если требуется изменение емкости прибора в больших пределах, то в том случае, когда размер контактной площадки к области 1 соизмерим с размерами прибора, контактная площадка может быть вынесена на сформированный диэлектрический слой (фиг.2). Если не требуется изменения емкости прибора между омическим контактом к области 1 и 6 в больших пределах, то проводящие участки 3, выполненные на поверхности области 1, непосредственно соединяются с омическим контактом к области 1. В этом случае эффективная площадь пластин управляемого конденсатора изменяется на величину, равную площади зазоров между участками 3. Для пояснения работы прибора в качестве управляемой линии передачи обратимся к фиг.3, на которой приведен один из вариантов предлагаемой линии передачи, содержащий проводящие полоски 3, выполненные вдоль длины линии, проводящую полоску 6, слой диэлектрика 5, неоднородно легированную вдоль ширины линии примесями n-типа область 1 с омическим контактом, область 2 с омическим контактом, которая образует с областью 1 p-n-переход либо барьер Шоттки. На фиг. 3 изображены также источник управляющего напряжения 7, подключенный p-n-переходу через дроссель 10, служащий для развязки цепей источника входного сигнала и управляющего напряжения по переменному току, источник входного сигнала 8. Поверх проводящих полосок 3 сформирован n-типа слой 1, образующий с полосками 4 омический контакт. Причем слой 1 неоднородно легирован вдоль ширины линии (вдоль направления Z). Причем степень легирования уменьшается с ростом Z. Поверх слоя 1 сформирована область 2 с омическим контактом, которая образует с областью 1 p-n-переход либо барьер Шоттки. По мере увеличения запирающего напряжения U (источника 7) на переходе размер вдоль Z области нейтральности в полупроводнике n-типа H(U) непрерывно уменьшается. При этом эффективная ширина линии W с дискретностью, равной ширине одной из полосок 3, повторяет H(U), что приводит к пропорциональному увеличению волнового сопротивления линии (
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139199/961.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-4t.gif)
где Ui - напряжение пробоя полупроводникового слоя 1, y - координата, отсчитываемая от металлургической границы p-n-перехода или барьера Шоттки в направлении вдоль толщины слоя 1, q - элементарный заряд, Ni(x, y, z) - профиль распределения примеси в пленке; d(x,z) - толщина слоя 1; z, x - координаты на поверхности слоя 1;
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139085/949.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139192/937.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139034/8773.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-5t.gif)
где величина Cmin определяется размерами омического контакта к пленке n-типа. На фиг. 12 приведена расчетная форма рабочего участка управляемого конденсатора, который в LC контуре может быть использован в качестве идеального частотного модулятора (C(U)=C1/(C2+U)2) при отношении Cmax/Cmin=5, причем при линейно спадающей вдоль направления x степени легирования n-области (H(U) ~ Xmax (1-U/Umax)). Заметим, что проводящие участки 4 могут иметь форму, отличающуюся от прямоугольной. Рассмотрим управляемый конденсатор (фиг. 13), который содержит p-n-переход (барьер Шоттки) с неоднородным вдоль направления x профилем легирования. На поверхности p-n-перехода (барьера Шоттки) сформирован слой диэлектрика 5, на поверхности которого нанесен проводящий слой 6. P-n-переход, содержащий область 2 p - типа с омическим контактом, на которой выполнена пленка n-тира с другим омическим контактом. В области 2 сформирован неоднородный профиль распределения акцепторной примеси Na(x,y), причем степень легирования уменьшается от Xmax к 0. Там, где слой 2 слабо легирован, ОПЗ проникает в область 2 на большую толщину и на меньшую толщину в пленку 1 (в том числе и однородно легированную). По мере увеличения запирающего напряжения на переходе область пространственного заряда (ОПЗ) постепенно заполняет всю пленку, при этом размер области нейтральности H(U) и эффективная площадь пластин управляемого конденсатора, образованного между областью нейтральности пленки и металлическим слоем 6, непрерывно уменьшаются. Очевидно, что область 2 может быть выполнена n-типа при изготовлении области 1 с дырочным типом проводимости. Заметим, что при непосредственном соединении или разъединении областей 2 и 6 полупроводниковый прибор, используемый в качестве управляемой емкости, может быть использован в качестве варикапа. Пленка 1 с толщиной d может быть однородно легирована вдоль поверхности при однородном слое 2. В этом случае напряжение перекрытия должно быть меньше напряжения пробоя :
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-6t.gif)
Up - напряжение перекрытия, Ni(y) - распределение примеси по толщине пленки. При превышении управляющего напряжения величины, равной напряжению перекрытия, область нейтральности скачком уменьшается до размеров омического контакта к пленке. Вследствие чего скачком меняется емкость p-n-перехода и управляемая емкость. Примеры осуществления изобретения. На подложке с толщиной 0.5 мм (D=0.5мм) из двуокиси кремния была сформирована микрополосковая линия длиной 50 мм (L=50 мм), с шириной верхней полоски 4 мм (W= 4 мм), с шириной нижней полоски 16 мм (фиг.14). В верхней полоске, выполненной из сплава золота и сурьмы, были вытравлены вдоль длины линии отверстия шириной 4 мкм с шагом 40 мкм, поверх которых в начале и в конце линии был сформирован слой поликремния толщиной 0,6 мкм с донорной концентрацией примесей ~ 1015 1/см3. В слое посредством ионной имплантации фосфора при энергии 200 КЭВ сформирован неоднородно легированный примесный профиль, причем имплантационная доза линейно изменялась вдоль ширины линии (вдоль X) от 1
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139016/183.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139016/183.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-7t.gif)
В свою очередь H(U) определялось из условия полного обеднения полупроводникового слоя поликремния толщиной d (d=0,6 мкм) с неоднородным профилем легирования Ni(x,y) основными носителями заряда в сечении H(U), y при минимальном запирающем напряжении на барьере Шоттки:
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139599/2139599-8t.gif)
y - координата, отсчитываемая от поверхности пленки, на которой сформирован барьер Шоттки, вдоль ее толщины, q- элементарный заряд,
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139085/949.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139085/949.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139112/960.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139016/183.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139016/183.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139016/183.gif)
![полупроводниковый прибор, патент № 2139599](/images/patents/332/2139112/960.gif)
Класс H01L29/86 управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток