способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах

Формула изобретения

Способ настройки узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах, основанный на изменении расстояния между преобразователями за счет деформации кристаллической решетки пьезоэлектрической подложки, отличающийся тем, что деформация производится путем изгиба подложки при помощи микровинтов и зажимов, размещенных на боковых гранях подложки с образованием стрелы прогиба как со стороны встречно-штыревых преобразователей, так и с нерабочей стороны подложки.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах (ПАВ).

Известен способ настройки на центральную частоту устройства на ПАВ путем напыления на рабочую поверхность пьезоэлектрической подложки с предварительно сформированными встречно-штыревыми преобразователями (ВШП) слоя из электрически непроводящего материала, который имеет определенную толщину, необходимую для получения заданной центральной частоты прибора на ПАВ [1]. Недостатком известного способа является то, что он позволяет проводить подгонку центральной частоты только в сторону уменьшения частоты и не позволяет проводить подгонку в сторону увеличения частоты.

Известен способ подгонки на центральную частоту устройства на ПАВ путем химического травления предварительно нанесенной на ВШП диэлектрической пленки до величины, при которой центральная частота узкополосного прибора на ПАВ совпадает с заданным номинальным значением [2]. При химическом травлении происходит повышение центральной частоты узкополосного прибора на ПАВ. Недостатком известного способа является невозможность уменьшения центральной частоты прибора на ПАВ.

Наиболее близким техническим решением к заявляемому способу является способ [3], основанный на создании на стороне звукопровода, противоположной рабочей поверхности, управляющих электродов, создающих дополнительное электрическое поле, под действием которого производится деформация кристалла, приводящая к изменению расстояния между преобразователями. Таким образом, при изменении управляющего напряжения, подводимого к электродам, происходит изменение задержки электрического сигнала, что позволяет также изменять центральную частоту прибора на ПАВ.

Недостатками известного способа являются:

1 - необходимость в дополнительном источнике электрического сигнала, что не позволяет использовать данный способ для создания фильтров на ПАВ, работающих в пассивных электронных устройствах;

2 - данный способ больше применим для изготовления линий задержки на ПАВ и мало подходит для изготовления узкополосных приборов на ПАВ.

Задача изобретения - упрощение способа, позволяющего подстраивать в процессе работы центральную частоту узкополосного прибора на ПАВ без использования дополнительного источника электрического сигнала.

Эта задача решается следующим образом. В известной конструкции фильтра на ПАВ предлагается крепить пьезоэлектрическую подложку концами к основанию корпуса, между средней частью подложки и основанием корпуса оставляется зазор не менее 0,2 мм, в центральной части подложки и основания корпуса смонтированы зажимы, при помощи которых возможно изгибать подложку с образованием стрелы прогиба как со стороны электродов фильтра, так и со стороны основания корпуса.

Экспериментально было доказано, что при изгибе пьезоэлектрической подложки центральная частота фильтра на ПАВ изменяется. В качестве примера на фиг. 1 показано изменение центральной частоты F узкополосного фильтра на ПАВ от стрелы прогиба . Здесь длина подложки составляла 34 мм. Ширина - 6 мм, толщина 1 мм. Центральная частота фильтра равнялась 65 МГц при ширине пропускания 40 кГц.

Сущность предложенного показана на фиг. 2

На основании корпуса 4 размещен держатель 3 пьезоэлектрической подложки 1 со сформированными на рабочей поверхности встречно-штыревыми преобразователями 2. При помощи зажимов 5, размещенных на боковых торцах подложки и винтов 6 подложка 1 может прецизионно изгибаться с образованием прогиба как со стороны ВШП, так и с нерабочей стороны подложки. При этом в соответствии с фиг. 1 центральная частота узкополосного фильтра на ПАВ будет изменяться, тем самым становится возможным подстраивать в процессе работы частоту фильтра.

Источники информации

1. Патент США N 4243960, кл. H 03 H 9/64, 1981.

2. Заявка Японии N 61-77407, кл. H 03 H 3/106, 1981.

3. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. - М.: Радио и связь, 1987, с. 156.