лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света
Классы МПК: | H01S3/30 с использованием эффекта рассеяния, например со стимулированным излучением, основанным на эффектах Бриллюэна или Рамана |
Автор(ы): | Басиев Т.Т., Соболь А.А., Зверев П.Г., Ивлева Л.И., Осико В.В. |
Патентообладатель(и): | Научный центр лазерных материалов и технологий ИОФАН |
Приоритеты: |
подача заявки:
2000-04-25 публикация патента:
27.01.2002 |
Изобретение используется в квантовой электронике, в частности в лазерах на вынужденном комбинационном рассеянии (ВКР). Сущность изобретения: материал для ВКР-преобразования частоты лазерного излучения на основе монокристалла вольфрамата бария-стронция с составом (Ba1-хSrx)уWzO4, где 0
x
1; 0,997<y<1,003; 0,999<z<1,001. Технический результат изобретения: увеличение коэффициента ВКР-усиления и снижение порога ВКР-преобразования. 2 ил. , 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
![лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света, патент № 2178938](/images/patents/291/2178032/8773.gif)
![лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света, патент № 2178938](/images/patents/291/2178032/8773.gif)
Формула изобретения
Твердотельный лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света (ВКР), отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл с составом (Ba1-хSrx)уWzO4, где О![лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света, патент № 2178938](/images/patents/291/2178032/8773.gif)
![лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света, патент № 2178938](/images/patents/291/2178032/8773.gif)
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам с ВКР-преобразованием частоты генерации (ВКР - вынужденное комбинационное рассеяние), и может быть использовано в связи, локации, метрологии, дальнометрии и научных исследованиях. Известен метод ВКР-сдвига частоты лазера с помощью жидкостных и газовых ячеек, а также монокристаллов [1] . Величина такого сдвига определяется частотами молекулярных колебаний и фононного спектра элемента, в котором реализуется эффект ВКР. Наиболее близким техническим решением к заявляемому является монокристалл KGd(WO4)2 (КГВ), в котором был осуществлен ВКР-сдвиг на 901 и 768 см-1 [2] . Недостатком кристалла КГВ как элемента для ВКР-преобразования является большая ширина линий спонтанного комбинационного рассеяния (СКР) 5-6 см-1 при 300 К, что снижает коэффициент ВКР-усиления и увеличивает порог ВКР-преобразования. Технической задачей изобретения является улучшение энергетических параметров лазеров с ВКР-преобразованием частоты, в частности увеличение коэффициента ВКР-усиления и снижения порога ВКР-генерации. Это достигается тем, что в качестве материала для ВКР-преобразования лазерного излучения используется монокристалл вольфрамата бария-стронция с составом (Ba1-хSrx)yWzO4, где 0![лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света, патент № 2178938](/images/patents/291/2178032/8773.gif)
![лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света, патент № 2178938](/images/patents/291/2178032/8773.gif)
1. Грасюк А. З. Квантовая электроника, 1974, 3, 485. 2. Андрюнас К. , Вищакас Ю. , Кабелка В. , Мочалов И. В. , Павлюк А. А. , Петровский Г. Т. , Сырус В. Письма в ЖЭТФ, 1985, 42, с. 333.
Класс H01S3/30 с использованием эффекта рассеяния, например со стимулированным излучением, основанным на эффектах Бриллюэна или Рамана