устройство для обработки поверхности материалов лазерным лучом
Классы МПК: | C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц |
Автор(ы): | Томашпольский Ю.Я. (RU), Бобонич Петр Петрович (UA), Бобонич Эрик Петрович (UA), Кудрявцев Михаил Евгениевич (UA) |
Патентообладатель(и): | ГНЦ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова" (RU) |
Приоритеты: |
подача заявки:
2001-11-22 публикация патента:
20.06.2003 |
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к устройствам для обработки поверхности материалов микро- и оптоэлектроники лазерными методами, и может быть применено в производстве полупроводниковых приборов. Достижение цели осуществляют тем, что в устройстве, состоящем из лазера, системы фокусирования в виде линзы и держателя образца, держатель образца выполнен в виде камертона, на ножках которого установлены задающая и измерительная катушки, соединенные с генератором частоты и частотомером соответственно, причем выход частотомера соединен через управляющий блок с выходом генератора частоты и блоком питания лазера, а линза выполнена цилиндрической. Технический результат изобретения заключается в снижении количества (концентрации) оплавленных участков поверхности при воздействии на нее лазерным лучом. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
Устройство для обработки поверхности материалов лазерным лучом, состоящее из лазера, системы фокусирования в виде линзы и держателя образца, отличающееся тем, что держатель образца выполнен в виде камертона, на ножках которого установлены задающая и измерительная катушки, соединенные с генератором частоты и частотомером соответственно, причем выход частотомера соединен через управляющий блок с выходом генератора частоты и блоком питания лазера, а линза выполнена цилиндрической.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к устройствам для обработки поверхности материалов микро- и оптоэлектроники лазерными методами, и может быть применено в производстве полупроводниковых приборов. Известно устройство для обработки поверхности материалов, состоящее из лазера, оптической системы и держателя мишеней [1]. С помощью лазера обработку поверхности проводят концентрированным лазерным лучом с энергий 3-20 Дж/см2 с площадью пятна 1-2 мм2 и длительностью импульсов 3 мкс. Однако значительная энергия лазерного луча приводит к частичному оплавлению поверхности материалов. Такое оплавление поверхности приводит к появлению неоднородности структуры, что в конечном итоге влияет на характеристики изготовленных элементов оптоэлектроники. Известно также устройство для обработки поверхности материалов лазерным лучом с энергией 0,1-15 Дж/см2 с длительностью импульса 2![устройство для обработки поверхности материалов лазерным лучом, патент № 2206644](/images/patents/264/2206023/8226.gif)
![устройство для обработки поверхности материалов лазерным лучом, патент № 2206644](/images/patents/264/2206023/8226.gif)
1. Конов В. И., Пименов С.М., Прохоров А.М., Чаплиев Н.И. Электронно-микроскопические исследования перестройки микрорельефа поверхности материалов при многократном импульсном лазерном ИК-облучении в вакууме // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1987. - Вып.12. - С. 98. 2. Загиней А.А., Котлярчук Б.К., Курило И.В. и др. Изменение структуры и морфологии поверхности кристаллов HgTe в зоне действия импульсов лазерного излучения // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1986. - Вып.6. - С. 76. 3. Авторское свидетельство СССР 1055784, Бюл. ОИПОТЗ 43, 1983. 4. RU 2136467, М.кл. В 23 К 26/00, В 08 В 7/00, 10.09.1999.
Класс C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц