способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов
Классы МПК: | G01R27/04 в цепях с распределенными параметрами |
Автор(ы): | Дмитриенко Г.В., Трефилов Н.А. |
Патентообладатель(и): | Ульяновский государственный технический университет |
Приоритеты: |
подача заявки:
2001-03-13 публикация патента:
10.12.2002 |
Изобретение относится к радиоизмерениям параметров поглощающих диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов типа углепластиков. Техническим результатом является повышение точности измерения фазы комплексного коэффициента отражения от композиционных материалов типа углепластиков, имеющих шероховатую поверхность. Измеряют шероховатость поверхности образца материала, затем выбирают эталонный короткозамыкатель с такой же шероховатостью, как и измеряемый материал, затем производят измерение комплексного коэффициента отражения от эталонного короткозамыкателя и измеряемого образца и производят обработку результатов измерений с вычислением значений комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2
Формула изобретения
Способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, заключающийся в измерении комплексного коэффициента отражения от волновода, на конце которого устанавливают эталонный короткозамыкатель, а затем измеряемый образец материала, с последующей обработкой результатов, отличающийся тем, что вначале, производят измерение шероховатости поверхности измеряемого образца материала, затем выбирают эталонный короткозамыкатель, имеющий такую же шероховатость поверхности, как и измеряемый материал, после этого измеряют комплексные коэффициенты отражения от выбранного эталонного короткозамыкателя и измеряемого образца и производят обработку результатов измерений с вычислением значений комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов типа углепластиков, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемостью![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194285/2194285-1t.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194164/949.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194042/948.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194285/8594.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194125/981.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194164/949.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194125/981.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194042/948.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194125/981.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194125/981.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194164/949.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194042/948.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194285/2194285-2t.gif)
где
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194005/916.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194013/955.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194164/949.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194005/916.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194013/955.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194005/916.gif)
![способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов, патент № 2194285](/images/patents/276/2194125/981.gif)
- дополнение известного средства какой-либо известной частью, присоединяемой к нему по известным правилам для достижения технического результата, в отношении которого установлено влияние именно такого дополнения;
- замена какой-либо части известного средства другой известной частью для достижения технического результата, в отношении которого установлено влияние именно такой замены,
- исключение какой-либо части средства с одновременным исключением обусловленной ее наличием функции и достижением при этом обычного для такого исключения результата;
- увеличение количества однотипных элементов, действий для усиления технического результата, обусловленного наличием в средстве именно таких элементов, действий;
- выполнение известного средства или его части из известного материала для достижения технического результата, обусловленного известными свойствами этого материала;
- создание средства, состоящего из известных частей, выбор которых и связь между которыми осуществлены на основании известных правил, рекомендаций, и достигаемый при этом технический результат обусловлен только известными свойствами частей этого средства и связей между другими. Описываемое изобретение не основано на изменении количественного признака, представлении таких признаков во взаимосвязи, либо изменении ее вида. Имеется в виду случай, когда известен факт влияния каждого из указанных признаков на технический результат и новые значения этих признаков или их взаимосвязь могли быть получены исходя из известных зависимостей, закономерностей. Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию "изобретательский уровень". Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения с получением вышеуказанного технического результата. Способ реализуется с помощью устройства, приведенного на фиг.1,б, где 1 - волновод, 2 - измеряемый образец, 3 - плоскость прилегания измеряемого образца, 4 - плоскость отражения измеряемого образца. Вначале производят измерение шероховатости поверхности измеряемого образца материала. Далее выбирают эталонный короткозамыкатель с шероховатостью, повторяющей шероховатость измеряемого образца, или изготавливают такой которокозамыкатель, который имеет такую же шероховатость. После этого измеряют комплексный коэффициент отражения от эталонного короткозамыкателя и измеряемого образца и обрабатывают результаты измерений с вычислением значений комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Для проведения измерений больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов производят измерение комплексного коэффициента отражения от шероховатой поверхности измеряемого материала. Берутся два образца, на один образец наносят (напыляется металл) материал с высокими отражающими свойствами, например серебро. Этот образец используется в качестве эталонного короткозамыкателя. Второй образец используется как измеряемый образец. Измерения проводятся в два этапа, с образцом с нанесенным на него покрытием и с замыкающей пластиной образца. От СВЧ-генератора по волноводу на образец подается зондирующая электромагнитная волна. Информация о параметрах материала заключается в амплитуде и фазе отраженной волны, т.е. в комплексном коэффициенте отражения. Таким образом, изложенные сведения свидетельствуют о выполнении при использовании заявленного изобретения следующей совокупности условий:
- средство, воплощающее заявленный способ при его осуществлении, предназначено для использования в промышленности, а именно... - для заявленного способа в том виде, как он охарактеризован в независимом пункте изложенной формулы изобретения, подтверждена возможность его осуществления с помощью описанных в заявке или известных до даты приоритета средств и методов;
Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию "промышленная применимость".
Класс G01R27/04 в цепях с распределенными параметрами