композитный материал акустического демпфера
Классы МПК: | H03H9/12 для схем с взаимодействием оптических и акустических волн H03H9/30 схемы задержки H03H9/64 с использованием поверхностных акустических волн |
Автор(ы): | Голицын В.Ю., Николаев О.В. |
Патентообладатель(и): | Воронежский научно-исследовательский институт связи |
Приоритеты: |
подача заявки:
1999-03-30 публикация патента:
20.11.2000 |
Предлагаемый композитный материал относится к радиоэлектронным материалам и может быть использован в различных устройствах на поверхностных акустических волнах. Композитный материал акустического демпфера содержит в качестве эпоксидной смолы эпоксидную низкомолекулярную диановую смолу с мол. м. не более 400, в качестве отвердителя - низкомолекулярный алифатический полиамид с мол. м. не более 1000, в качестве наполнителя - пылевидную двуокись кремния, причем максимум гранулометрического распределения зерен двуокиси кремния по размерам лежит между /4 и /2, где - длина поверхностностной акустической волны. Заявляемый композитный материал имеет следующее соотношение компонентов, вес. ч.: эпоксидная низкомолекулярная диановая смола 1,8 - 2,2; низкомолекулярный линейный алифатический полиамид 6,5 - 7,5; двуокись кремния 1 - 1,5. Техническим результатом является упрощение процесса приготовления композитного материала и повышение уровня подавления ложных сигналов. 1 ил., 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2
Формула изобретения
Композитный материал акустического демпфера, содержащий эпоксидную смолу, отвердитель и минеральный наполнитель, отличающийся тем, что в качестве эпоксидной смолы используется низкомолекулярная диановая смола с мол.м. не более 400, в качестве отвердителя - низкомолекулярный линейный алифатический полиамид с мол.м. не более 1000, в качестве наполнителя - пылевидная двуокись кремния (SiO2), причем максимум гранулометрического распределения зерен двуокиси кремния по размерам лежит между /4 и /2, где - длина поверхностной акустической волны (ПАВ), при следующем содержании компонентов, вес.ч.:Эпоксидная низкомолекулярная диановая смола - 1,8 - 2,2
Низкомолекулярный линейный алифатический полиамид - 6,5 - 7,5
Двуокись кремния (SiO2) - 1 - 1,5
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к радиоэлектронным материалам и может быть использовано в различных устройствах на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Известен "Элемент для передачи упругих поверхностных волн", H 03 H 9/25, заяв. N 58-38971, Японии, где в качестве звукопоглощающего вещества используется смесь природной смолы с наполнителями из LiTaO3, LiNbO3, Gd3Ga5O12Известна "Линия задержки на поверхностных акустических волнах", где в качестве наполнителя для акустопоглощающего материала использован оксид гадолиния (III), а.с. 1159155, H 03 H 9/42, SU
Недостатком известных аналогов является высокая стоимость наполнителей, недостаточная эластичность синтетической смолы в интервале рабочих температур (от -60 до +80)oC, а для природных смол характерно непостоянство состава и, как следствие, возможность выделения летучих компонентов при термоциклировании. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому материалу является композитный материал по а.с. N 1043816, H 03 H 9/12, СССР, принятый за прототип. Композитный материал, принятый за прототип, содержит эпоксидную смолу, отвердитель, минеральный наполнитель (нитрид бора) и полидиенуретановый каучук при следующем соотношении компонентов, вес.ч
Эпоксидная смола - 100 - 110
Отвердитель - 30 -40
Минеральный наполнитель (нитрид бора) - 75 - 125
Полидиенуретановый каучук - 50 - 200
Недостатком материала-прототипа является весьма трудоемкая операция получения гомогенной смеси из вязкой эпоксидной смолы и полидиенуретанового каучука. Кроме того, уровень подавления ложных сигналов данного композитного материала в интервале рабочих температур является не достаточно высоким. Для устранения указанного недостатка в композиционном материале, содержащем эпоксидную смолу, отвердитель, минеральный наполнитель, в качестве эпоксидной смолы используется низкомолекулярная диановая смола с молекулярной массой не более 400, в качестве отвердителя - низкомолекулярные алифатические полиамиды (полигексаметиленсебацинамид, полидодеканамид и др.), в качестве наполнителя - пылевидная двуокись кремния (SiO2), причем максимум гранулометрического распределения зерен SiO2 по размерам лежит между /4 и /2, где - длина поверхностной акустической волны (ПАВ). Заявляемый композитный материал имеет следующее соотношение компонентов, вес. ч.:
Эпоксидная низкомолекулярная диановая смола - 1,8-2,2
Низкомолекулярный линейный алифатический полиамид - 6,5 - 7,5
Двуокись кремния (SiO2) - 1 - 1,5
Принятые меры позволяют упростить процесс приготовления композитного материала, а также повысить уровень подавления ложных сигналов. Предлагаемый композитный материал акустического демпфера получают путем механического смешения компонентов. Двуокись кремния получают путем помола в шаровой мельнице с последующим просеиванием через соответствующий набор сит. Сравнение акустопоглощающих свойств материалов (прототипа и предлагаемого) проводилось на пьезоэлектрическом звукопроводе (см. чертеж), между встречно-штыревыми преобразователями 1 (ВШП) которого наносился акустопоглощающий материал 2. Сигнал подавался на один ВШП и снимался с другого и измерялся уровень подавления прошедшего сигнала. Результаты измерений приведены в таблице. Из приведенных данных видно, что предлагаемый композитный материал наряду с более простой технологией приготовления обладает и лучшими акустопоглощающими свойствами.
Класс H03H9/12 для схем с взаимодействием оптических и акустических волн
линия задержки свч сигнала - патент 2286006 (20.10.2006) | |
устройство задержки импульсов - патент 2269866 (10.02.2006) | |
активная пьезоэлектрическая линия задержки - патент 2157045 (27.09.2000) | |
способ задержки импульсных радиосигналов - патент 2146413 (10.03.2000) | |
цифровая регулируемая линия задержки - патент 2108659 (10.04.1998) | |
регулируемое акустоэлектронное устройство - патент 2101855 (10.01.1998) | |
регулируемое акустоэлектронное устройство - патент 2101853 (10.01.1998) | |
термостабилизированная линия задержки - патент 2033689 (20.04.1995) | |
цифровая регулируемая линия задежки - патент 2011290 (15.04.1994) |
Класс H03H9/64 с использованием поверхностных акустических волн