микронагреватель

Классы МПК:H01L23/34 приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Приоритеты:
подача заявки:
1998-09-14
публикация патента:

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, более конкретно - к микроприборам, в которых требуется поддержание заданной, повышенной по сравнению со средой температуры. Микронагреватель содержит резистор, токовводы и металлические контактные площадки. Резистор и токовводы выполнены из монокристаллической кремниевой фольги. Микронагреватель имеет форму полоски переменного сечения, широкая часть которой является резистором, а узкая - токовводами, в которых сформированы области низкоомного кремния и имеется силицидное покрытие. При этом окончания токовводов выполняются в виде площадок с сформированными на них металлическими контактами. В результате получен микронагреватель с малой инертностью, большим диапазоном рабочих температур, экстремальным характером зависимости сопротивления от температуры. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

Микронагреватель, содержащий резистор, токовводы и металлические контактные площадки, отличающийся тем, что резистор и токовводы выполнены из монокристаллической кремниевой фольги, причем микронагреватель имеет форму полоски переменного сечения, широкая часть которой является резистором, а узкая - токовводами, в которых сформированы области низкоомного кремния и имеется силицидное покрытие, причем окончания токовводов выполняются в виде площадок с сформированными на них металлическими контактами.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, более конкретно - к микроприборам, в которых требуется поддержание заданной, повышенной по сравнению со средой температуре. Может быть использовано для нагрева до рабочей температуры каталитических слоев газоанализаторов, в катарометрах хроматографов, при термостатировании микросхем, кварцевых резонаторов, в расходомерах жидкостей и газов, уровнемерах, вакууммметрах. Конструкция монокристаллического кремниевого терморезистивного сенсора (патент РФ N 2058604, бюллетень изобретений N 11, 1996), изготавливаемого по технологии, близкой к КСДИ (кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией), принята в качестве аналога.

Известны микронагреватели на основе металлических сплавов типа нихрома (Зайцев Ю. В. , Громов В.С., Григораш Т.С. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи. Радио и связь, 1985). В данном случае сплав наносится на пластину кремния, пассивированного пленкой SiO2), далее с помощью фотолитографии производится формирование токопроводящих дорожек микронагревателя и металлизированных контактов к нему. Такая конструкция выбрана нами за ближайший прототип.

Недостатки этого нагревателя состоят в следующем.

1. Ограниченная предельная рабочая температура - 200-250oC. Выше нее тонкопленочный резистор утрачивает стабильность вследствие процессов рекристаллизации, внутреннего окисления, термической усталости, возникающей из-за большой разницы температурных коэффициентов линейного расширения пленки и подложки.

2. Для термостатирования необходим прибор, измеряющий температуру и выдающий сигнал в схему ее регулирования. Однако вмонтировать такой прибор - термопару или терморезистор в микронагреватель сложно, т.к. по размерам он вполне сопоставим с самим нагревателем и с объектом нагрева, поэтому вносит искажения в тепловое поле и в результате измерений.

3. Тонкопленочная конструкция нагревателя невозможна без подложки, толщина и масса которой в сотни раз больше чем собственно нагреватель. Это резко увеличивает габариты, инерционность и энергопотребление прибора в целом.

4. Неизбежно существующая металлургическая граница токоввод - резистивный слой, нагретая до рабочей температуры, является одним из основных источников нестабильности номинального сопротивления микронагревателя.

5. При низком сопротивлении требуется питание большим током, что в микронагревателе приводит к большим потерям тепла через тоководы, сечение которых должно намного превосходить сечение резистивной шины. Приходится увеличивать мощность, бесполезное рассеяние которой приводит к делокализации нагрева.

Задачей настоящего изобретения является создание термостатированного микронагревателя на фиксированную температуру в диапазоне 150-350oC, для поддержания постоянства которой при изменении внешних условий не требуется ее измерения. При этом нагреватель должен обладать минимальными габаритами и тепловой инерционностью, временной стабильностью поддержания фиксированной температуре на уровне микронагреватель, патент № 21709920,2oC.

Поставленная задача решается тем, что микронагреватель, содержащий резистор, токовводы и металлические контактные площадки, отличается тем, что токовводы выполнены из монокристаллической кремниевой фольги, микронагреватель имеет форму полоски переменного сечения, широкая часть которой является резистором, а узкая токовводами, в которых сформированы области низкоомного кремния и имеется силицидное покрытие, причем окончания токовводов выполняются в виде площадок для формирования на них металлических контактов. Более точно размеры выбираются в зависимости от условий эксплуатации, так, чтобы теплосток через токовводы был пренебрежимо мал.

Новизна заявляемого изобретения заключается в том, что впервые используется специфическая особенность монокристаллических полупроводников, а именно колоколообразный вид характеристики микронагреватель, патент № 2170992-Т (удельного сопротивления от температуры) (фиг. 1). Именно это свойство микронагреватель, патент № 2170992-Т характеристики, не присущее никаким другим резистивным материалам, позволяет термостатировать нагреватель, не прибегая к измерению его температуры, что отличает его от прототипа. Реализовать указанную выше особенность микронагреватель, патент № 2170992-Т характеристики полупроводникового кремния можно лишь в том случае, если конструкция микронагревателя является самонесущей, т. е. не содержит подложки, а токовводы не служат одновременно теплостоками. В противном случае неизбежна неравномерность нагрева кремния по площади, что ведет к неопределенности термостатируемой температуры.

На фиг. 1 графически представлена характеристика микронагреватель, патент № 2170992 -Т;

на фиг. 2 - конструкция микронагревателя, где:

1 - резистор;

2 - токовводы;

3 - металлические контактные площадки;

4 - пленка силицида.

В предлагаемой конструкции резистор 1 (см. фиг. 2) свободно подвешивается на двух токовводах 2, выполненных из монокристаллической кремниевой фольги, отделяющих нагреватель от металлических контактных площадок 3. Причем для уменьшения сопротивления выводов и создания омического контакта в токовводах сформированы области низкоомного кремния, которые дополнительно покрываются пленкой силицида 4.

Задача АСУ сводится к поддержанию максимального электрического сопротивления микронагревателя. Основу схемы составляет узел вычисления знака дифференциального сопротивления микронагревателя, который вырабатывает управляющий сигнал для источника питания. При положительном знаке дифференциального сопротивления вырабатывается сигнал, приводящий к уменьшению питающего напряжения, при отрицательном - к увеличению.

Экстремумы микронагреватель, патент № 2170992-Т кривых соответствуют переходу от примесной электропроводности к собственной и смещаются в область высоких температур по мере увеличения концентрации легирующей примеси "n": кривая 1 - Тэксстрем = 180oC при n = 1микронагреватель, патент № 21709921015 см-3; 2 - 250oC и 1микронагреватель, патент № 21709921016 см-3; 3 - 400oC и 1микронагреватель, патент № 21709921017 см-3. Колоколообразная форма микронагреватель, патент № 2170992-Т характеристики в кремнии сохраняется до 500oC (n = 1микронагреватель, патент № 21709921019 см-3), что является верхним пределом термостата. Нижний предел температуры нагревателя определяется только степенью чистоты исходного кремния и процесса изготовления.

Следует отметить, что термостатируемый объект может иметь и T<T в зависимости от размеров нагревателя и интенсивности передачи тепла от него к объекту нагрева.

Устройство может применяться в двух вариантах.

1. Нагреватель - термостат. Используется свойство микронагревателя точно поддерживать заданную температуру при изменении внешних условий, т.е. обеспечивать термостатирование объекта при условии, что его температура будет превышать температуру окружающей среды. Точность поддержания температуры микронагреватель, патент № 2170992 0,2oC, мощность от 1 мВт и выше.

2. Нагреватель - измерительный прибор. Используется зависимость мощности, необходимой для питания термостатированного нагревателя при, изменении внешних условий - состава среды, скорости обтекания, давления.

Класс H01L23/34 приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации

охлаждающее устройство, использующее внутренние искусственные струи -  патент 2525826 (20.08.2014)
микронагреватель -  патент 2522751 (20.07.2014)
адаптивный охлаждающий блок мощного полупроводникового устройства -  патент 2518495 (10.06.2014)
тепловой диод -  патент 2511948 (10.04.2014)
каскадное светоизлучающее термоэлектрическое устройство -  патент 2507613 (20.02.2014)
модуль полупроводникового преобразователя электроэнергии -  патент 2504864 (20.01.2014)
устройство для интенсивного охлаждения силовых полупроводниковых приборов -  патент 2498451 (10.11.2013)
устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов -  патент 2497232 (27.10.2013)
теплопроводный установочный элемент для крепления печатной платы к радиатору -  патент 2495507 (10.10.2013)
гибридная интегральная схема свч -  патент 2489770 (10.08.2013)
Наверх