элемент оптической памяти
Классы МПК: | G11B7/24 носители записи, отличающиеся материалом или структурой, или формой |
Автор(ы): | Никольский Ю.А., Донцова В.В. |
Патентообладатель(и): | Никольский Юрий Анатольевич |
Приоритеты: |
подача заявки:
2000-08-31 публикация патента:
27.06.2003 |
Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO2-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при температуре жидкого азота в ближней ИК-области спектра.
Формула изобретения
Элемент оптической памяти, содержащий гетероструктуру n-InSb--SiO2-P-Si, отличающийся тем, что данная гетероструктура получена напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложку, которая выполнена из окисленного кремния, при 300oС с последующей термической перекристаллизацией.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Имеющиеся элементы оптической памяти на основе гетеропереходов АIIBVI и АIIIBV дают эффект оптической памяти до 30-40% в видимой области спектра [1] . Элемент оптической памяти на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-P-Si, полученной термической перекристаллизацией пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния, имеет в ближней ИК-области спектра 27 мкм эффект оптической памяти ~ 4050% при температуре жидкого азота. Коэффициент оптической памяти составляет ~ 104105. Элемент оптической памяти изготавливается путем создания гетероструктуры n-InSb-SiO2-P-Si, получаемой напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния при температуре ~300oС с последующей термической перекристаллизацией. К P-Si и к пленке n-InSb припаивают эвтектическим сплавом In-Sn тонкие медные проволочки для измерения тока памяти после выключения освещения при температуре жидкого азота. Измерения дают значения тока памяти ~4050% после выключения освещения в ближней ИК-области спектра. Литература[1] А. В. Симашкевич. Физические свойства гетеропереходов на основе соединений AIIBVI. Кишинев. Штиица, 1980 г., 162 с.
Класс G11B7/24 носители записи, отличающиеся материалом или структурой, или формой