способ определения концентрации элемента в веществе сложного химического состава
| Классы МПК: | G01N23/223 облучением образца рентгеновскими лучами и измерением рентгенофлуоресценции |
| Автор(ы): | Косьянов П.М. |
| Патентообладатель(и): | Южно-Уральский государственный университет |
| Приоритеты: |
подача заявки:
2001-12-13 публикация патента:
27.11.2003 |
Изобретение относится к аналитической химии. Способ включает облучение пробы анализируемого вещества гамма- или рентгеновским излучением, регистрацию интенсивностей характеристической линии определяемого элемента и рассеянного пробой первичного излучения. Затем, используя впервые полученное аналитическое выражение, связывающее оптимальную поверхностную плотность дополнительного поглотителя из анализируемого вещества и измеренные интенсивности, рассчитывают точное значение оптимальной поверхностной плотности поглотителя, при котором происходит наиболее полный учет матричного эффекта. Затем дополнительный поглотитель рассчитанной поверхностной плотности помещают между анализируемой пробой и детектором и регистрируют интенсивность характеристической линии определяемого элемента в прямом измерении и интенсивность рассеянного пробой первичного излучения, прошедшего через дополнительный поглотитель. Концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе рассчитывают по аналитическому сигналу, представляющему собой отношение вышеуказанных интенсивностей. Техническим результатом изобретения является повышенная точность измерений. 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9
Формула изобретения
Способ определения концентрации элемента в веществе сложного химического состава, включающий облучение пробы анализируемого вещества гамма- или рентгеновским излучением, отличающийся тем, что предварительно регистрируют интенсивности характеристической линии определяемого элемента и интенсивности некогерентно рассеянного пробой первичного излучения в прямом измерении, затем по значениям измеренных интенсивностей определяют оптимальное значение поверхностной плотности дополнительного поглотителя из анализируемого вещества, при котором происходит максимальный учет матричного эффекта по выражению
где Is - интенсивность некогерентно рассеянного пробой первичного излучения в прямом измерении;Ii - интенсивность анализируемой линии определяемого элемента в прямом измерении;Кi, Кs - коэффициенты пропорциональности, не зависящие от химического состава пробы;М0a - массовый коэффициент поглощения первичного излучения в анализируемом элементе;Е0 и Еi - энергии первичного и характеристического излучения;
- угол между пучком первичного излучения и поверхностью пробы;
- угол между поверхностью пробы и вторичным излучением (включающим характеристическое и рассеянное), испускаемым веществом пробы в направлении детектора;Sk - скачок поглощения для анализируемой линии,затем регистрируют интенсивности характеристической линии определяемого элемента в прямом измерении и некогерентно рассеянного пробой первичного излучения, прошедшего через поглотитель оптимальной поверхностной плотности, а содержание концентрации элемента устанавливают по отношению указанных интенсивностей.
Описание изобретения к патенту
ТаблицырКласс G01N23/223 облучением образца рентгеновскими лучами и измерением рентгенофлуоресценции
