способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления
Классы МПК: | B01D59/48 использующей электростатическое и магнитное поля H05H15/00 Способы или устройства для ускорения заряженных частиц, не предусмотренные в предыдущих рубриках |
Автор(ы): | Карчевский А.И., Потанин Е.П. |
Патентообладатель(и): | Карчевский Александр Иванович, Потанин Евгений Петрович |
Приоритеты: |
подача заявки:
2001-07-25 публикация патента:
27.11.2003 |
Изобретение предназначено для химической, атомной промышленности, а также для радиомедицины. В вакуумной рабочей камере 1, размещенной в криостате 2, создают продольное однородное магнитное поле соленоидом 3. В левой части камеры 1 расположен плазменный источник, содержащий тигель 4 для испарения разделяемого элемента, электронную пушку 11, создающую электронный пучок 10, проходящий по металлическому трубопроводу 12. Плазменный источник также содержит зону электронно-циклотронного разряда 13 и экраны 14 для сбора испаряемого продукта. На экранах 14 собираются атомы разделяемого вещества, не успевшие ионизироваться, которые можно периодически извлекать из камеры 1 и снова помещать в тигель 4. Средства транспортировки микроволнового излучения в зону ионизации представляют собой волновод 5 и зеркало 6. Электрод 15 предназначен для отражения электронов, что исключает потери. Для селективного нагрева ионов устройство снабжено высокочастотной антенной 7. В результате резонансного ионно-циклотронного нагрева целевые ионы приобретают высокую поперечную энергию и траекторию 8. Нецелевые изотопы имеют траекторию 9. Коллекторная система расположена в правой части камеры 1 за областью нагрева в зоне ослабленного однородного магнитного поля и состоит из экранов 17, защищающих металлические пластины 16 для сбора целевых ионов, и поперечной к потоку отвальной пластины 18. Пластины 16 размещены радиально друг относительно друга. Способ и устройство характеризуются высокой производительностью и особенно эффективны для разделения изотопов тугоплавких элементов. 2 с. и 5 з. п. ф-лы, 6 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6
Формула изобретения
1. Способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса, в котором плазму, содержащую ионы, включающие атомы элемента, имеющего, по меньшей мере, два изотопа, помещают в постоянное магнитное поле и подвергают действию переменного перпендикулярного магнитному электрического поля, частота которого соответствует циклотронной частоте ионов целевого изотопа для преимущественного ускорения этих ионов таким образом, что ионы ускоренного целевого изотопа двигаются по раскручивающимся спиральным траекториям с поперечными энергиями, существенно превышающими энергию неускоренных ионов других изотопов, затем ионы ускоренного целевого изотопа отделяют от неускоренных ионов, отличающийся тем, что предварительно плазму создают путем ионизации паров элемента, изотопы которого разделяются, получаемых испарением с помощью электронного пучка, направляют образовавшийся плазменный поток вдоль постоянного магнитного поля и ускоренные ионы целевого изотопа отделяют от остальных ионов в зоне ослабленного магнитного поля с расходящимися магнитными силовыми линиями.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что электронный пучок направляют вдоль силовой линии постоянного магнитного поля непосредственно на поверхность испаряемого элемента с возможностью его перемещения по поверхности.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что электронный пучок направляют вдоль силовой линии постоянного магнитного поля снизу испаряемого элемента.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что вдоль силовой линии постоянного магнитного поля направляют одновременно два электронных пучка, один из которых выходит из зоны ослабленного магнитного поля снизу испаряемого элемента, а другой сверху испаряемого элемента.5. Устройство для разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса, включающее вакуумную рабочую камеру, расположенную в сверхпроводящей магнитной системе, содержащей плазменный источник, средства транспортировки микроволнового излучения в зону ионизации и коллекторную систему, состоящую из экранов, металлических пластин для отбора целевых ионов и, по меньшей мере, одной отвальной пластины, отличающееся тем, что плазменный источник содержит тигель с испаряемым элементом, электронную пушку, позволяющую нагревать и испарять разделяемый элемент, зону электронно-циклотронного разряда, средства транспортировки микроволнового излучения представляют собой волновод и зеркало, а коллекторная система расположена за областью нагрева в зоне ослабленного однородного магнитного поля, причем металлические пластины для отбора целевых ионов размещены радиально друг относительно друга.6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что коллекторная система расположена в зоне расходящихся силовых линий магнитного поля.7. Устройство по п.5, отличающееся тем, что в плазменном источнике в качестве движущегося катода использован гадолиниевый или любой другой диск из разделяемого вещества, диаметр которого больше, чем диаметр плазменного разряда, размещенный с возможностью его вращения вокруг горизонтальной оси, смещенной вверх от оси сверхпроводящей магнитной системы.Описание изобретения к патенту
Область техникиИзобретение относится к области разделения стабильных изотопов в плазме методом ионного циклотронного резонанса (ИЦР), а также к устройствам для его реализации. Широкое применение стабильных изотопов в радиомедицине, атомной промышленности, а также для решения проблем фундаментальной физики требует поддержания ассортимента получаемых изотопов и увеличения их производства. Предшествующий уровень техники
Известен электромагнитный способ получения стабильных изотопов средних и больших масс в промышленных масштабах (Арцимович Л.А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. М., 1978 г., с. 119). В практически универсальном электромагнитном способе разделение ионов различных масс имеет место в ионном пучке, распространяющемся поперек магнитного поля в вакууме. Вследствие отталкивающего кулоновского взаимодействия между ионами в пучке ионный ток в электромагнитном способе мал, что приводит к ограниченным количествам получаемого изотонически обогащенного продукта при высокой его цене. Известен эффективный и гибкий метод газового центрифугирования, который позволяет получать сравнительно дешевые стабильные изотопы в значительных количествах (сотни кг и более), но только тех элементов Периодической системы, которые имеют газообразные соединения при комнатной температуре. Таких элементов в природе не более 20. Известно устройство для получения стабильных изотопов электромагнитным способом (Арцимович Л.А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. М., 1978 г., с.119). Известно также устройство, представляющее собой каскад газовых центрифуг (Аббакумов Е. И., Баженов В.А., Вербин Ю.В. и др. Атомная энергия, 1989, т. 67, вып.4, с.255). В современных условиях возникла проблема получения стабильных изотопов некоторых элементов, которые не имеют удобных газообразных соединений при нормальных условиях и поэтому не могут быть получены центробежным методом, а требуемые количества этих изотопов превышают производительные возможности электромагнитных сепараторов. Эти стабильные изотопы необходимы для нужд ядерной энергетики (Gd-157), медицины (Pd-102, T1-203) и фундаментальной физики (Са-48. Nd-150). Особое место в перечисленном выше ряду занимает изотоп Gd-157, мировая потребность в котором оценивается около одной тонны в год. Этот изотоп, представляющий практический интерес благодаря очень высокому сечению поглощения нейтронов, присутствует вместе с изотопами, имеющими массовые числа 152, 154, 155, 156, 158 и 160. Перечисленные выше материалы не могут быть получены в килограммовых и более количествах никакими из существующих промышленных методов. Возникает пробел в индустриальных методах получения стабильных изотопов ряда элементов, требуемых в количествах десятков и сотен килограммов в год. Этот пробел на сегодняшний день может заполнить плазменный метод разделения, а именно метод ионно-циклотронного резонанса (ИЦР-процесс). Поскольку именно нескомпенсированность положительного объемного заряда ионного пучка в масс-сепараторе препятствует увеличению производительности разделительного модуля, было высказано предложение (1. Аскарьян Г.А., Намиот В. А. , Рухадзе А.А. Письма в ЖТФ, 1975, 1, с.820; 2. Dawson J.M., Kim H.C., Arnush D. et al. Phys. Rev. Lett., 1976, 37, р. 1547; 3. Dawson J.M., Patent USA, 4,059,761, 1977; 4. Dawson J.M., Patent USA, 4,066,893, 1978) использовать для разделения ионов по массам плазму, в которой ионный заряд скомпенсирован электронами. По сравнению с промышленным электромагнитным сепаратором ИЦР-установка должна производить существенно большее количество цепного продукта в силу отсутствия ограничений на величину перерабатываемого потока вещества, связанных с положительным объемным зарядом ионов в плазме. Для разделения изотопов тугоплавких элементов методом ИЦР известен источник с катодным распылением ионами высокой энергии (WO, A1, Romesser Т. et al. , 84/02803). К распыляемой пластине, изготовленной из разделяемого вещества, прикладывают отрицательный электрический потенциал U, достаточный для сообщения бомбардирующим пластину ионам такой энергии, чтобы при ударе о пластину выбить с ее поверхности несколько нейтральных атомов. Далее эти нейтральные атомы ионизируются электронами в зоне электронно-циклотронного резонанса ЭЦР-разряда вблизи пластины. Такой ЭЦР-разряд создают под действием микроволнового (СВЧ) излучения, поступающего по волноводу и отражаемого от зеркала в ЭЦР-зону. Обычно для организации работы такого источника добавляется буферный инертный газ, чтобы обеспечить необходимое количество бомбардирующих пластину ионов как в начале процесса распыления, так и в рабочем режиме процесса распыления, если образующихся ионов недостаточно для эффективного распыления выбранного тугоплавкого элемента (Gd, W и т.д.). Использование в ИЦР-установке инертного газа вызывает ряд нежелательных побочных эффектов. Из-за столкновений ионов и нейтралов этого газа с ионами разделяемого элемента в зоне ВЧ-антенны уменьшается селективность ИЦР-нагрева. Сам инертный газ не адсорбируется на стенках вакуумной камеры, в результате чего его концентрация может быть значительной во всем объеме разделительной ИЦР-установки. Однако более внимательное рассмотрение показывает, что существуют серьезные трудности в реализации распылительного механизма, когда требуется получение изотопов гадолиния. Эти трудности связаны со сравнительно низкой температурой плавления гадолиния (1313oС) и его низкой теплопроводностью. Дело в том, что тепловая мощность, диссипируемая в катоде при его бомбардировке с целью создания потока распыленных атомов на уровне эквивалентного тока 100 А и выше, достигает 100-200 кВт при площади катодной пластины 2000-3000 см2. При таких тепловых нагрузках в условиях низкой теплопроводности гадолиния возникает опасность расплавления пластины (диска), что требует дополнительного охлаждения к охлаждению излучением. Такое охлаждение может быть осуществлено только с тыльной стороны катодной пластины, например, за счет водяного (или другого) охлаждения металлической подложки, к которой крепится распыляемая пластина. К сожалению, создание такой конструкции, требующей надежного соединения подложки и гадолиниевого диска, выдерживающей высокие напряжения в условиях изгибания диска, вызванного его тепловым расширением за счет падающей тепловой мощности, представляет собой очень трудную инженерную задачу. Однако, даже если бы эту задачу удалось решить, всегда будет существовать серьезная опасность локального проплавления гадолиниевой пластины вследствие затруднений при поддержании оптимального режима распыления с однородным прогревом пластины со всеми вытекающими отсюда последствиями прорыва охлаждающей жидкости в вакуумную камеру. Известен плазменный источник распылительного типа, где вместо буферного инертного газа предлагалось использовать пары легкоиспаряемых металлов (заявка на изобретение 96111414, B 01 D 59/48, 1998.09.27, Карчевский А.И. и др.). Испаритель можно расположить в нижней части установки вблизи ЭЦР-зоны. В качестве рабочего элемента для испарения можно использовать такие вещества, как Zn, Pb и др. Осаждение неионизованных атомов пара металла (Zn, Pb и др. ) в вакуумной рабочей камере вблизи источника на охлаждаемых экранах практически исключит их попадание в зону ВЧ-разряда. Такой источник в принципе мог бы использоваться и при разделении изотопов гадолиния. Известна также заявка на изобретение ( 96110291, В 01 D 59/48, 1998.08.27, Карчевский А. И. и др.), где было предложено располагать коллектор в области ослабленного однородного магнитного поля. В этом случае рабочая зона нагрева (магнитное поле В0), определяющая селективность, и зона расположения коллектора (магнитное доле В1<В) оказываются как бы развязанными по величине магнитного поля. В этом случае ларморовский радиус частиц в области коллектора увеличивается пропорционально
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/2217223-2t.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217028/956.gif)
фиг.1 - схема ИЦР-установки с электронным пучком;
фиг.2 - схема элемента коллекторной системы;
фиг. 3 - схема расположения коллектора в зоне однородного ослабленного магнитного поля;
фиг.4 - схема расположения радиальных пластин коллектора;
фиг.5 - принцип действия радиального коллектора;
фиг.6 - схема плазменного источника с движущимся распыляемым катодом. На предложенных чертежах представлены:
1 - вакуумная рабочая камера;
2 - криостат;
3 - соленоид;
4 - тигель;
5 - волновод;
6 - зеркало;
7 - ВЧ-антенна;
8 - траектория целевых ионов;
9 - траектория нерезонансных ионов;
10 - электронный пучок;
11 - электронная пушка;
12 - металлические трубопроводы (полосы);
13 - зона ЭЦР-нагрева;
14 - экраны для сбора испаряемого продукта;
15 - электрод (в том числе и гадолиниевый диск);
16 - металлические пластины для отбора целевых ионов;
17 - защитные экраны;
18 - отвальная пластина. Лучший вариант осуществления изобретения. Пример 1. Плазменная разделительная установка включает в себя несколько основных узлов, находящихся в вакуумной рабочей камере 1, размещенной в теплом отверстии криостата 2. Это - магнитная система с высокой степенью однородности продольного магнитного поля в достаточно большом объеме (как по сечению, так и по длине), плазменный источник, ВЧ-система изотопически селективного нагрева ионов и коллектор ускоренного целевого изотопа. На чертеже показана схема предлагаемого устройства. Магнитное поле создают соленоидом 3. Для создания однородного в большом объеме магнитного поля необходимы сверхпроводящие магнитные системы (CMC). Источник плазмы (он располагается в левой части устройства) основан на испарении любого металла в тиглях 4. Для ионизации нейтральных атомов в источнике плазмы можно использовать мощные и достаточно экономичные генераторы СВЧ-излучения (клистроны, гиротроны). На чертеже показаны также устройства транспортировки микроволнового излучения в зону ионизации: волновод 5 и зеркало 6. Система селективного нагрева ионов представляет собой ВЧ-антенну 7, генерирующую в объеме плазмы переменные электрические поля с частотой, близкой или равной собственной циклотронной частоте извлекаемого ионного компонента. Испытывая резонансный ионно-циклотронный нагрев, целевые ионы приобретают высокую поперечную (по отношению к продольному магнитному полю) энергию, а следовательно, и больший по сравнению с нерезонансными ионами ларморовский радиус. Траектория целевых ионов 8 и траектория нерезонансных ионов 9 показаны на фиг.1. Длина зоны нагрева ионов должна составлять несколько метров, чтобы уменьшить времяпролетное и доплеровское уширение линии ИЦР-нагрева ионов. Предлагается использовать в ИЦР-установке для испарения гадолиния или любого другого элемента чрезвычайно эффективную методику нагрева и испарения вещества с помощью электронного пучка. Нагрев материала с целью его испарения следует производить в тигле из тугоплавкого материала, нагреваемой мощным электронным пучком 10. Для этого могут быть использованы электронные пушки 11. Транспортировку электронного пучка в такой ИЦР-установке осуществляют вдоль силовых линий магнитного поля. Силовые линии CMC прямолинейны в зоне ВЧ-нагрева и имеют конфигурацию расходящихся линий на торцах. Здесь показаны несколько таких силовых линий магнитного поля. Выбрана одна из них, проходящая на больших радиусах в нижней части рабочей камеры ИЦР-установки и не задевающая элементы конструкций CMC и рабочей камеры. В нижней части отсека плазменного источника под зоной ЭЦР-разряда в области спадающего магнитного поля ИЦР-установки установлен тигель из тугоплавкого материала (например, из Мо, Та, W и т.д.) с твердым гадолинием или другим элементом, изотопы которого разделяются таким образом, чтобы указанная ранее силовая линия проходила через поверхность предполагаемого испарения под некоторым углом к поверхности. При этом возможны несколько вариантов испарения. Можно подогревать тигель электронным пучком, распространяющимся вдоль силовой линии снизу (порт для входа пучка показан в левой части чертежа). Для этого следует изготавливать тигель из молибдена, тантала или другого тугоплавкого материала, который не взаимодействует с гадолинием, причем предусматривать возможность производить периодические перемещения электронного пучка с целью не допущения прожигания материала. Можно направлять пучок сверху непосредственно на поверхность испаряемого материала (порт для введения пучка показан в правой части чертежа), пропуская его вдоль всей вакуумной камеры с противоположного конца установки также с возможностью перемещения пучка по поверхности. Можно также использовать одновременно два электронных пучка, один из которых, распространяющийся из ближней зоны ослабленного магнитного поля снизу, подогревает тигель до умеренных температур (для Gd порядка 1000oС), а другой, направляемый с противоположного конца установки вдоль поверхности металлической вакуумной камеры, непосредственно осуществляет испарение гадолиния или другого элемента. Тигель может быть удален и заменен новым с помощью шлюзовой системы. Следует иметь ввиду, что Gd является ферромагнитным материалом с точкой Кюри около 30oС, вследствие чего операцию ввода тигля с Gd и размещением его в сильном магнитном поле следует проводить с подогретым до температуры 100-200oС рабочим веществом, когда Gd становится слабо ферромагнитным. Такой предварительный подогрев может осуществляться с помощью обычного омического подогревателя с бифилярной токопроводящей системой для предотвращения перехода из парамагнитного в ферромагнитное состояние при комнатной температуре. Для устойчивой транспортировки электронных пучков в области вдали от поверхности вакуумной камеры необходимо использовать металлические трубопроводы или металлические полосы 12. Если пучок распространяется на расстоянии нескольких сантиметров от металлической поверхности вакуумной камеры, использование трубопроводов и других элементов для поддержания устойчивости пучка не обязательно. Однако расстояние от пучка до стенки камеры не может быть больше некоторого критического значения. Для протекания обратного тока предусмотрен электрический контакт тигля с трубопроводом или металлической стенкой камеры. Для транспортировки пучка вдоль силовой линии, расположенной на больших радиусах цилиндрического вакуумного объема, должна быть предусмотрена такая конфигурацию элементов CMC (криостата и тепловых экранов), которая допускает беспрепятственное прохождение пучка в области неоднородного поля на торце. Предлагается также осуществлять выравнивание плотности плазменного потока, генерируемого в источнике с испарением, за счет вариации интенсивности СВЧ-излучения по сечению зоны ионизации. Преимущество схемы испарения гадолиния или другого тугоплавкого металла, когда пар подается поперек направления последующего извлечения ионов, т.е. поперек магнитного поля, вдоль зоны ЭДР-разряда 13, связано с тем, что не успевшие ионизоваться при своем вертикальном распространении атомы испаренного вещества в основном конденсируются в специально приспособленных для этого экранах 14 вблизи зоны источника плазмы непосредственно над тиглем, а не распространяются вдоль всей рабочей камеры установки. Этот материал можно периодически извлекать и снова направлять в систему испарения. В нижней части рабочей камеры в местах, хорошо защищенных для прямого попадания потока испаряемого материала, размещены зеркала СВЧ-тракта. На электрод 15 подают отрицательный относительно плазмы потенциал для отражения электронов. В такой конструкции существенно снижается концентрация нейтральных атомов в области ВЧ-нагрева и исключаются потери, связанные с перезарядкой ускоренных целевых ионов на нейтральных атомах испаряемого вещества. Можно использовать сразу несколько тиглей, размещенных в нижней части источника по азимуту рядом друг с другом, позволяющих осуществлять квазинепрерывный режим испарения и генерации плазменного потока. Несмотря на то, что при этом труднее достичь пространственной однородности потока, существенно возрастает эффективность ионизации, а следовательно, и средняя степень ионизации плазменного потока, вытекающего из источника. Тем не менее приемлемая однородность плазменного гадолиниевого потока в такой конструкции достигается перераспределением уровня СВЧ-мощности по высоте с помощью зеркал либо размещением нескольких испарителей, располагающихся по азимуту в нижней зоне источника плазмы. За зоной нагрева в правой части установки помещена коллекторная система, представляющая собой металлические пластины для отбора целевых ионов 16, защищенные экранами 17, и поперечную к потоку отвальную пластину 18. Для получения высокой изотопической селективности необходимо, чтобы линия циклотронного поглощения энергии целевого "изотопного" иона была разрешена относительно соседних изотопов. Условие селективности может быть представлено в виде
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/2217223-3t.gif)
где
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217027/916.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217037/969.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217037/969.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217037/969.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/2217223-4t.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217027/916.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217037/969.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/2217223-5t.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217042/948.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/8869.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/8869.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/8869.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/8869.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217107/8776.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217107/8776.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217107/8776.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217027/916.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/8869.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/2217223-6t.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217223/2217223-7t.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217107/8776.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217028/949.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217092/963.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217028/949.gif)
![способ разделения стабильных изотопов в плазме методом ионно-циклотронного резонанса и устройство для его осуществления, патент № 2217223](/images/patents/251/2217092/963.gif)
Класс B01D59/48 использующей электростатическое и магнитное поля
Класс H05H15/00 Способы или устройства для ускорения заряженных частиц, не предусмотренные в предыдущих рубриках