способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах
Классы МПК: | C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц H01L21/263 с высокой энергией |
Автор(ы): | ТАКЕШИ Саито (JP), Мурашев В.Н. (RU) |
Патентообладатель(и): | ТАКЕШИ Саито (JP), Мурашев Виктор Николаевич (RU) |
Приоритеты: |
подача заявки:
2000-09-13 публикация патента:
27.01.2003 |
Изобретение может быть использовано для формирования сверхмелких и сверхглубоких р - n-переходов в полупроводниковых материалах, для их очистки от загрязняющих примесей, а также для тотального или локального изменения их оптических свойств и цвета. Сущность изобретения: предлагается радиационный электротермодиффузионный метод, заключающийся в проведении термоэлектродиффузии в электрическом поле напряженностью свыше 10 В/см при 300-2000oС и одновременном облучении образцов потоками электронов с энергией 0,25-10 МэВ и потоком 115-1019 эл./см2. Технический результат заключается в создании электрически управляемой и эффективной диффузии, а электронное облучение, являющееся относительно "мягким", способствует созданию легко отжигаемых точечных дефектов типа вакансия и атом в междоузлии. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
Электротерморадиационный способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах, содержащий операцию термоэлектродиффузии при электрическом поле напряженностью свыше 10 В/см при 300-2000oС с одновременным облучением потоками электронов с энергией 0,25-10 МэВ и потоком 1015-1019 эл/см2.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых и диэлектрических материалов с заданными примесными диффузионными профилями и, в частности, может быть использовано при формировании сверхмелких и сверхглубоких р - n-переходов в полупроводниковых материалах для очистки от загрязняющих примесей полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также для тотального изменения их оптических свойств и цвета. Известны различные способы формирования диффузионных профилей, в которых используется диффузия примеси путем внешнего стимулирования ионизацией, упругим рассеянием или дефектами, вызываемыми радиационным облучением потоками электронов, нейтронов и протонов [1, 2, 3]. Такие способы не обеспечивают эффективность диффузионного процесса и диффузию примеси, направленную противоположно диффузионному градиенту. Данные недостатки частично устраняются в термоэлектродиффузионном способе формирования диффузионных профилей [4, 5]. Однако данный способ имеет также невысокую эффективность диффузионных процессов. Технической задачей данного изобретения является создание электрически управляемой и эффективной диффузии, позволяющей создавать сверхмелкие и сверхглубокие р - n-переходы в полупроводниковых материалах, а также осуществлять очистку полупроводниковых и диэлектрических материалов от нежелательных примесей и менять тотально или локально оптические и электрические характеристики. Указанная задача решается предлагаемым электротерморадиационным способом формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах путем воздействия на них внешнего электрического поля величиной более 10 В/см при 300![способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах, патент № 2197571](/images/patents/273/2197007/247.gif)
![способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах, патент № 2197571](/images/patents/273/2197001/981.gif)
![способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах, патент № 2197571](/images/patents/273/2197010/8226.gif)
![способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах, патент № 2197571](/images/patents/273/2197001/981.gif)
![способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах, патент № 2197571](/images/patents/273/2197036/949.gif)
1. Аракелян В.С. Атомная техника за рубежом. - 1969, 4, с.29. 2. Кив А.Е., Умарова Ф.Т., ФТТ, 1967, 9, с.222. 3. Патент России RU 2145365 С1 98122239/12 от 11.12.1998. 4. Болтакс Б.И., Куликов Г.С. Малкович Р.Ш., ФТТ, 1960, 2, 2, р.181. 5. Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. - Л.: Наука, Ленинградское отд., 1972, с.159-160.
Класс C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц
Класс H01L21/263 с высокой энергией