оптический логический элемент и оптическое логическое устройство
Классы МПК: | G02F3/02 бистабильные оптические устройства |
Автор(ы): | ГУДЕСЕН Ханс Гуде (NO), ЛЕЙСТАД Гейрр И. (NO), НОРДАЛЬ Пер-Эрик (NO) |
Патентообладатель(и): | ОПТИКОМ АСА (NO) |
Приоритеты: |
подача заявки:
1997-06-12 публикация патента:
27.08.2001 |
Оптический логический элемент включает оптический материальный носитель памяти 1, который может переходить из одного физического или химического состояния во второе физическое или химическое состояние. Материальный носитель памяти 1 представлен в или на слоистой структуре. Активатор 2 генерирует магнитное, электромагнитное или электрическое поле или прикладывает энергию к материальному носителю памяти 1. Оптический детектор для детектирования оптического ответа материального носителя памяти, обусловленного физическим или химическим состоянием материального носителя памяти, представлен в или рядом с существенно слоистой структурой, причем оптический логический элемент (ОЛЭ), таким образом, составляет интегрированный узел. Оптическое логическое устройство (ОЛУ) включает по меньшей мере одну структуру (S), составленную из оптических логических элементов. Технический результат: упрощение и высокая скорость передачи. 2 с. и 29 з.п. ф-лы, 19 ил., 4 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14, Рисунок 15, Рисунок 16, Рисунок 17, Рисунок 18, Рисунок 19, Рисунок 20, Рисунок 21, Рисунок 22, Рисунок 23, Рисунок 24, Рисунок 25, Рисунок 26
Формула изобретения
1. Оптический логический элемент (ОЛЭ), в частности оптический логический элемент, имеющий несколько устойчивых состояний, и даже более конкретно непосредственно адресуемый оптический логический элемент, включающий оптический материальный носитель памяти (1), в котором под влиянием приложенного магнитного, электромагнитного или электрического поля или подведенной энергии материальный носитель памяти (1) может переходить из одного физического или химического состояния во второе физическое или химическое состояние, где физическому или химическому состоянию назначено определенное логическое значение, и где изменение в физическом или химическом состоянии логического элемента вызывает изменение в логическом значении и производится путем обращения и адресации логического элемента магнитным способом, электромагнитно, электрически или оптически для записи, чтения, сохранения, стирания и коммутации назначенного логического значения, отличающийся тем, что в оптическом логическом элементе, выполненном непосредственно адресуемым без использования активных оптических элементов, материальный носитель памяти (1) предусмотрен в или на существенно слоистой структуре, активатор (2), который генерирует магнитное, электромагнитное или электрическое поле или прикладывает энергию к материальному носителю памяти (1), предусмотрен в или рядом с существенно слоистой структурой и интегрируется с ней, оптический детектор (3) для детектирования оптического ответа материального носителя памяти, обусловленного физическим или химическим состоянием материального носителя памяти, предусмотрен в или рядом с существенно слоистой структурой и интегрируется с ней, причем оптический логический элемент (ОЛЭ), таким образом, составлен как интегрированный узел, состоящий из материального носителя памяти (1), активатора (2) и детектора (3). 2. Оптический логический элемент (ОЛЭ) по п.1, отличающийся тем, что материальный носитель памяти (1) представлен в форме первого слоя (л1), активатор (2) представлен в форме второго слоя (л2), прилегающего к первому слою (л1), и интегрированного с ним, или представлен интегрированным в первом слое (л1), и оптический детектор (3), который детектирует состояние в материальном носителе памяти (1), представлен в форме третьего слоя (л3), прилегающего к первому. 3. Оптический логический элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что под влиянием магнитного, электромагнитного или электрического поля или приложенной энергии материальный носитель памяти (1) может переходить из одного состояния во второе и из второго состояния возвращаться в первое состояние. 4. Оптический логический элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что под влиянием магнитного, электромагнитного или электрического поля или приложенной энергии материальный носитель памяти (1) может переходить из одного состояния во второе, постоянно стабильное состояние. 5. Оптический логический элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что оптический материальный носитель памяти (1) выполнен из захватывающего электроны материала. 6. Оптический логический элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что оптический материальный носитель памяти (1) выполнен из флуоресцентного вещества. 7. Оптический логический элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что оптический материальный носитель памяти (1) выполнен из конформационно-реагирующего вещества. 8. Оптический логический элемент по п.2, отличающийся тем, что каждый слой (л1, л2, л3) содержит основной материал. 9. Оптический логический элемент по п.8, отличающийся тем, что основной материал является оптически прозрачным. 10. Оптический логический элемент по п.8, отличающийся тем, что основной материал состоит из одного или более полимерных материалов. 11. Оптический логический элемент по п.10, отличающийся тем, что во втором (л2) и третьем (л3) слоях использованы более чем один полимерный материал. 12. Оптический логический элемент по п.11, отличающийся тем, что по меньшей мере одним из полимерных материалов во втором (л2) и/или третьем (л3) слое является электропроводящий полимерный материал. 13. Оптический логический элемент по п.8, отличающийся тем, что материальный носитель памяти (1) предусмотрен на или включен в основной материал в первом слое (л1). 14. Оптический логический элемент по п.8, отличающийся тем, что активатор (2) состоит из одного или более непосредственно или опосредовано испускающих излучение устройств (21, ..., 2n), причем испускающие излучение устройства предусмотрены на или включены в основной материал второго слоя (л2). 15. Оптический логический элемент по п.14, отличающийся тем, что испускающее излучение устройство (2) имеет электрические доступ и обращение. 16. Оптический логический элемент по п.15, отличающийся тем, что испускающее излучение устройство (2) представляет собой светоизлучающий диод. 17. Оптический логический элемент по п.16, отличающийся тем, что светоизлучающий диод (2) является полимерным диодом. 18. Оптический логический элемент по п.15, отличающийся тем, что испускающее излучение устройство (2) представляет собой полупроводниковый лазер. 19. Оптический логический элемент по п.15, отличающийся тем, что испускающее излучение устройство (2) выполнено с возможностью настройки по частоте, причем настройка частоты производится в связи с электрическим обращением. 20. Оптический логический элемент по п.14, отличающийся тем, что в нем предусмотрено более чем одно испускающее излучение устройство (2) и испускающие излучение устройства (21, ...,2n) испускают свет различных, выбранных заранее частот. 21. Оптический логический элемент по п.14, отличающийся тем, что испускающее излучение устройство (2) является опосредовано испускающим излучение устройством и опосредовано испускающее излучение устройство (2) установлено так, чтобы быть активизированным внешним источником излучения (2"). 22. Оптический логический элемент по п.2, отличающийся тем, что оптический материальный носитель памяти (1) интегрирован с активатором (2) в общую физическую структуру, так что первый (л1) и второй (л2) слои объединены в общий слой (лc). 23. Оптический логический элемент по п.22, отличающийся тем, что активатор (2) установлен так, чтобы быть разрушенным при приложении энергии, после чего он сам образует материальный носитель памяти в постоянном стабильном состоянии, или, будучи интегрированным с материальным носителем памяти (1), оставляет его в том же самом постоянном стабильном состоянии. 24. Оптический логический элемент по п.2, отличающийся тем, что второй слой (л2) и третий слой (л3) предусмотрены на противоположных сторонах первого слоя (л1) и прилегают к нему. 25. Оптический логический элемент по п.1, отличающийся тем, что оптический детектор (3) является оптическим детектором, который имеет электрические доступ и обращение. 26. Оптический логический элемент по п.15 или 25, отличающийся тем, что для электрического доступа и обращения он снабжен электродами (4, 4") и электрическими проводниками (5, 5"), интегрированными во второй (л2) и третий (л3) слои. 27. Оптический логический элемент по п.26, отличающийся тем, что электроды (4, 4") и электрические проводники (5, 5") основаны на электропроводящем полимерном материале. 28. Оптический логический элемент по п.2, отличающийся тем, что прилегающим к первому слою (л1) или интегрированным в нем предусмотрен еще один слой (л4) для генерации электрического поля, причем сгенерированное электрическое поле используется, чтобы влиять на отклик оптического материального носителя памяти (1) в интервале времени, интервале частоты или интервале напряженности соответственно. 29. Оптический логический элемент по п.28, отличающийся тем, что еще один слой (л4) включает один или более электропроводящий полимерный материал. 30. Оптическое логическое устройство (ОЛУ), особенно для сохранения данных или выполнения логических и арифметических операций, которое включает ряд оптических логических элементов (ОЛЭ), причем оптические логические элементы (ОЛЭ) являются оптическими логическими элементами, имеющими несколько устойчивых состояний, а также являются непосредственно адресуемыми оптическими логическими элементами, включающими оптический материальный носитель памяти (1), в которых под влиянием приложенного магнитного, электромагнитного или электрического поля или подведенной энергии материальный носитель памяти (1) может переходить из одного физического или химического состояния во второе физическое или химическое состояние, где физическому или химическому состоянию назначено определенное логическое значение и где изменение в физическом или химическом состоянии логического элемента вызывает изменение в логическом значении и производится путем обращения и адресации логического элемента магнитным способом, электромагнитно, электрически или оптически для записи, чтения, сохранения, стирания или коммутации назначенного логического значения, отличающееся тем, что в оптических логических элементах, выполненных непосредственно адресуемыми без использования активных оптических элементов, материальный носитель памяти (1) предусмотрен в или на существенно слоистой структуре, активатор (2), который генерирует магнитное, электромагнитное или электрическое поле или прикладывает энергию к материальному носителю памяти (1), предусмотрен в или рядом с существенно слоистой структурой и интегрируется с ней, оптический детектор (3) для детектирования оптического ответа материального носителя памяти, обусловленного физическим или химическим состоянием материального носителя памяти, предусмотрен в или рядом с существенно слоистой структурой и интегрируется с ней, причем оптический логический элемент (ОЛЭ), таким образом, составлен как интегрированный узел, состоящий из материального носителя памяти (1), активатора (2) и детектора (3), при этом устройство (ОЛУ) включает по меньшей мере одну структуру (S), образованную оптическими логическими элементами, оптический материальный носитель памяти (1), активатор (2) и детектор (3) в каждом оптическом логическом элементе (ОЛЭ) в структуре (S) объединены и связаны с материальным носителем памяти, активатором и детектором в окружающих логических элементах (ОЛЭ) в структуре (S), причем структура (S), таким образом, образует тело с плоской или искривленной поверхностью, причем каждый оптический логический элемент (ОЛЭ) в структуре (S) имеет однозначное соответствие между материальным носителем памяти (1) и активатором (2) и соответствие между материальным носителем памяти (1) и оптическим детектором (3) для однозначного детектирования физического или химического состояния в материальном носителе памяти, таким образом давая возможность обращаться к каждому оптическому логическому элементу (ОЛЭ) и адресовать каждый оптический элемент (ОЛЭ) в структуре (S) индивидуально. 31. Оптическое логическое устройство по п.30, отличающееся тем, что в каждом логическом элементе (ОЛЭ) материальный носитель памяти (1) представлен в форме первого слоя (л1), активатор (2) представлен в форме второго слоя (л2), прилегающего к первому слою и интегрированного с ним, или представлен интегрированным в первый слой (л1), и оптический детектор (3), который детектирует состояние материального носителя памяти (1), представлен в форме третьего слоя (л3), прилегающего к первому слою (л1) и интегрированного с ним, причем оптический логический элемент (ОЛЭ), таким образом, образует единый интегрированный узел, состоящий из, по меньшей мере, трех или двух слоев соответственно (л1, л2, л3; л1, л3) и каждый из слоев (л1, л2, л3) объединен и связан с соответствующими слоями (л1, л2, л3) в окружающих логических элементах (ОЛЭ), причем структура, таким образом, образует тело с плоской или искривленной поверхностью из связанных и взаимно прилегающих соответствующих слоев (л1, л2, л3; л1, л2).Описание изобретения к патенту
Изобретение касается оптического логического элемента, конкретно оптического логического элемента, имеющего несколько устойчивых состояний, и даже более конкретно непосредственно адресуемого оптического логического элемента, включающего оптический материальный носитель памяти, в котором, под влиянием приложенного магнитного, электромагнитного или электрического поля или подведенной энергии, материальный носитель памяти может переходить из одного физического или химического состояния во второе физическое или химическое состояние, где физическому или химическому состоянию назначено определенное логическое значение и где изменение в физическом или химическом состоянии логического элемента вызывает изменение в логическом значении и производится посредством обращения и адресации логического элемента магнитным способом, электромагнитно, электрически или оптически для записи, чтения, сохранения, стирания и коммутации назначенного логического значения. Изобретение также касается оптического логического устройства, особенно для сохранения данных или выполнения логических и арифметических операций, где устройство включает множество оптических логических элементов, особенно в котором оптические логические элементы являются оптическими логическими элементами, имеющими несколько устойчивых состояний, и даже более особенно - непосредственно адресуемыми оптическими логическими элементами, включающими оптический материальный носитель памяти, в котором, под влиянием приложенного магнитного, электромагнитного или электрического поля или подведенной энергии, материальный носитель памяти может переходить из одного физического или химического состояния во второе физическое или химическое состояние, где физическому или химическому состоянию назначено определенное логическое значение и где изменение в физическом или химическом состоянии логического элемента вызывает изменение в логическом значении и производится путем обращения и адресации логического элемента магнитным способом, электромагнитно, электрически или оптически для записи, чтения, сохранения, стирания и коммутации назначенного логического значения. Вообще изобретение касается нового класса оптикоэлектронных устройств, которые могут сохранять информацию и/или выполнять логические функции посредством оптического материального носителя памяти, который содержится в индивидуально адресуемых ячейках или элементах. Каждый элемент является независимой единицей и может быть объединен с подобными элементами, образуя большие агрегаты, обычно в форме плоских листов или слоев. Из последних могут быть сформированы терциарные структуры, например, при помощи расположения стопкой, для того чтобы сформировать оптические блоки памяти данных и оптические логические устройства с высоким отношением эффективности к объему. Современные цифровые оптические технологии хранения данных были разработаны в ответ на постоянно расширяющиеся потребности в емкостях для хранения данных в компактном формате, и они в высшей степени успешно применялись в решениях, которые объединяют высокую поверхностную плотность данных с заменимостью и/или портативностью. Определяющим шагом было использование малых, эффективных полупроводниковых лазеров, испускающих когерентный свет, который может быть сфокусирован почти что на площади, близкой к дифракционному пределу, таким образом обеспечивая, соответственно, высокую четкость и компактное распределение битов информации в среде, несущей данные. В реальных системах стоимость и пространственные ограничения логически привели к проекту, в котором лазерный луч сканирует по поверхности вращающегося диска, принимая последовательный поток битов, следуя оптическому направляющему треку под сервоуправлением. Системы, основанные на этом универсальном проекте теперь были усовершенствованы до слоя, где плотность данных близка к теоретическому пределу, и дальнейшие усовершенствования, для того чтобы удовлетворить будущие запросы, не могут быть выполнены при помощи последовательных усовершенствований, как в прошлом. Одно очевидное ограничение - это использование двумерного формата хранения данных. Даже при том, что поверхностная плотность данных высока, физические позиции битов ограничены плоской поверхностью на жесткой, самоподдерживающейся поверхности высокого механического качества, что ведет к относительно невпечатляющей объемной плотности данных. Недавно были опубликованы технические решения, в которых данные сохраняются в нескольких плоскостях на различной глубине под поверхностью диска. Различение между различными слоями возможно из-за очень малой глубины области, соответствующей точному фокусу, и этот принцип, как ожидается, будет развит, чтобы охватить до десяти плоскостей или слоев (см., например, Е.К. (подпись), "Stacking the decks for optical data storage". Optics and Photonics News, August 1994, p. 39). Оказывается, однако, что выгоды, полученные от использования многих слоев или уровней, частично нейтрализованы проблемами стоимости, также как и техническими компромиссами между числом слоев с одной стороны и достижимой поверхностной плотностью данных в каждом слое с другой стороны. Даже при выполнении в соответствии с требованиями, предъявляемыми далее, такие технологические решения испытывают недостаток потенциала устойчивого долгосрочного развития и усовершенствования. Во многих случаях ограничения на время доступа и скорости передачи данных представляют намного более серьезный недостаток для вращающихся дисковых систем, чем вышеупомянутые ограничения на плотности данных и емкости. В приложениях, где к файлам на диске нужно обращаться быстро в произвольной последовательности, сервомотор, фокусирующий лазер, должен быстро переместить оптический узел радиально из одной позиции на диске к другой. В правильной радиальной позиции движение по треку должно быть продолжено быстро, что включает выравнивания в двух измерениях, регулирование скорости вращения, установку синхронизации и нахождение и идентификацию заголовка файла. Эти электромеханические процедуры включают времена доступа, которые являются длинными, обычно 200 мс или больше. Были сделаны усилия, чтобы уменьшить время доступа, например, увеличивая скорость вращения диска, для того чтобы уменьшить время, принимаемое для вращательного выравнивания, и уменьшить вес управляемых сервомотором узлов для фокусировки и движения по треку. Усовершенствование в одной области, однако, приводит к ухудшениям в другой. Увеличение вращающей скорости усугубляет так называемый эффект "лучковой пилы", то есть быстрое ускорение и замедление скорости вращения, которое требуется, для того чтобы поддержать постоянную скорость сканирования пучка по поверхности диска при чередовании между треками на различных радиусах. Это - доминирующая причина латентного периода в оптических основанных на дисках системах поиска данных. Попытки устранить этот эффект, поддерживая постоянной скорость вращения независимо от радиальной позиции, приводят к уменьшению поверхностной плотности данных или повышению технической сложности. Не удивительно, что такие точные электромеханические оптические системы будут медленны во временных масштабах, которые являются типичными в чисто электронной области (микросекунды или менее), что, таким образом, препятствует использованию оптических дисковых устройств в качестве блоков памяти с прямым быстрым доступом в широком спектре областей применения, включая блоки памяти с прямым произвольным доступом (DRAM) для компьютеров и т.д. Значительные усилия были сделаны, чтобы устранить ахиллесову пяту таких устройств, а именно потребность в фокусировке и движении по треку без механической инерции. Варианты решения, которые были исследованы, включают оптоэлектронные дефлекторы, волноводы и дифракционные оптические элементы. До сих пор никакой технически и материально жизнеспособной системы этого характера не было продемонстрировано на практике и, кажется, не появится и в отдаленном будущем. Кроме того, проблема латентного периода, связанная с дисковым вращением не решается такими способами. Во вращающихся дисковых системах биты информации читаются последовательно, поскольку лазерный луч сканирует вдоль трека, и скорость передачи данных явно зависит от скорости вращения и линейной плотности данных вдоль трека. В ряде приложений, типа интерактивной мультимедиа, скорость передачи является существенным критическим параметром современных оптических дисковых систем. При наличии почти оптимального кодирования и фокусировки данных, типичных для современных достижений в дисковой технологии, кажется, имеется немного доступных возможностей для увеличения скорости передачи данных. Одна возможность состоит в том, чтобы увеличить скорость вращения. Это было доведено в отдельных коммерческих системах до уровня, на котором стоимость и потребляемая мощность теперь привели к быстро уменьшающемуся доходу от дальнейшего увеличения скорости. Другая стратегия заключается в том, чтобы использовать отдельные лазерные лучи, адресующие отдельные, но параллельные треки на диске. Хотя число параллельных треков увеличивается, однако сложность и стоимость растут очень быстро, и такие схемы, кажется, лучше всего предназначены, чтобы обеспечить улучшения скорости, которых далеко не хватает для проектируемых будущих потребностей. Вышеупомянутые недостатки были ясно осознаны в течение длительного времени, и были предложены и экспериментально исследованы другие схемы, наиболее значительно странично-ориентированная память и логические системы, основанные на голографической технологии. В дополнение к перспективному объемному хранению данных высокой плотности в трех измерениях, голографические системы могут быть адресованы в постраничном режиме, вследствие этого предлагая преимущества, которые присущи параллельности, такие как высокая скорость передачи. Быстрый произвольный доступ к данным посредством свободного от инерции оптоэлектронного устройства находится в процессе исследования. Кроме того, были исследованы логические операции типа высокоскоростной параллельной обработки для распознавания объектов. Было предсказано, что голографические блоки памяти могут быть стерты и перезаписаны неоднократно, объем данных от гига- до терабайтов может быть сохранен в объеме, сравнимом с кусочком сахара, давая времена произвольного доступа в диапазоне от микро- до наносекунд и скорости передачи данных до сотен Мбайт/с (см., например, D. Psaltis and F. Mok, "Holographic memories". Scientific American, November 1995, pp. 52-58). Подобная потенциальная эффективность была упомянута для других систем, основанных на конфокальных и мультилазерных (нелинейных) принципах адресации (см. , например, "The optical sugar cube", Photonics Spectra, September 1994, p. 50). Другим примером оптической системы хранения данных, основанной на страницах, который может быть упомянут, является международная патентная заявка N W096/21228 (Birge), озаглавленная "Branched photocycle optical memory device", которая открывает объемную оптическую память, которая сохраняет информацию с высокой плотностью в трех измерениях, избирательно активизируя фотохимическую ответвляющуюся реакцию из временного теплового промежуточного состояния в первичном фотоцикле в чувствительном к свету, основанном на белке, носителе памяти. В этом случае используется так называемый "листающий" лазер, чтобы активизировать плоский слой или страницу среды хранения данных на одной длине волны, и лазеры данных, которые передают на другой длине волны выбранные лучи данных, которые являются ортогональными к выбранному слою или странице. Однако эту технологию не просто осуществить в практических устройствах хранения данных, и она имеет некоторые значительные слабости. Для того чтобы получить высокую объемную плотность данных, листающий свет должен быть чрезвычайно интенсивен и однороден внутри очень узкого пространственного диапазона с резким пределом интенсивности. Это влечет за собой использование лазерного луча и относительно сложной оптики, для того чтобы формировать луч. Во-вторых, требуется очень точно управляемая последовательность освещения, включающая использование трех независимых длин волн. Оптимальное временное управление последовательностями зависит от температуры. В-третьих, скорости записи и чтения ограничены постоянными времени фотоцикла, что приводит к временам доступа в диапазоне миллисекунд. В-четвертых, чтение сохраненных данных уменьшит их контрастность на оптической среде памяти, что, таким образом, требует обновления после определенного количества, например, 1000 операций чтения. В патенте Швеции N 501106 (Toth), озаглавленном "Optical memory", открыта оптическая память типа "запись однажды, чтение много раз", (типа WORM, Write-Once-Read-Many-Times), которая содержит запоминающий элемент с устойчивыми оптическими состояниями. Запоминающий элемент разделен на ряд позиций памяти, причем оптическое состояние в данной позиции памяти способно быть как измененным, так и прочитанным посредством луча света, направленного по направлению к позиции памяти. Память может быть полностью реализована без перемещаемых механических частей и имеет очень малое время адресации, позволяя создать память особенно высокой емкости. Эта память также позволяет осуществлять параллельную запись и чтение многоразрядных слов. Реальная среда памяти может быть представлена отдельными слоями или уровнями. Луч света тогда фокусируется на данной позиции памяти, и при использовании восьми слоев становится возможным сохранить один байт в каждой позиции памяти или x, y позиции. В проекте с 7х7 запоминающими ячейками, каждая по 1 см, может быть сохранено 9.8 Гбайт на восьми слоях, и скорость записи тогда будет 40 Мбайт/с. Считывание выполняется в режиме поглощения, что означает, что индивидуальные уровни должны иметь фиксированные различные толщины, чтобы сделать возможным различение между индивидуальными слоями в последовательности кодов. Это приводит, однако, к уменьшению объемной плотности хранения, так как число слоев увеличивается, и потребности в фокусировке луча света на позиции памяти, также как маневрирование лучом света в x, y направлениях, влекут за собой осложнения, связанные со стоимостью и технические. Даже при том, что предложенные до настоящего времени технические решения могут показаться внушительными, в будущих коммерческих условиях такая эффективность должна оцениваться с точки зрения аппаратной стоимости, сложности системы и полного форм-фактора устройства. Основываясь на текущем современном состоянии, как оно показано в открытой литературе, кажется, что правильным является заключение, что голографические и другие странично-ориентированные системы или многослойные системы не приведут к перевороту в обозримом будущем в торговле, где требование компактности и низкой цены стоит на первом месте. Даже если компоненты и материалы станут доступны по приемлемой цене, фактически предложенные архитектуры, кажется, препятствуют действительно компактным решениям. Объект представленного изобретения должен, следовательно, преодолеть вышеупомянутые недостатки предшествующих методов и предложенных решений и предоставить оптический логический элемент, который может быть использован, для того, чтобы реализовать оптические блоки памяти, оптические логические и арифметические цепи, оптические переключатели и, кроме того, вообще, чтобы выполнить оптическое оборудование обработки данных с низкими стоимостью и технической сложностью, но с чрезвычайно высокой плотностью хранения, коротким временем доступа и очень высокой скоростью передачи. Другой целью изобретения является получить оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, основанное на оптическом логическом элементе, где оптический логический элемент и оптическое логическое устройство являются структурно и функционально интегрированным узлом, причем существенные функции элемента и устройства все в основном реализованы в элементе или устройстве, включая функции такие, как доступ, адресация, активизация, коммутация и детектирование. Еще одной целью настоящего изобретения является обеспечение реализации объемного хранения данных простым способом так, чтобы емкость памяти в основном зависела только от форм-фактора и стала обратно пропорциональна физическим размерам логического элемента. Вышеупомянутые и другие цели достигнуты при помощи оптического логического элемента, отличительной особенностью которого является то, что материальный носитель памяти предоставляется в или на существенно слоистой структуре, что активатор, который генерирует магнитное, электромагнитное или электрическое поле или прикладывает энергию к материальному носителю памяти, предоставляется в или рядом с существенно слоистой структурой, и что оптический детектор для детектирования оптического ответа материального носителя памяти, обусловленного физическим или химическим состоянием материального носителя памяти, предоставляется в или рядом с существенно слоистой структурой, причем оптический логический элемент, таким образом, составляет интегрированный узел, состоящий из материального носителя памяти, активатора и детектора; наряду с оптическим логическим устройством, отличительной особенностью которого является то, что материальный носитель памяти предоставляется в или на существенно слоистой структуре, что активатор, который генерирует магнитное, электромагнитное или электрическое поле или прикладывает энергию к материальному носителю памяти, предоставляется рядом с существенно слоистой структурой, и что оптический детектор для детектирования оптического ответа материального носителя памяти, обусловленного физическим или химическим состоянием материального носителя памяти, предоставляется в или рядом с существенно слоистой структурой, причем оптический логический элемент, таким образом, составляет интегрированный узел, состоящий из материального носителя памяти, активатора и детектора, что устройство включает по меньшей мере одну структуру, сформированную оптическими логическими элементами, что оптический материальный носитель памяти, активатор и детектор в каждом логическом элементе в структуре объединены и связаны с материальным носителем памяти, активатором и детектором в окружающих логических элементах структуры, причем структура таким образом образует тело с плоской или искривленной поверхностью, причем каждый логический элемент в структуре имеет однозначное соответствие между материальным носителем памяти и активатором и соответствие между материальным носителем памяти и оптическим детектором для однозначного детектирования физического или химического состояния в материальном носителе памяти, таким образом давая возможность обращаться к каждому оптическому логическому элементу и адресовать каждый оптический логический элемент в структуре индивидуально. В предпочтительном воплощении оптического логического элемента материальный носитель памяти предоставляется в форме первого слоя, активатор предоставляется в форме второго слоя, прилегающего к первому слою, или предоставляется интегрированным в первом слое, и оптический детектор, который детектирует состояние в материальном носителе памяти, предоставляется в форме третьего слоя прилегающего к первому слою, причем оптический логический элемент, таким образом, образует интегрированный узел, состоящий из по меньшей мере трех или двух слоев соответственно. Кроме того, предпочтительно, чтобы активатор был составлен из одного или более непосредственно или опосредованно испускающих излучение устройств, причем испускающее излучение устройство предоставляется на или внедрено в основной материал второго слоя. Полезно, чтобы обращались в испускающему излучение устройству и адресовали его электрически. Также полезно, чтобы испускающее излучение устройство являлось светоизлучающим диодом, предпочтительно полимерным диодом. Кроме того, также предпочтительно, чтобы испускающее излучение устройство было настраиваемым по частоте, причем настройка частоты производилась бы в соединении с электрической адресацией. Кроме того, предпочтительно, чтобы оптический детектор был оптическим детектором с электрическим обращением и адресацией, и чтобы для электрического обращения и адресации как активатора, так и детектора, электроды и электрические проводники предоставлялись интегрированными во втором и третьем слое. Для этой цели предпочтительно, чтобы электроды и электрические проводники были основаны на электропроводящем полимерном материале. В предпочтительном варианте воплощения оптического логического устройства материальный носитель памяти в каждом логическом элементе в форме первого слоя, активатор предоставляется в форме второго слоя, прилегающего к первому слою или предоставляется интегрированным в первом слое, и оптический детектор, который детектирует состояние в материалом носителе памяти, предоставляется в форме третьего слоя прилегающего к первому слою, причем оптический логический элемент, таким образом, образует интегрированный узел, состоящий из по меньшей мере трех или двух слоев соответственно, и каждый из слоев объединен и связан с соответствующим слоем в окружающих логических элементах структуры, таким образом образуя тело с плоской или искривленной поверхностью из связанных и взаимно прилегающих соответствующих слоев. Каждая структура в оптическом логическом устройстве предпочтительно имеет форму тонкой гибкой пленки. В особенно предпочтительном варианте воплощения изобретения оптическое логическое устройство включает две или более соединенных структуры, составленных в стопку на верхней части друг друга, причем оптическое логическое устройство, таким образом, образует чип- или диск-подобный узел, интегрированный из множества структур. В варианте оптического логического устройства в соответствии с изобретением структура предпочтительно сконфигурирована полностью или частично как оптическая память, причем каждый оптический логический элемент в памяти составляет элемент памяти, к которому можно обращаться и адресовать его индивидуально. Во втором варианте оптического логического устройства в соответствии с изобретением структура предпочтительно частично сконфигурирована как оптические логические или арифметические цепи или сети таких цепей, причем каждый из оптических логических элементов в цепях составляет элемент коммутации, к которому можно обращаться и адресовать его индивидуально. В третьем варианте оптического логического устройства в соответствии с изобретением группы оптических логических элементов в структуре сконфигурированы как регистры памяти, логические регистры и арифметические регистры соответственно, причем каждый оптический логический элемент (ОЛЭ) в регистре и каждый регистр способен к тому, чтобы к нему обращались и адресовали его индивидуально, и таким способом, которым регистры могут быть совместно сконфигурированы как оптический процессор данных. Наконец, предпочтительно, чтобы в оптическом логическом устройстве обращение и. адресация логических элементов выполнялись через мультиплексные линии связи, выделенные для структуры. Другие отличительные признаки и преимущества настоящего изобретения представлены ниже в формуле изобретения. Изобретение будет теперь объяснено более подробно посредством вариантов воплощений и со ссылками на сопровождающие чертежи. Фиг. 1а демонстрирует оптический логический элемент в соответствии с настоящим изобретением,фиг. 1b и 1c демонстрируют функционирование оптического логического элемента как элемента двузначной логики,
фиг. 1d демонстрирует полевой транзистор с целью сравнения,
фиг. 2 демонстрирует предпочтительный вариант воплощения оптического логического элемента,
фиг. 3 демонстрирует второй предпочтительный вариант воплощения оптического логического элемента. фиг. 4 демонстрирует принцип работы материального носителя памяти в форме материала, захватывающего электроны,
фиг. 5a-d демонстрирует принцип работы материального носителя в форме чувствительного к свету конформационно-реагирующего материала, в этом случае бактериородопсина,
фиг. 6, 7 демонстрируют дальнейшие предпочтительные варианты воплощения оптического логического элемента на фиг. 1,
фиг. 8 демонстрирует особенно предпочтительный вариант воплощения оптического логического элемента на фиг. 1,
фиг. 9 демонстрирует спектральные свойства светоизлучающих полимерных диодов,
фиг. 10 является схематической иллюстрацией светоизлучающего полимерного диода,
фиг. 11 демонстрирует первый проект оптического логического устройства в соответствии с изобретением,
фиг. 12 демонстрирует второй проект оптического логического устройства в соответствии с изобретением,
фиг. 13 демонстрирует вариант оптического логического устройства на фиг. 11,
фиг. 14 демонстрирует второй вариант оптического логического устройства на фиг. 11,
фиг. 15 является схематической иллюстрацией проекта оптического логического устройства в разобранном виде на фиг. 14,
фиг. 16 демонстрирует развитие проекта оптического логического устройства в соответствии с изобретением, основанное на варианте на фиг. 14,
фиг. 17 является схематической иллюстрацией схемы адресации оптического логического устройства в соответствии с изобретением,
фиг. 18 демонстрирует шестнадцать булевых функций двух двоичных переменных, сгенерированных оптическим логическим устройством в соответствии с изобретением, и
фиг. 19 является схематической иллюстрацией параллельного алгоритма для четырехразрядного двоичного полного сложения для реализации на оптическом логическом устройстве в соответствии с изобретением. Фиг. 1а является схематическим рисунком предпочтительного варианта воплощения оптического логического элемента в соответствии с настоящим изобретением. Материальный носитель памяти 1 представляется в первом слое Л1, активатор 2, который может генерировать магнитное, электромагнитное или электрическое поле или поставлять энергию материальному носителю памяти 1, предоставляется в слое Л2 на одной стороне слоя Л1, в то время как детектор 3 предоставляется в слое Л3 на противоположной стороне слоя Л1. Слои Л1, Л2, Л3 могут полностью включать материальный носитель памяти 1, активатор 2 и детектор 3 соответственно, но можно также допустить, что слои Л1, Л2, Л3 могут быть сформированы из основного материала и что материальный носитель памяти 1, активатор 2 и детектор 3 соответственно встроены в него или предоставляются на нем. Фиг. 1b символически представляет функционирование оптического логического элемента ОЛЭ в соответствии с изобретением во время записи, чтения и детектирования логического состояния 0. В этом случае энергия прикладывается к материальному носителю памяти 1 в форме света первой длины волны
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172005/945.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172005/945.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172002/964.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172002/964.gif)
освещения разновидностей, для того чтобы произвести возбуждение в другое состояние. Можно заметить, например, что использование эффективной ширины диапазона с центром около приблизительно 600 нм будет воздействовать на состояния N, bR, К и О, но последствием такого освещения будет то, что по меньшей мере значительное количество молекул будет вынуждено перейти из bR в относительно стабильное состояние Q. Конечно возможно достигнуть того же самого результата, освещая основное состояние bR непрерывно импульсом света с центром на 570 нм, таким образом вынуждая состояние bR перейти к состоянию О, в то же время одновременно также длительно освещая бактериородопсин светом с центром на 640 нм, возможно после интервала в несколько миллисекунд, таким образом вынуждая состояние О переходить в состояние P. Применения этого способа будут обсуждены более подробно в следующем разделе. Из фиг. 5d можно также видеть, что возможно действительно возбудить состояние Q в основное состояние bR, освещая молекулы в состоянии Q светом около 380 нм или, например, с эффективной шириной диапазона 360-400 нм. Материальный носитель памяти 1 может также быть флуоресцентным, то есть будучи возбужден активатором 2, материальный носитель памяти 1 испускает флуоресцентный свет, который детектируется детектором 3. Другими словами детектирование происходит при излучении. Использование флуоресцентных веществ для сохранения данных известно специалистам в данной области, в дополнение к тому, что оно продемонстрировано в патентной литературе, и следовательно любое дальнейшее описание будет избыточным. Различные предпочтительные воплощения оптического логического элемента в соответствии с изобретением будут теперь обсуждены более подробно. Фиг. 6 иллюстрирует оптический логический элемент ОЛЭ, снабженный электродами 4,4" или электрическими проводниками 5,5" для электрического обращения и адресации активатора 2 и оптического детектора 3 соответственно. Для этой цели электроды 4,4" или электрические проводники 5,5" предоставляются интегрированными во втором и третьем слоях 2, Л3 соответственно. Как электроды 4,4", так и электрические проводники 5,5" могут предпочтительно быть основаны на электрически проводящем полимерном материале. Если электрические проводники 5,5" размещены во взаимно ортогональном положении на каждой стороне слоев Л1, Л3 соответственно, то становится возможным реализовать электроды 4,4" как точки пересечения соответствующих ортогонально размещенных электрических проводников 5,5". Кроме того, можно предоставить еще один слой, прилежащий к первому слою Л1 или интегрированный в нем, как показано на фиг. 7, для генерации электрического поля. Это может быть достигнуто, если слой Л4 сделан из ферроэлектрических, оптоэлектрических или подобных материалов, причем сгенерированное электрическое поле затем используется, чтобы влиять на отклик оптического материального носителя памяти 1 в интервале времени, интервале частоты или интервале напряженности. В качестве примера этого можно сослаться на вышеупомянутый патент Швеции N 501106, где фотопроводящий уровень с опторезестивными свойствами предоставляется между материальным носителем памяти и матрицей электродов соответственно на одной стороне материального носителя памяти. Это позволяет, например, избирательно приложить электрическое поле к оптическому логическому элементу, если активатор является испускающим излучение устройством, при помощи одновременного приложения электрического управляющего напряжения между слоем Л1 и электродом 4. Испускающее излучение устройство 2 может также быть полупроводниковым лазером, в форме, например, диодного лазера в слое Л2 между электродами 4,4". Может быть предоставлено множество испускающих излучение устройств 21, . . . , 2n, как показано на фиг. 2, причем в этом случае они могут быть размещены так, чтобы испускать на различных заранее выбранных частотах, например, с помощью диодных лазеров с определенными характеристиками излучения. Испускающее излучение устройство 2 может также быть опосредовано испускающим излучение устройством, причем в этом случае оно должно быть способно к активации внешним источником излучения 2", который не показывается более подробно. Внешний источник излучения этого вида нужно предоставлять снаружи оптического логического элемента ОЛЭ, и если оптические логические элементы объединены, образуя двумерную матрицу, составляющую оптическое логическое устройство ОЛУ, это можно сделать, поместив источник излучения на крае матрицы и снаружи ее, причем в этом случае слой Л1 должен быть способен действовать как волновод, который проводит свет через прозрачный материал слоя Л1 к опосредовано испускающему излучение устройству. Такой, имеющий форму слоя, оптический волновод Л2 может быть реализован по аналогии с полосковыми несимметричными линиями передачи или оптоволоконными волноводами и, следовательно, не будет здесь далее обсуждаться. Желание обеспечить непосредственно адресуемое логическое устройство, основанное на непосредственно адресуемых логических элементах, однако, делает в общем случае предпочтительным использование непосредственно испускающего излучение устройства 2, предоставленного в слое Л2. В этом случае испускающее излучение устройство 2 может быть светоизлучающим диодом, и особенно предпочтительными для этой цели являются органические светоизлучающие диоды, основанные на сопряженных полимерах. Такие светоизлучающие полимерные диоды описаны в международной патентной заявке N W0 95/31515, озаглавленной "Colour source and method for its fabrication", на которую настоящий заявитель приобрел права и которая таким образом включена в качестве ссылки. Светоизлучающие полимерные диоды этого типа могут испускать свет на нескольких длинах волн посредством изменения рабочего напряжения диода. Диоды могут испускать свет на различных длинах волн, например в основном красный при низком рабочем напряжении и синий при более высоком рабочем напряжении, в то время как при промежуточных напряжениях может быть получена остановка излучения как красного, так и синего, при изменении интенсивностей. Диоды могут быть изготовлены в виде тонкой полимерной пленки с областями сопряженных полимеров с толщиной несколько десятков нанометров, причем размер отдельных диодов не намного больше. Интегрированные в качестве испускающего излучения устройства в оптический логический элемент, следовательно, они будут совместимы с оптическими логическими элементами ОЛЭ подобного размера. Фиг. 8 демонстрирует оптический логический элемент в соответствии с изобретением, реализованный как непосредственно адресуемый оптический логический элемент. Материальный носитель памяти 1, который в этом случае может, например, быть конформационно-реагирующим, чувствительным к свету материалом, таким как бактериородопсин, образует уровень Л1. Поблизости к чувствительному к свету материалу 1 или структуре Л1, в слое Л2 предоставляются эмиттеры или источники света 2, предпочтительно в форме светоизлучающих полимерных диодов. Светоизлучающий полимерный диод 2 снабжается рабочим напряжением VE с помощью двух электродов 4,4", которые связаны с источником питания 6. Светоизлучающий полимерный диод 2 предоставляется прилегающим к чувствительному к свету материалу 1, то есть бактериородопсину, который должен проходить через фотоцикл. Это означает, что электрод 4" должен быть прозрачным. Кроме того, светоизлучающий диод 2, служащий для запуска фотоцикла бактериородопсина 1, должен обеспечить излучение, настраиваемое по длине волны, что подразумевает, что в этом случае уместно будет выполнить светоизлучающий диод в форме полимерных диодов, настраиваемых по напряжению, например, типа тех, которые описаны в вышеупомянутой международной патентной заявке W095/31515, в связи с которой это обсуждается более подробно. Напротив светоизлучающего полимерного диода 2 и так же прилегая к слою бактериородопсина Л1, предоставляется фотогальванический или фотопроводящий детектор 3, также в форме слоя Л3, который также снабжен электродами 4,4", которые передают напряжение сигнала VD, создаваемое детектором при детектировании света на операционный усилитель 7. Очевидно, в этом случае электрод детектора 4, который обращен к слою бактериородопсина K1, также должен быть прозрачным. Как упомянуто, настраиваемые по напряжению источники цветного света в форме светоизлучающих полимерных диодов уже были обсуждены со ссылкой на вышеупомянутую международную патентную заявку W095/31515 и, кроме того, также более подробно описаны M.Bergen & al. Nature 372, pp. 444-446 (1994). Изменяя рабочее напряжение VE, приложенное посредством электродов, такие светоизлучающие полимерные диоды можно заставить испускать свет на различных длинах волн. Рисунки, иллюстрирующие светоизлучающие полимерные диоды этого вида, относительно распространены, и спектральная характеристика испускаемого луча света может управляться в широких пределах посредством соответствующего выбора светоиспускающих материалов. Относительно представленного описания, где требуется спектральная адаптация к светопоглощающим свойствам бактериородопсина в различных состояниях, следует предположить, что светоизлучающий полимерный диод испускает желтый свет при низком напряжении VE, и излучение синего света увеличивается при увеличении напряжения. Это иллюстрируется более подробно на фиг. 9а-с, где фиг. 9а иллюстрирует спектральную характеристику и интенсивность приложенного напряжения VE 5 В. Излучение происходит в основном в форме красного света с вершиной спектра приблизительно 630 нм. В этом случае коэффициент полезного действия - 100%. На фиг. 9b напряжение увеличивается до 16 В, и коэффициент полезного действия уменьшается до 50%. Можно заметить, что светоизлучающий полимерный диод все еще сохраняет пик излучения приблизительно на 630 нм, но в то же самое время имеет увеличивающееся излучение синего света приблизительно на 400 нм. При приложенном напряжении 21 В с коэффициентом полезного действия 20% излучение на длинах волн приблизительно 530 нм относительно сокращается, и в основном получается пик излучения синего света высокой интенсивности и с центром приблизительно на 430 нм, как показано на фиг. 9с. Управляемый напряжением эмиттер, то есть светоизлучающий полимерный диод, как описано в вышеупомянутой международной патентной заявке W095/31515, содержит ряд физически разделенных светоизлучающих областей 9,9", как показано на фиг. 8 и фиг. 10, который может быть расценен как схематический срез через слой эмиттера 12. Области 9,9" включены в прозрачный материал 8, который может, например, сам быть полимером, и каждая область 9,9" содержит только один тип светоизлучающего полимера, то есть или с узкой запрещенной зоной, который испускает главным образом желтый или красный свет (например, 9) или с широкой запрещенной зоной, который испускает синий свет (например, 9"). Если бы области 9,9" были большими и были бы размещены на относительно большом расстоянии друг от друга, то это могло бы вызывать проблемы из-за непредсказуемого и неравномерного излучения света из светоиспускающего диода, и в случае некоторых оптических лучевых конфигураций дало бы недостаточное пространственное перекрывание между красным и синим светом, который достигает заданной центральной точки в структуре бактериородопсина. Эксперименты, взятые из вышеупомянутой заявки W095/31515, показывают, что в настоящее время по меньшей мере возможно достигнуть типичных размеров и расстояний между областями в диапазоне от нескольких десятков нм до нескольких сотен нм, так что в итоге масштабный коэффициент для толщины слоя полимера или материала 8 соответствует поперечному сечению области, так как области должны соприкасаться с электродами 4,4" на поверхностях материала. Эффекты, которые из-за пространственно разделенного излучения света будут, следовательно, значимыми только для очень малых светоизлучающих полимерных диодов, обычно размером в несколько нанометров. С другой стороны, имеются также указания на то, что размер светоизлучающих полимерных диодов 2 может быть значительно уменьшен посредством уменьшения размеров областей 9,9", таким образом избегая любых неблагоприятных пространственных эффектов даже со светоизлучающими диодами приблизительно 10 нм или приблизительно такого размера. Тогда толщина эмиттерного слоя Л2 будет сравнимой, так что в результате, по меньшей мере в теории, окажется возможным реализовать оптические логические элементы в соответствии с настоящим изобретением размером самое большее несколько нм и соответствующей толщины. Фотогальванический или фотопроводящий детектор 3 подобен по конструкции эмиттеру 2 или источнику цветного света, то есть используются полимерные диоды, подобные тем, которые показаны на фиг. 8, но теперь с областями, поглощающими свет, так что в результате, в зависимости от спектра, детектируемое изменение в интенсивности света генерирует сигнальное напряжение или выходное напряжение детектора VD на электродах 4,4". Таким же образом детектор 3 в этом случае должен быть настроен на спектральные свойства эмиттера 2. Для детектора 3 применяются также те же самые масштабные коэффициенты, что и для светоизлучающего полимерного диода 2, причем размеры областей 9,9" определяют толщину слоя. Очевидно, толщина слоя должна быть совместима с поперечным сечением области, таким образом допуская контакт с электродами 5,5". Можно заметить, что оптический логический элемент ОЛЭ, который описан со ссылкой на использование чувствительного к свету органического вещества, то есть бактериородопсина, и светоизлучающих полимерных диодов, разработан, чтобы быть непосредственно адресуемым, таким образом избегая ограничений на масштабные коэффициенты, которые существовали бы, если бы свет проходил к чувствительному к свету органическому веществу через оптически активные структуры в виде преломляющих или дифракционных элементов, предоставленных снаружи структуры бактериородопсина и между ним и эмиттером. В том случае размер оптического логического элемента будет ограничен длиной волны использованного излучения света. Оптическое логическое устройство ОЛУ в соответствии с изобретением будет теперь обсуждено со ссылкой на фиг. 11-17. Фиг. 11 демонстрирует проект, где оптическое логическое устройство имеет форму двумерного массива или структуры S оптических логических элементов ОЛЭ и демонстрирует разрез через строку таких оптических логических элементов, причем здесь служат примером оптические логические элементы ОЛЭII и ОЛЭIn в m
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172003/8226.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172002/964.gif)
![оптический логический элемент и оптическое логическое устройство, патент № 2172975](/images/patents/299/2172002/964.gif)
Класс G02F3/02 бистабильные оптические устройства
оптический наногенератор - патент 2465623 (27.10.2012) | ![]() |
оптический jk-нанотриггер - патент 2461032 (10.09.2012) | ![]() |
оптический т-триггер - патент 2461031 (10.09.2012) | ![]() |
оптический jk-триггер - патент 2458377 (10.08.2012) | ![]() |
оптический т-нанотриггер - патент 2416117 (10.04.2011) | ![]() |
способ переключения и управления солитонами в туннельно-связанных оптических волноводах слабым сигналом другой несущей частоты - патент 2241245 (27.11.2004) | |
оптический бистабильный элемент - патент 2174697 (10.10.2001) | |
оптический процессор с бустерным выходом - патент 2111520 (20.05.1998) | |
оптический мультивибратор - патент 2082212 (20.06.1997) | |
оптический триггер - патент 2020528 (30.09.1994) |