импульсная система питания двойного бетатрона с размагничиванием магнитопровода

Классы МПК:H05H11/04 бетатроны с подмагничиванием 
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете (НИИ ИН ТПУ)
Приоритеты:
подача заявки:
2002-10-23
публикация патента:

Изобретение относится к области ускорительной техники и предназначено для генерации электронных пучков с большой энергией. Технический результат - уменьшение стоимости и массогабаритных параметров двойного бетатрона с размагничиванием магнитопровода (БРМ). В импульсной системе питания двойного БРМ емкостной накопитель через тиристор соединен с включенными последовательно и встречно обмотками первого электромагнита. Включенные последовательно и встречно обмотки второго электромагнита через тиристор соединены с емкостным накопителем. Низковольтный источник питания постоянного тока через дроссель соединен параллельно с включенными последовательно и согласно обмотками. При таком подключении друг к другу элементов импульсной системы питания двойного БРМ вместо тиристоров двух колебательных контуров используется всего один емкостной накопитель вместо двух, используется одна схема размагничивания магнитопроводов первого и второго электромагнитов вместо двух, что соответственно приводит к значительному уменьшению стоимости и массогабаритных параметров двойного БРМ. 3 ил.

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12

Формула изобретения

Импульсная система питания двойного бетатрона с размагничиванием магнитопровода, содержащая первый электромагнит с магнитопроводом, обмоткой возбуждения и с компенсационной обмоткой, уложенной на сплошном центральном сердечнике магнитопровода первого электромагнита, второй электромагнит с магнитопроводом, обмоткой возбуждения и с компенсационной обмоткой, уложенной на сплошном центральном сердечнике магнитопровода второго электромагнита, емкостной накопитель, низковольтный источник питания постоянного тока, дроссель, отличающаяся тем, что емкостной накопитель через один тиристор соединен с включенными последовательно и встречно обмотками возбуждения и компенсационной первого электромагнита, а через другой тиристор емкостной накопитель соединен с включенными последовательно и встречно обмотками возбуждения и компенсационной второго электромагнита, причем низковольтный источник питания постоянного тока через дроссель подключен параллельно к включенным последовательно и согласно обмоткам возбуждения первого и второго электромагнитов.

Описание изобретения к патенту

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).

Класс H05H11/04 бетатроны с подмагничиванием 

линейный индукционный ускоритель с двумя разнополярными импульсами -  патент 2522993 (20.07.2014)
бетатрон с изменяемым радиусом орбиты -  патент 2470497 (20.12.2012)
бетатрон с простым возбуждением -  патент 2439865 (10.01.2012)
безжелезный бетатрон -  патент 2288552 (27.11.2006)
линейный индукционный ускоритель для технологических целей -  патент 2242851 (20.12.2004)
линейный индукционный ускоритель -  патент 2185041 (10.07.2002)
линейный индукционный ускоритель -  патент 2178244 (10.01.2002)
Наверх