ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой кюри

Классы МПК:C30B29/46 серо-, селен- или теллурсодержащие соединения
C01G49/00 Соединения железа
C01G15/00 Соединения галлия, индия или таллия
C01B19/00 Селен; теллур; их соединения
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН
Приоритеты:
подача заявки:
2002-05-13
публикация патента:

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах. Предложен новый ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой Кюри, представляющий собой тройное соединение теллурида индия и железа формулы InFeTe3. Для соединения InFeTe3 температура Кюри равна 773 К. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств делает его перспективным материалом для широкого практического использования. 1 ил., 1 табл.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

Ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой Кюри, включающий железо, халькоген и индий, представляющий собой тройное соединение теллурида индия и железа состава InFeTe3.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах.

Вышеуказанные тройные теллуриды железа и индия относится к классу халькохромитов элементов шестой группы Периодической системы.

Наиболее интересным с практической точки зрения из этого класса веществ являются халькохромиты меди [Белов К.П., Третьяков Ю.Д. и др. "Магнитные полупроводниковые халькогенидные шпинели", М., изд-во МГУ, 1981, с.279.], обладающие температурой магнитного упорядочения (температура Кюри) выше комнатной. Эти халькохромиты характеризуются тем, что они кристаллизуются в кубической сингонии с кристаллической структурой типа шпинели. Данные халькохромиты могут быть получены многократной прокалкой при соответствующих количествах элементарных веществ в эвакуированных кварцевых ампулах.

К недостаткам описанных выше халькохромитов меди относится то, что они не могут быть использованы при создании элементов памяти, поскольку не обладают полупроводниковой проводимостью, что не позволяет при использовании их в электронных приборах применять для их управления одновременно электрическое и магнитное поле.

Известен ферримагнитный полупроводниковый материал - тетрателлуридтрихрома и железа, имеющий температуру Кюри выше комнатной (RU 2142521, БИ 34, 1999 г.).

Этот материал обладает одновременно полупроводниковыми и ферримагнитными свойствами и содержит в твердом растворе дителлурид железа, однако к его недостаткам относятся:

- ферримагнитные свойства, а не ферромагнитные;

- низкая температура Кюри.

Кроме того, тетрателлуридтрихрома и железа представляет собой твердый раствор, что не обеспечивает стабильные эксплуатационные характеристики полупроводникового материала.

Известен ферромагнитный полупроводниковый материал In7Сr6Те16 (RU 2180316, БИ 7, 2002) с высокой (330 К) температурой Кюри. К недостаткам материала относятся высокая энергоемкость синтеза и недостаточно высокая температура Кюри.

Технической задачей является получение ферромагнитных полупроводниковых материалов со значительно более высокой температурой магнитного упорядочения.

Ближайшим техническим решением поставленной задачи является тройной теллурид индия и хрома состава In9Cr2Te12 (Конешова Т.И. и др. Взаимодействие в системе In-Cr-Te по разрезу InTe-Сr2Те3. Журнал неорганической химии, 1999, т.44, 10, с.1734-1737). Температурная зависимость намагниченности указанного состава указывает на то, что материал является ферромагнетиком с аномально высокой температурой Кюри, равной 693 К.

К недостаткам In9Сr2Те12 относятся, как и в предыдущем случае, высокая энергоемкость синтеза (950oС в течение 170 ч), недостаточно высокая температура Кюри, высокая стоимость исходных реагентов.

Целью изобретения является изыскание относительно дешевого ферромагнитного полупроводникового материала с более высокой температурой Кюри, получение которого требует меньших энергозатрат.

Указанная цель достигается тем, что предлагается ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой Кюри, включающий железо, халькоген и индий, представляющий собой тройное соединение теллурида индия и железа состава InFеТе3.

Тройной теллурид индия и железа получают путем взаимодействия стехиометрических количеств в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре 600oС в течение 170 ч с последующим отжигом при 600oС в течение 800 ч. Выход поликристаллического продукта 99.9%.

Отличительной особенностью предлагаемого технического решения является то, что ферромагнитные материалы представляют собой тройные соединения индия, железа и теллура при вышеуказанном соотношении компонентов.

Изобретение иллюстрируется следующим примером.

Пример

Тройной теллурид индия и железа InFeTe3 имеет инконгруэнтный характер плавления и кристаллизуется в кубической сингонии.

Навески 0,2075 г индия, 0,1009 г железа и 0,6916 г теллура (что соответствует стехиометрическому составу тройного теллурида индия и железа, содержащего 50 мол. % FeTe2 и 50 мол.% InTe) загружают в кварцевые ампулы. Ампулы откачивают до остаточного давления 2ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 222405610-3 Па, отпаивают и помещают в печь, температуру которой медленно (20 град/ч) повышают до 600oС и выдерживают при этой температуре 170 ч, затем медленно охлаждают до комнатной. После синтеза образцы растирают в агатовой ступке, вновь загружают в кварцевые ампулы, которые затем откачивают, отпаивают и отжигают при 600oС 800 ч. Выход тройного теллурида индия и железа составляет 0.9990 г (99.9%).

Параметры полученной фазы контролируют по данным дифференциально-термического анализа и рентгенофазового анализа (на рентгенограмме отсутствовали линии, характерные для InTe и FеТе2, а также линии, характерные для In, Те и Fe). Эти данные свидетельствуют о том, что полученный тройной теллурид индия и железа однофазен.

Температурная зависимость намагниченности (ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 2224056) тройного теллурида индия и хрома состава InFеТе3 свидетельствует о том, что полученные образцы являются ферромагнетиками с аномально высокой температурой Кюри (ТC), равной 773 К, что более чем в три раза превышает значения ТC для FeTe2. Кроме того, тройной теллурид индия и железа обладает полупроводниковыми свойствами, что установлено по температурной зависимости удельного сопротивления (ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой   температурой кюри, патент № 2224056) при различных температурах.

Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств в сочетании с относительно небольшой энергоемкостью синтеза и дешевизной за счет наличия железа делает InFeTe3 перспективным материалом для широкого практического использования.

Класс C30B29/46 серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов -  патент 2519094 (10.06.2014)
способ выращивания кристаллов сульфидных соединений на основе полуторных сульфидов редкоземельных элементов -  патент 2495968 (20.10.2013)
способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii) -  патент 2485217 (20.06.2013)
способ изменения обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла gase -  патент 2472876 (20.01.2013)
дисульфид хрома-меди-железа с анизотропией магнитосопротивления -  патент 2466093 (10.11.2012)
способ получения ag-au халькогенида -  патент 2458190 (10.08.2012)
способ получения монокристаллов и устройство для его осуществления -  патент 2456385 (20.07.2012)
монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной магнитострикцией -  патент 2435734 (10.12.2011)
легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения -  патент 2413042 (27.02.2011)
способ синтеза полупроводниковых квантовых точек -  патент 2381304 (10.02.2010)

Класс C01G49/00 Соединения железа

Класс C01G15/00 Соединения галлия, индия или таллия

Класс C01B19/00 Селен; теллур; их соединения

способ синтеза монокристаллических селенидов железа -  патент 2522591 (20.07.2014)
способ стабилизации наночастиц биогенных элементов ферментами -  патент 2504582 (20.01.2014)
способ лечения неврологических нарушений -  патент 2492137 (10.09.2013)
магнитный, теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением -  патент 2454370 (27.06.2012)
способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой сфалерита -  патент 2378200 (10.01.2010)
способ переработки отходов селенида цинка -  патент 2376242 (20.12.2009)
способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой вюртцита -  патент 2374180 (27.11.2009)
способ экстрагирования неорганических форм ртути и селена из твердых образцов природных объектов -  патент 2358899 (20.06.2009)
способ получения соединения цинка селенита как средства, обладающего нейропротекторным действием -  патент 2333762 (20.09.2008)
способ обогащения изотопов селена -  патент 2307701 (10.10.2007)
Наверх