коммутирующее устройство
Классы МПК: | H01P1/15 посредством полупроводниковых приборов |
Автор(ы): | Александров А.П., Батталов И.Р., Кардаполов А.А., Бибаев В.Г. |
Патентообладатель(и): | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ижевский электромеханический завод" "Купол" |
Приоритеты: |
подача заявки:
2002-02-13 публикация патента:
10.02.2004 |
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приемопередающей аппаратуре различного назначения, в частности ограничителях, переключающих и фазовращающих СВЧ-устройствах высокого уровня мощности. Коммутирующее устройство содержит отрезок прямоугольного волновода с полупроводниковым элементом. Полупроводниковый элемент установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя волноводными переходами, в котором в месте установки полупроводникового элемента выполнены перегородки, расположенные в поперечном сечении вдоль узких стенок, при этом расстояние между перегородками определяется из условия
где dэ - поперечный размер полупроводникового элемента (диаметр pin-диода) с диэлектрической проницаемостью , - длина волны. При этом полупропроводниковый элемент может быть установлен по середине продольного размера участка волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя симметричными волноводными переходами. Полупроводниковый элемент может быть установлен на продольной оси волновода, а перегородки установлены симметрично относительно полупроводникового элемента. Полупроводниковый элемент может быть установлен вертикально между широкими стенками участка прямоугольного волновода. Технический результат заключается в снижении потерь и увеличении полосы частот устройства. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Рисунок 1
где dэ - поперечный размер полупроводникового элемента (диаметр pin-диода) с диэлектрической проницаемостью , - длина волны. При этом полупропроводниковый элемент может быть установлен по середине продольного размера участка волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя симметричными волноводными переходами. Полупроводниковый элемент может быть установлен на продольной оси волновода, а перегородки установлены симметрично относительно полупроводникового элемента. Полупроводниковый элемент может быть установлен вертикально между широкими стенками участка прямоугольного волновода. Технический результат заключается в снижении потерь и увеличении полосы частот устройства. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Формула изобретения
1. Коммутирующее устройство, содержащее отрезок прямоугольного волновода с полупроводниковым элементом, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя волноводными переходами, в котором в месте установки полупроводникового элемента выполнены перегородки, расположенные в поперечном сечении вдоль узких стенок, при этом расстояние между перегородками определяется из условия: где a - расстояние между перегородками;dэ - поперечный размер полупроводникового элемента с диэлектрической проницаемостью . - длина волны.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен по середине продольного размера участка волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя симметричными волноводными переходами.3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен на продольной оси волновода, а перегородки установлены симметрично относительно полупроводникового элемента.4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен вертикально между широкими стенками участка прямоугольного волновода.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приемопередающей аппаратуре различного назначения, в частности ограничителях, переключающих и фазовращающих СВЧ-устройствах высокого уровня мощности. Известны СВЧ-коммутирующие модули. Так, в ограничителях, переключателях, фазовращателях коммутирующим элементом являются полупроводниковые структуры, установленные в волноводе (авт. свид. СССР 307448, 368684 Н 01 Р 1/18). Однако они не обеспечивают достаточного диапазона частот и имеют значительные потери как при отражении, так и при прохождении СВЧ-сигнала. Известно коммутирующее устройство фазовращателя, выбранное в качестве прототипа. Оно выполнено в виде установленной в отрезке волновода резонансной диафрагмы, в отверстии которой установлен pin-диод (А.З.Фрадин. "Антенно-фидерные устройства, М., Связь, 1977, с.175-178). Диод расположен в отверстии диафрагмы, которая либо пропускает сигнал СВЧ, либо его отражает. Если на диод не подано управляющее напряжение, диод закрыт, СВЧ-сигналы проходят через резонансную диафрагму с определенными потерями. При подаче на диод управляющего напряжения диод открыт, сопротивление его скачком уменьшается и он начинает шунтировать диафрагму. Сигналы СВЧ отражаются от диафрагмы. Таким образом имеем два положения коммутации СВЧ-сигналов: первое - при открытом диоде, второе - при закрытом. Недостаток такого коммутирующего устройства заключается в больших потерях при прохождении СВЧ-сигналов через резонансную диафрагму с pin-диодом (порядка 2,5 дБ) и узкая полоса частот, т.к. pin-диод располагается в резонансной диафрагме и полоса частот устройства определяется добротностью диафрагмы. Целью заявляемого изобретения является снижение потерь и увеличение полосы частот устройства. Поставленная задача решается следующим образом. В коммутирующем устройстве, содержащем отрезок прямоугольного волновода с полупроводниковым элементом, полупроводниковый элемент установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода с меньшим по узкой стенке поперечным сечением, образованного между двумя волноводными переходами, в котором в месте установки полупроводникового элемента выполнены перегородки, расположенные в поперечном сечении вдоль узких стенок, при этом расстояние между перегородками определяется из условия:где dэ - поперечный размер полупроводникового элемента (диаметр pin-диода) с диэлектрической проницаемостью ;
- длина волны. Предпочтительно, чтобы полупроводниковый элемент был расположен по середине продольного размера участка прямоугольного волновода с меньшим сечением, образованного между двумя симметричными переходами. Предпочтительно, чтобы полупроводниковый элемент был установлен на продольной оси прямоугольного волновода и вертикально между его широкими стенками. А перегородки в прямоугольном волноводе предпочтительно выполнить симметрично относительно полупроводникового элемента. Предлагаемое расположение полупроводникового элемента в участке прямоугольного волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке позволяет снизить потери при прохождении электромагнитной волны и увеличить полосу частот за счет отсутствия резонансных элементов в устройстве. На чертеже приведен общий вид коммутирующего устройства и продольный разрез. Коммутирующее устройство содержит отрезок волновода 1, полупроводниковый элемент (pin-диод) 2, который установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода 3 с меньшим поперечным сечением по узкой стенке b", образованного между двумя волноводными переходами. Перегородки 4, 5 выполнены в поперечном сечении участка прямоугольного волновода 3 вдоль его узких стенок. В предлагаемом устройстве в отличие от прототипа полупроводниковый элемент 2 располагается между широкими стенками участка прямоугольного волновода 3, образованного между двумя волноводными переходами с меньшим размером узкой стенки в поперечном сечении. Размер узкой стенки b" участка волновода 3 определяется размером (высотой) устанавливаемого полупроводникового элемента 2, а длина L" этого участка выбирается из условия обеспечения наилучшего согласования в волноводе 1, т.е. чтобы паразитные отражения от всей структуры были минимальными. Полупроводниковый элемент 2 располагается на продольной оси участка волновода 3. Устройство работает следующим образом. Полупроводниковый элемент 2 работает в ключевом режиме. То есть, когда подано управляющее напряжение, полупроводниковый элемент находится в открытом состоянии, сопротивление его мало и по нему протекает ток. Тем самым волновод 1 оказывается закороченным. Для обеспечения лучшего отражения основной волны от закороченного полупроводникового элемента 2 с обеих сторон от него в поперечном сечении вдоль узких стенок выполнены перегородки 4, 5. Таким образом, электромагнитная волна полностью отражается от закороченной структуры. Расстояние между перегородками 4, 5 в данном случае выбирается из условия:
a<d+/2.
При отключении управляющего напряжения сопротивление полупроводникого элемента 2 резко возрастает, ток в нем не протекает. Электромагнитная волна проходит через полупроводниковый элемент 2, представляющий в данном случае диэлектрик. При этом длина волны в диэлектрике уменьшается в раз. Перегородки 4, 5, выполненные в поперечном сечении участка прямоугольного волновода 3, компенсируют это изменение длины волны, т.к. при уменьшении широкой стенки волновода в поперечном сечении длина волны в волноводе увеличивается. Расстояние между перегородками в этом случае определяется с учетом уменьшения длины волны в диэлектрике (диоде) 2 и выбирается из условия:
Расстояние между перегородками 4, 5 определяется двусторонним неравенством:
. Длина волновода L" выбирается с учетом обеспечения наилучшего согласования в основном волноводе и определяется экспериментальным путем. Таким образом, за счет расположения полупроводникового элемента (pin-диода) 2 не в резонансной диафрагме, а в участке прямоугольного волновода 3 с размером узкой стенки, обеспечивающей его установку, при прохождении СВЧ- сигнала через полупроводниковый элемент достигается значительное снижение потерь. При этом рабочая полоса частот устройства существенно расширяется. В 4%-ной полосе частот потери сигнала при прохождении не превосходят 0,35 дБ.
Класс H01P1/15 посредством полупроводниковых приборов
двухканальный переключатель свч - патент 2479079 (10.04.2013) | |
переключатель свч - патент 2450393 (10.05.2012) | |
переключатель свч - патент 2410802 (27.01.2011) | |
двухканальный переключатель свч - патент 2401488 (10.10.2010) | |
переключатель свч - патент 2380796 (27.01.2010) | |
ограничитель мощности свч - патент 2354016 (27.04.2009) | |
широкополосный микрополосковый переключатель свч - патент 2339126 (20.11.2008) | |
переключатель свч - патент 2335832 (10.10.2008) | |
диодный переключатель повышенной сверхвысокочастотной мощности - патент 2332757 (27.08.2008) | |
переключатель свч - патент 2313866 (27.12.2007) |