модель кристаллической решетки

Классы МПК:G09B23/26 моделирование молекулярных структур; в кристаллографии 
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Оренбургский государственный университет
Приоритеты:
подача заявки:
2001-11-29
публикация патента:

Модель предназначена для изучения кристаллической решетки и ее дефектов и позволяет повысить наглядность демонстрации. Очищенные початки кукурузы применяют в качестве моделей для демонстрации дислокации кристаллической решетки. 6 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6

Формула изобретения

Применение очищенных початков кукурузы в качестве моделей для демонстрации дислокаций кристаллической решетки.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области материаловедения и может быть использовано в качестве демонстрационной модели при изучении кристаллической решетки и ее дефектов (дислокации).

Известны модели кристаллической решетки, представляющие собой шары с отверстиями, являющиеся моделями атомов и устанавливаемые в отверстия стержни, имитирующие межатомные связи (Мякишев Г.Я., Буховцев Б.Б. Физика - 10. М.: Просвещение, 1994, 222 с. ). Комбинация шаров и стержней дает возможность представить объемно (в пространстве) модель элемента кристаллической решетки.

Недостатком данного технического решения является то, что модель не позволяет показать различные виды искажений (дислокации) в кристаллической решетке.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому техническому решению является модель кристалла (А.с. 987659, М. кл. G 09 В 23/00, 1983, БИ 1), обеспечивающая возможность моделирования пластической деформации кристалла.

Недостатком этого технического решения является недостаточная наглядность при демонстрации искажений кристаллической решетки.

Техническим решением предлагаемого изобретения является расширение наглядности кристаллической решетки и ее искажений.

Поставленная задача достигается тем, что очищенные початки кукурузы применяют в качестве модели кристаллической решетки и ее искажений (дислокации).

Предлагаемое изобретение иллюстрируется фиг. 1-6.

На фиг. 1 покачана модель поверхностного слоя кубической решетки без искажений; на фиг.2 - нульмерные дислокации кристаллической решетки, причем на фиг.2а показана нульмерная дислокация с избыточным атомом, а на фиг.2б - то же, с отсутствием атома; на фиг.3 - кристаллические решетки с линейной одномерной дислокацией (3а - с лишним рядом атомов, 3б - с недостающим (потерянным) рядом атомов; на фиг.4 - кристаллические решетки с поверхностной (двухмерной) дислокацией (4а - недостающие ряды атомов; 4б - с винтовой дислокацией); на фиг.5 - кристаллическая решетка с объемной (трехмерной) дислокацией; на фиг.6 - модель решетки аморфного тела (отсутствует упорядоченное расположение атомов кристаллической решетки).

Использование предлагаемого технического решения позволяет расширить наглядность, демонстрировать не только поверхностные слои кристаллической решетки, но и показать возможные искажения (дислокации), встречающиеся в кристаллической решетке.

Класс G09B23/26 моделирование молекулярных структур; в кристаллографии 

наномасштабная модель кристаллической структуры вещества -  патент 2494467 (27.09.2013)
наномасштабная модель кристаллической структуры вещества -  патент 2494466 (27.09.2013)
способ изменения иммуномодулирующих свойств липополисахаридов чумного микроба в условиях in vitro -  патент 2489755 (10.08.2013)
способ определения упругих свойств однофазных металлов -  патент 2410759 (27.01.2011)
подвеска -  патент 2391885 (20.06.2010)
способ прогнозирования клинической эффективности антибактериальных, вакцинных препаратов, средств пассивной антитоксической иммунотерапии на модели инфекционно-токсической формы чумы у мышей -  патент 2303821 (27.07.2007)
Наверх