халькогенидное стекло

Формула изобретения

Халькогенидное стекло, включающее Ga, Ge, S, отличающееся тем, что оно содержит Si, Al, Br, В, Ln, Er при следующем соотношении компонентов, ат.%:

Si 1-5

Al 1-8

Br 1-15

В 1-6

Ln 1-15

Er 1-5

Ge 10-25

Ga 3-20

S 54-70

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике.

Известно халькогенидное стекло, содержащее Ga, Ge, S, обладающее повышенной областью прозрачности (а.с. СССР 1629264, С 03 С 3/32, опубл. 23.02.91).

В указанном стекле не предусмотрено преобразование инфракрасного излучения в видимое.

В основу изобретения положена задача создания халькогенидного стекла, обладающего свойством преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение при одновременном сохранении области прозрачности люминесцентного халькогенидного стекла за счет введения в состав стекла А1, Вr, B, Er, Ln.

Это достигается тем, что в состав стекла для преобразования инфракрасного излучения в видимое в состав халькогенидного стекла вводят 1-5 ат. % Еr; при этом для повышения эффективности преобразования в состав стекла также вводят 1-15 ат. % Ln и 1-8 ат. % Al; для компенсации потери прозрачности в стекло вводят 1-6 ат. % В, 1-15 ат. % Вr, 1-5 ат. % Si.

В таблицах 1 и 2 приведены конкретные составы халькогенидного стекла и оцениваемые параметры стекла.

В табл. 2 _о (мкм) - длина волны коротковолновой границы пропускания стекла, n - коэффициент преломления стекла, Тg (С) - температура размягчения стекла, (%) - эффективность преобразования длинноволнового излучения в коротковолновое.

Температурный режим синтеза соответствует традиционной технологии варки халькогенидных стекол. Особенностью является выдержка расплава при 750-850С, последующее охлаждение на воздухе до 250С и отжиг при этой температуре в течение 3-10 часов.