устройство направленного излучения
| Классы МПК: | G02B5/124 с несколькими отражательными элементами, образующими часть одной пластины или листа |
| Автор(ы): | Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А., Харитонов С.И. |
| Патентообладатель(и): | Институт систем обработки изображений РАН |
| Приоритеты: |
подача заявки:
2002-04-05 публикация патента:
10.10.2003 |
Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано в светотехнических устройствах транспортных средств. Устройство содержит источник света, размещенный у торца световода. Световод выполнен в виде клина с выходным пропускающим и отражающим микрорельефами на его поверхностях. Выходной пропускающий микрорельеф может быть выполнен в виде растра фокусирующих микролинз, или растра рассеивающих микролинз, или растра скрещенных микролинз. Отражающий микрорельеф может быть выполнен в виде растра квазидифракционных призм. Уменьшена мощность источника света, улучшена ремонтопригодность устройства, обеспечена возможность формирования различных диаграмм направленности, например, Z-образной световой границы для уменьшения ослепления встречных водителей, уменьшены габариты. 5 з.п.ф-лы, 4 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12
Формула изобретения
1. Устройство направленного излучения, состоящее из световода и размещенного у его торца источника света, отличающееся тем, что световод выполнен в виде клина с выходным пропускающим и отражающим микрорельефами на его поверхностях. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выходной пропускающий микрорельеф выполнен в виде растра фокусирующих микролинз, высота и форма зон которых определяются выражением
где h - высота пропускающего микрорельефа;
(u, v) - декартовы координаты в плоскости выходного пропускающего микрорельефа с началом в его центре (-А/2
uА/2, -В/2vВ/2);n - показатель преломления материала;
К=[А/а]+1, L=[B/b]+1, [x] - целая часть от х;
А и В - размеры выходного пропускающего микрорельефа;
a и b - размеры микролинз a = 2ftg
u/2, b = 2ftgv/2;f - фокусное расстояние микролинз;
u, v - углы рассеяния формируемой осветителем диаграммы направленности излучения;m=1,2,3.... целое число;
- средняя длина волны источника света;h0 - масштабная константа;
(uk, vl) - координаты центров микролинз, uk=-A/2+(k-0,5)a, vl=-B/2+(l-0,5)b;
k, l, i - индексы суммирования. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выходной пропускающий микрорельеф выполнен в виде растра рассеивающих микролинз, высота которых и форма зон определяются выражением
где h - высота пропускающего микрорельефа;
(u, v) - декартовы координаты в плоскости выходного пропускающего микрорельефа с началом в его центре (-А/2
uА/2, -В/2vВ/2);n - показатель преломления материала;
К=[А/а]+1, L=[B/b]+1, [x] - целая часть от х;
А и В - размеры выходного пропускающего микрорельефа;
а и b - размеры микролинз, a = 2ftg
u/2, b = 2ftgv/2;f - фокусное расстояние микролинз;
u, v - углы рассеяния формируемой осветителем диаграммы направленности излучения;m=1,2,3....целое число;
- средняя длина волны источника света;
(uk, vl) - координаты центров микролинз, uk=-A/2+(k-0,5)a, vl=-B/2+(l-0,5)b,
k, l, i - индексы суммирования. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выходной пропускающий микрорельеф выполнен в виде растра скрещенных микролинз, высота которых и форма зон определяются выражением
где h - высота пропускающего микрорельефа;
(u, v) - декартовы координаты в плоскости выходного пропускающего микрорельефа с началом в его центре (-А/2
uА/2, -В/2vВ/2);n - показатель преломления материала;
К=[А/а]+1, L=[B/b]+1, [x] - целая часть от х;
А и В - размеры выходного пропускающего микрорельефа;
а и b - размеры микролинз;
fu = a/2tg(
u/2); fv = в/2tg(v/2) - фокусные расстояния микролинз;u, v - углы рассеяния формируемой осветителем диаграммы направленности излучения;m=1,2,3.... целое число;
- средняя длина волны источника света;h0 - масштабная константа;
(uk, vl) - координаты центров микролинз, uk=-А/2+(k-0,5)a, vl=-В/2+(l-0,5)а;
k, l, i - индексы суммирования. 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выходной пропускающий микрорельеф выполнен в виде растра скрещенных рассеивающих микролинз, высота которых и форма зон определяются выражением
где h - высота пропускающего микрорельефа;
(u, v) - декартовы координаты в плоскости выходного пропускающего микрорельефа с началом в его центре (-А/2
uА/2, -В/2vВ/2);n - показатель преломления материала;
K=[А/а]+1, L=[B/b]+1, [x] - целая часть от х;
А и В - размеры выходного пропускающего микрорельефа;
а и b - размеры микролинз;
fu = a/2tg(
u/2); fv = в/2tg(v/2) - фокусные расстояния микролинз;u, v - углы рассеяния формируемой осветителем диаграммы направленности излучения;m=1, 2, 3 - целое число;
- средняя длина волны источника света;
(uk, vl) - координаты центров микролинз, uk=-А/2+(k-0,5)a, vl=-B/2+(l-0,5)a,
k, l, i - индексы суммирования. 6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отражающий микрорельеф выполнен в виде растра квазидифракционных призм, высота и форма зон которых определяются выражением
где Н - высота отражающего микрорельефа;
(х, у) - декартовы координаты в плоскости отражающего микрорельефа с началом в ее центре (-С/2
хС/2, -В/2уВ/2);M=C/d - количество квазидифракционных призм;
- угол наклона отражающего микрорельефа;C=A/cos
- длина отражающего микрорельефа;В - ширина отражающего микрорельефа;
d - период растра;
хi=-С/2+(i-0,5)d - центр призм;
=(45o-) - угол призмы;а=[d(tg
-tg)]/2(tg+tg) - параметр (|a|<d/2).н
Описание изобретения к патенту
Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).Класс G02B5/124 с несколькими отражательными элементами, образующими часть одной пластины или листа
