пленочный датчик электрического поля
| Классы МПК: | G01B11/16 для измерения деформации твердых тел, например оптические тензометры |
| Автор(ы): | Зюзин С.Е., Никольский Ю.А. |
| Патентообладатель(и): | Никольский Юрий Анатольевич |
| Приоритеты: |
подача заявки:
1998-02-17 публикация патента:
10.05.2000 |
Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, при действии сильных электрических полей. Пленочный датчик электрического поля создан на основе перекристаллизованной пленки n-InSb (полученной перекристаллизацией в вакууме) на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In, пленка n-InSb имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заряда n = (3 - 5)
1017 см-3, электропроводность 
= (1,5 - 2,0)103 Ом-1см-1 и подвижность носителей заряда 
= (2,9 - 3,0)104 см2/(Вс) при Т = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6)104 А/см2 при Е = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.
1017 см-3, электропроводность = (1,5 - 2,0)103 Ом-1см-1 и подвижность носителей заряда = (2,9 - 3,0)104 см2/(Вс) при Т = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6)104 А/см2 при Е = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.
Формула изобретения
Пленочный датчик электрического поля, содержащий перекристаллизованную пленку антимонида индия n-типа проводимости, на слюдяной подложке, с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In, отличающийся тем, что пленка n - InSb, получена перекристаллизацией в вакууме, имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заряда n = (3 - 5) 1017 см-3, электропроводность = (1,5 - 2,0) 103 Ом-1см-1 и подвижность носителей заряда = (2,9 - 3,0) 104 см2/(Вс) при T = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6) 104 А/см2 при E = 30 - 40 В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.
Описание изобретения к патенту
Область техники, к которой относится изобретение. Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике, при действии сильных электрических полей. Уровень техники. Монокристаллические датчики электрического поля характеризуются выполнением закона Ома до напряженности электрического поля E = 30 - 40 В/см при плотности тока j = (102 - 104) А/см2 в диапазоне температур 77 - 300 К (RU 95104014, G 01 B 11/16, 21.03.95. Никольский Ю.А.). Сущность изобретения. Пленочный датчик электрического поля на основе перекристаллизованной пленки n-InSb толщиной 1 - 2 мкм на слюдяной подложке с концентрацией носителей заряда n = (3 - 5)1017 см-3, электропроводностью = (1,5 - 2,0)103 Ом-1см-1 и подвижностью носителей заряда = (2,9 - 3,0)104 см2/(Вс) при Т = 300 К может достигать при выполнении закона Ома ( = const) значений плотности тока j = (4 - 6)104 А/см2 при E = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К. Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения. Пленка n-InSb, полученная термической перекристаллизацией в вакууме на слюдяной подложке, представляет монокристаллическую матрицу n-InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы InSb + In p-типа проводимости. Пленочный датчик электрического поля изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые контакты, к которым припаивают эвтектическим сплавом In + Sn медные проволочки для измерения тока и напряжения.
Класс G01B11/16 для измерения деформации твердых тел, например оптические тензометры
