устройство измерения уровня криогенной жидкости на базе дискретных монолитных высокотемпературных сверхпроводников
Классы МПК: | G01F23/24 путем измерения сопротивления резистора, изменяющегося за счет контакта с проводящей жидкостью |
Автор(ы): | Архаров И.А., Емельянов В.Ю., Полущенко О.Л. |
Патентообладатель(и): | Емельянов Василий Юрьевич |
Приоритеты: |
подача заявки:
2000-10-24 публикация патента:
10.08.2002 |
Изобретение относится к криогенному машиностроению. Устройство для измерения уровня криогенной жидкости состоит из датчика и вторичного регистрирующего блока. Датчик представляет собой совокупность чувствительных высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) элементов из иттриевой керамики. ВТСП элементы соединены последовательно в единую цепь и расположены в шахматном порядке по длине датчика внутри диэлектрического основания или сверху него. В качестве нагревателя используются ЧИП-резисторы или проводник из сплава высокого сопротивления. Нагревательные элементы включаются секционно или по всей длине датчика. Технический результат состоит в повышении точности, возможности широкого диапазона применения, в универсальности использования. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Формула изобретения
1. Устройство измерения уровня криогенных жидкостей, состоящее из датчика, включающего в себя чувствительный и нагревательный элементы, и вторичного регистрирующего блока, отличающееся тем, что датчик уровнемера представляет собой совокупность чувствительных высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) элементов из иттриевой керамики, соединенных последовательно в единую цепь и расположенных в шахматном порядке по длине датчика внутри диэлектрического основания или сверху него, в качестве нагревателя используются ЧИП-резисторы или проводник из сплава высокого сопротивления. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нагревательные элементы могут включаться секционно или по всей длине датчика. 3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что ВТСП элементы выполнены из иттриевой керамики Y-123 (Y1Ba2Сu3О7).Описание изобретения к патенту
Предлагаемое изобретение относится к областям криогенной техники и криогенного машиностроения. Данное устройство может быть также использовано там, где применяются сжиженные азот, кислород, аргон:1) в промышленности, при осуществлении определенных технологических операции;
2) современных магнитных ВТСП (Высокотемпературных сверхпроводящих) системах, обеспечивая промежуточную ступень охлаждения для резервуаров Не;
3) в медицине: в криоаппаратах для гинекологии, онкологии, проктологии, ЛОР и др., а также в криоаппаратах для косметологи и дерматологии, в оборудовании для общей и локальной криотерапии, в оборудовании для замораживания/размораживания и длительного хранения биопродуктов (крови, костного мозга, и др. биоматериалов);
4) в сельском хозяйстве для хранения биологических веществ;
5) в метрологии - охлаждение узла электронной пушки электронного микроскопа;
6) в радиоастрономии, при охлаждении высокочувствительных входных каскадов радиоприемников мм.диапазона волн;
7) в шоу-бизнесе, для получения спецэффектов. Также возникает потребность определять уровень хладагента при его транспортировке в сосудах Дюара, таких как: 50LD,35LD, 25LD и в кислород/азотдобывающих станциях АКДС-70, МКДС-70. Аналогом изобретения является следующий патент:
S. Siegmann, N.J. Guntherodt "Fullstandsdetector fur Kryogene Flussigkeiten", Int. Patent PCT/CH90/00166, основной недостаток которого состоит в способе реализации протяженного чувствительного элемента на базе ВТСП (Высокотемпературный сверхпроводник) проводника, в отличие от него, данное устройство выполнено в виде последовательности миниатюрных ВТСП-элементов, соединенных в цепь, что позволяет задавать произвольную пространственную конфигурацию датчику. Кроме этого, данное устройство отличается повышенной чувствительностьюк резким перепадам уровня и более широким диапазоном измерения. Погрешность измерения уровня определяется шагом расположения ВТСП-элементов и ограничивается как их минимальными размерами, так и шириной диэлектрического основания, на котором они расположены. Следовательно, возможно создавать датчики на длины более 1.5 метров. Кроме этого, наличие дискретных элементов разрешения позволяет осуществлять локальный, секционный нагрев, что делает данный тип датчика выигрышным по сравнению с аналогом, в котором идет нагрев по всей длине чувствительного элемента. Указанные в отличительной части формулы признаки позволяют считать предложенное техническое решение соответствующим критерию "новизна". Поскольку совокупность признаков отличительной и ограничительной частей неизвестна из научно-технической и патентной литературы, то устройство соответствует критерию "изобретательский уровень". Сущность изобретения иллюстрируется на фиг. 1-3, где
фиг. 1 - вид датчика сверху;
фиг. 2 - изображение среза датчика с нагревателями на основе резисторов;
фиг. 3 - изображение среза датчика с нагревателями на основе сплава высокого сопротивления;
На фигуре 1:
1 - ВТСП-датчик - чувствительный элемент (Y-123);
2 - печатный проводник, осуществляющий межэлементную коммутацию;
3 - основание датчика из стеклотекстолита, керамики или другого стойкого к хладагенту диэлектрика. На фигуре 2:
1 - ВТСП-датчик - чувствительный элемент (Y-123);
2 - нагревательный элемент: ЧИП-резистор;
3 - основание, на котором размещены чувствительные ВТСП-датчики;
4 - теплоизолятор, для уменьшения влияния нагревательного элемента на измеряемую среду;
5 - диэлектрическая, теплоизоляционная прокладка;
6 - припой (ПОС-61), осуществляющий механическое и электрическое соединение;
7 - заливочный компаунд. На фигуре 3:
1 - основание, на котором размещены чувствительные ВТСП-элементы;
2 - нагреватель;
3 - чувствительный ВТСП-элемент. Устройство измерения криогенной жидкости состоит из 2-х частей: датчика уровня и вторичного блока. Датчик уровня представляет собой набор миниатюрных элементов, выполненных из монолитного куска иттриевой керамики (Y1Ba2Cu3О7), ВТСП-материала (Y-123). Размеры элементов выбираются, исходя из требуемой разрешающей способности и технологических ограничений на их изготовление. Рекомендуется использовать размеры, соответствующие ЧИП-резисторам (1.55



Класс G01F23/24 путем измерения сопротивления резистора, изменяющегося за счет контакта с проводящей жидкостью