микросхема
Классы МПК: | H01L23/04 отличающиеся формой |
Автор(ы): | Мисник А.В. |
Патентообладатель(и): | Закрытое акционерное общество "Интеллект" |
Приоритеты: |
подача заявки:
1999-02-12 публикация патента:
10.09.2000 |
Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к логическим устройствам. Техническим результатом изобретения является создание микросхемы с конструктивно заложенным изменением линейного размера внешней границы в поперечном сечении корпуса, улучшенными монтажными и утилизационными свойствами. Сущность: микросхема содержит корпус, при этом линия внешней границы поперечного сечения корпуса и по крайней мере в одном из поперечных сечений по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента или комбинации фрагментов косого конического сечения прямого кругового конуса. При этом обеспечивается конструктивно заложенное изменение линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса. При размещении микросхемы в изделии увеличивается плотность монтажа, повышается надежность крепления деталей в ограниченном объеме и безошибочность монтажа микросхемы в схеме относительно других деталей. Для утилизации микросхемы требуется меньше работы при разрушении корпуса. 29 з.п. ф-лы, 4 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4
Формула изобретения
1. Микросхема, содержащая корпус, отличающаяся тем, что по крайней мере в одном из поперечных сечений корпуса по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента или комбинации фрагментов линии, которую образуют поверхность прямого кругового конуса и секущая плоскость, не проходящая через его вершину, при условии, что угол между секущей плоскостью и осью прямого кругового конуса отличен от прямого угла. 2. Микросхема по п.1, отличающаяся тем, что она выполнена в сечении с переменным линейным размером. 3. Микросхема по п.2, отличающаяся тем, что линейный размер в сечении последней меняется, многократно возрастая и убывая. 4. Микросхема по п.3, отличающаяся тем, что линейный размер в сечении последней меняется многократно и периодически. 5. Микросхема по любому из пп.1 - 4, отличающаяся тем, что часть длины линии границы относительно центра масс сечения выполнена вогнутой. 6. Микросхема по любому из пп.1 - 5, отличающаяся тем, что часть длины линии границы относительно центра масс сечения выполнена выпуклой. 7. Микросхема по любому из пп.1 - 6, отличающаяся тем, что часть длины линии границы сечения выполнена ступенчатой. 8. Микросхема по п.7, отличающаяся тем, что ступени могут быть выполнены как с увеличением линейного размера в сечении при переходе от одной ступени к другой, так и с уменьшением. 9. Микросхема по любому из пп.1 - 8, отличающаяся тем, что часть длины линии границы сечения выполнена по крайней мере с одной выемкой. 10. Микросхема по любому из пп.1 - 9, отличающаяся тем, что часть длины линии границы сечения выполнена по крайней мере с одним выступом. 11. Микросхема по любому из пп.1 - 10, отличающаяся тем, что часть длины линии границы сечения выполнена из группы, содержащей в сечении фрагмента и/или комбинации фрагментов: многоугольника, конического сечения прямого кругового конуса. 12. Микросхема по любому из пп.1 - 11, отличающаяся тем, что корпус в сечении имеет по крайней мере один слой. 13. Микросхема по любому из пп.1 - 12, отличающаяся тем, что корпус и/или по крайней мере один из его слоев в сечении имеет переменную толщину. 14. Микросхема по любому из пп.1 - 13, отличающаяся тем, что толщина корпуса и/или по крайней мере одного из его слоев в сечении меняется, многократно возрастая и убывая. 15. Микросхема по п.14, отличающаяся тем, что толщина корпуса и/или по крайней мере одного из слоев меняется многократно и периодически. 16. Микросхема по любому из пп.1 - 15, отличающаяся тем, что толщина корпуса и/или по крайней мере одного из его слоев в сечении имеет по крайней мере один разрыв. 17. Микросхема по п.16, отличающаяся тем, что разрывы толщины корпуса и/или одного из его слоев в сечении выполнены многократно. 18. Микросхема по любому из пп.1 - 17, отличающаяся тем, что по крайней мере часть по крайней мере одного слоя корпуса выполнена из металлического материала с пределом прочности 80 - 2050 МПа. 19. Микросхема по любому из пп.1 - 18, отличающаяся тем, что по крайней мере часть по крайней мере одного из слоев корпуса выполнена из композиционного материала. 20. Микросхема по п.19, отличающаяся тем, что композиционный материал выполнен из волокнистых материалов или слоистых композиций, или дисперсно-упрочненных материалов. 21. Микросхема по п.20, отличающаяся тем, что предел прочности композиционного материала лежит в пределах 10 - 1800 МПа. 22. Микросхема по любому из пп.1 - 21, отличающаяся тем, что по крайней мере часть по крайней мере одного слоя корпуса выполнена из пластмассы или керамики, или металлокерамики, или стекла, или ситалла, или резины. 23. Микросхема по п.22, отличающаяся тем, что предел прочности материала слоя корпуса лежит в пределах 0,1 - 2000 МПа. 24. Микросхема по любому из пп.1 - 23, отличающаяся тем, что содержит рабочую секцию, а между внешней границей рабочей секции и корпусом расположен по крайней мере один слой изолятора. 25. Микросхема по п.24, отличающаяся тем, что в качестве по крайней мере части слоя изолятора использован вакуум, или газ, или жидкость, или твердое вещество, или резина. 26. Микросхема по п.25, отличающаяся тем, что электрическая прочность изолятора лежит в пределах от 1 КВ/м до 300 МВ/м. 27. Микросхема по пп.24 - 26, отличающаяся тем, что толщина по крайней мере одного слоя изолятора в сечении меняется, многократно возрастая и убывая, и/или занимает все пространство сечения внутри корпуса. 28. Микросхема по любому из пп.24 - 27, отличающаяся тем, что толщина по крайней мере одного из слоев изолятора имеет в сечении по крайней мере один разрыв. 29. Микросхема по п.28, отличающаяся тем, что разрывы толщины по крайней мере одного из слоев изолятора в сечении выполнены многократно. 30. Микросхема по любому из пп.12 - 19, 22, 24, 27 - 29, отличающаяся тем, что в сечении на границе раздела слоев корпуса и/или слоев изолятора и/или корпуса и изолятора выполнена по крайней мере одна полость.Описание изобретения к патенту
Область техники. Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к логическим устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного тока, и в частности в изделиях с ограниченным аппаратурным объемом. Уровень техники. Известна микросхема в корпусе (Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов. М. , Высшая школа, 1974 г., с. 338-341), содержащая в поперечном сечении линию внешней границы корпуса в виде прямоугольника. Под термином "поперечное сечение" следует понимать сечение плоскостью, перпендикулярной продольной оси микросхемы. Термин "поперечное сечение" используется в данном контексте на протяжении всего описания, включая формулу изобретения. Под термином "продольная ось микросхемы" следует понимать характерную ось, проходящую, например:через центр масс микросхемы или корпуса микросхемы и параллельную оси одного из выводов микросхемы;
по касательной к боковой стенке микросхемы;
через геометрические центры (или центры масс) противоположных днищ (стенок). Термин "продольная ось микросхемы" используется в данном контексте на протяжении всего описания. Недостатками аналога являются:
во-первых, отсутствие конструктивно заложенного изменения линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса, что не позволяет обеспечить максимальную компоновку микросхемы в составе изделия с ограниченным объемом;
во-вторых, при утилизации микросхемы, в том числе в составе изделия, требуется большая работа по деформации корпуса микросхемы в поперечном направлении в связи с большим значением момента сопротивления сечения корпуса сжатию (деформации, разрушению [1]). Под термином "линейный размер" следует понимать характерное расстояние, например, между:
противоположными точками пересечения отрезка прямой, проходящей через центр масс сечения микросхемы или корпуса микросхемы с линией внешней границы корпуса;
противоположными точками на внешних границах противоположных сторон в сечении корпуса. Термин "линейный размер" используется в данном контексте на протяжении всего описания, включая формулу изобретения. Наиболее близким по технической сущности прототипом к предлагаемому устройству является микросхема, содержащая линию внешней границы поперечного сечения корпуса (RU 2106040 С1, 27.02.98). Недостатками прототипа являются:
во-первых, отсутствие конструктивно заложенного изменения линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса, что не позволяет обеспечить максимальную компоновку микросхемы в составе изделия с ограниченным объемом;
во-вторых, при утилизации микросхемы, в том числе в составе изделия, требуется большая работа по деформации корпуса микросхемы в поперечном направлении в связи с большим значением момента сопротивления сечения корпуса сжатию (деформации, разрушению). В процессе утилизации могут происходить операции разделения корпуса микросхемы на элементы, в связи с чем форма корпуса прототипа не оптимальна с точки зрения уменьшения работы по утилизации микросхемы. Сущность изобретения. Задачей изобретения является создание микросхемы с конструктивно заложенным изменением линейного размера внешней границы в поперечном сечении корпуса, улучшенными монтажными и утилизационными свойствами. Под термином "утилизационные свойства" следует понимать конструктивную приспособленность микросхемы, например, корпуса к разрушению в процессе утилизации. Термин "утилизационные свойства" используется в данном контексте на протяжении всего описания изобретения. Под термином "монтажные свойства" следует понимать безошибочность расположения, надежность крепления и повышение, при необходимости плотности компоновки микросхемы в схеме совместно с другими деталями. Термин "монтажные свойства" используется в данном контексте на протяжении всего описания изобретения. Указанный технический результат изобретения достигается тем, что микросхема содержит линию внешней границы поперечного сечения корпуса, и по крайней мере в одном из поперечных сечений по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента или комбинации фрагментов косого конического сечения прямого кругового конуса. Под термином "косое коническое сечение" следует понимать линию, которую образует поверхность прямого кругового конуса и секущая плоскость, не проходящая через его вершину при условии, что угол между секущей плоскостью и осью прямого кругового конуса отличен от прямого угла [2]. Термин "косое коническое сечение" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения. При этом обеспечивается конструктивно заложенное изменение линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса. При размещении микросхемы в изделии обеспечивается более плотная компоновка и повышенная надежность крепления деталей в ограниченном объеме, безошибочный монтаж микросхемы в схеме относительно других деталей. В процессе утилизации микросхемы производится гораздо меньшая работа по разрушению корпуса при сжатии. Микросхема может быть выполнена в поперечном сечении с переменным линейным размером, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме. Микросхема может быть выполнена с линейным размером в поперечном сечении многократно возрастающим, убывающим, изменяющимся периодически, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме. Микросхема может быть выполнена с вогнутой или выпуклой частью линии границы поперечного сечения корпуса относительно центра масс сечения, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме. Под термином "центр масс сечения" следует понимать точку в плоскости сечения, относительно которой элементарные массы сечения взаимно уравновешены, т.е. выполняется условие уравнения:
где S - площадь поперечного сечения;
Xi - расстояние от i-й элементарной массы до центра масс сечения;
i - плотность материала i- й элементарной массы;
1ds - элементарный объем i-й массы. Термин "центр масс сечения" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения. Микросхема может быть выполнена со ступенчатой частью длины линии границы поперечного сечения корпуса, причем ступени могут быть выполнены как с увеличением линейного размера сечения при переходе от одной ступени к другой, так и с уменьшением, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме. Микросхема может быть выполнена по крайней мере с одной выемкой и/или одним выступом на границе поперечного сечения корпуса, что позволит повысить безошибочность монтажа в составе изделия. Микросхема может быть выполнена с частью длины границы поперечного сечения в виде фрагментов и/или комбинаций фрагментов: многоугольника, конического сечения прямого кругового конуса, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме. Под термином "коническое сечение" следует понимать линию, которую образует поверхность прямого кругового конуса и секущая плоскость, не проходящая через его вершину при условии, что угол между секущей плоскостью и осью прямого кругового конуса прямой [2]. Термин "коническое сечение" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения. Микросхема может быть выполнена с разрывом толщины в поперечном сечении корпуса, причем разрыв может быть многократным и периодическим, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме за счет расположения токовыводов в требуемом месте на корпусе. Микросхема может быть выполнена с многослойным корпусом, причем корпус или любой из его слоев имеет в сечении переменную толщину, которая многократно возрастает и убывает, а также меняется периодически, что позволит улучшить утилизационные свойства микросхемы. Корпус микросхемы или любой из его слоев может быть выполнен из металла с пределом прочности от 80 МПа до 2050 МПа, или из композиционного материала (волокнистых материалов, слоистых композиций, дисперсно-упрочненных материалов) с пределом прочности от 10 МПа до 1800 МПа, или из пластмассы, керамики, металлокерамики, стекла, резины с пределом прочности от 0.1 МПа до 2000 МПа, что позволит применять его в различных климатических условиях, а также в агрессивных средах при повышенных (пониженных) температурах. Микросхема может быть выполнена по крайней мере с одним слоем изолятора, расположенным между корпусом и внешней границей рабочей секции, причем в качестве изолятора применяется вакуум, газ, жидкость, твердое вещество или резина, при этом электрическая прочность изолятора лежит в пределах от 1 КВ/м до 300 МВ/м, что обеспечит работоспособность микросхемы в составе оборудования с диапазоне рабочих напряжений от единиц до сотен и тысяч вольт, а также в различных условиях эксплуатации. Под термином "рабочая секция" следует понимать объем, в котором находится рабочий элемент микросхемы. Термин "рабочая секция" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения. Микросхема может быть выполнена с изолятором, толщина которого в поперечном сечении меняется, многократно возрастая и убывая, или занимает все пространство сечения внутри корпуса, что позволит обеспечить в заданных областях корпуса диода повышенную изоляцию. Микросхема может быть выполнена с полостями между слоями корпуса и/или изолятора, что позволит уменьшить работу по разрушению микросхемы при утилизации путем ослабления сил сцепления между слоями. Проведенный анализ уровня техники показал, что заявленная совокупность существенных признаков, изложенных в формуле изобретения, не известна. Это позволяет сделать вывод о ее соответствии критерию "новизна. Для проверки соответствия заявленного изобретения критерию "изобретательский уровень проведен дополнительный поиск известных технических решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного технического решения. Установлено, что заявленное техническое решение не следует явным образом из известного уровня техники. Следовательно, заявленное изобретение соответствует критерию "изобретательский уровень. Сведения, подтверждапщие возможность осуществления изобретения. Сущность изобретения и возможность его практической реализации поясняется чертежами, где на фиг.1 изображено поперечное сечение микросхемы, содержащее линию внешней границы 1, и по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента косого конического сечения прямого кругового конуса 2. На фиг.1 изображено поперечное сечение микросхемы с переменным линейным размером 3. Линейный размер обозначен отрезком прямой между противоположными точками 4 и 5 на корпусе микросхемы, проходящей через центр масс сечения 6. На границе сечения выполнены выемки 10 и выступы 11. На фиг. 2 изображено поперечное сечение, линейный размер которого меняется, многократно и периодически возрастая и убывая. Часть линии границы сечения относительно центра масс сечения 6 выполнена вогнутой 7 и выпуклой 8. Часть линии границы выполнена из группы, содержащей в сечении фрагменты или комбинации фрагментов: окружности 12, квадрата 13, прямоугольника 14, ромба 15, трапеции 16, треугольника 17, эллипса 18. На фиг. 3 изображено поперечное сечение со ступенчатой 9 линией границы. При этом корпус имеет переменную толщину, которая меняется, многократно возрастая и убывая (периодически). В центральной части сечения расположена рабочая секция 19 диода 23. Между границей рабочей секции и корпусом расположен изолятор 20. Изолятор имеет участки с переменной толщиной. Корпус и изолятор в сечении имеют разрывы 22 для выводов 24. На фиг. 4 изображено поперечное сечение микросхемы, в котором все пространство сечения внутри корпуса занято многослойным изолятором. Между слоями изолятора, между изолятором и корпусом располагаются полости 21. Таким образом, применение данной конструкции микросхемы позволит достичь задачи изобретения. Литература
1. Феодосьев В.И. Сопротивление материалов. - М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1979. - 560 с. 2. Математический энциклопедический словарь. М.: "Советская энциклопедия", 1988 г., 847 с.
Класс H01L23/04 отличающиеся формой
корпус интегральной схемы - патент 2457575 (27.07.2012) | |
корпус модуля и силовой полупроводниковый модуль - патент 2298857 (10.05.2007) | |
конструкция полупроводникового прибора - патент 2231863 (27.06.2004) | |
корпус-крышка для гибридной интегральной схемы - патент 2212731 (20.09.2003) | |
стабилитрон - патент 2159973 (27.11.2000) | |
диод - патент 2157019 (27.09.2000) | |
транзистор - патент 2156011 (10.09.2000) |