способ получения карбида кремния

Классы МПК:C01B31/36 кремния или бора 
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2002-10-02
публикация патента:

Изобретение относится к области производства абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния. Предлагаемый способ получения карбида кремния включает высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего сырья, при этом нагрев ведут в атмосфере или токе азота при давлении 0,049÷0,13 МПа или со скоростью 0,5÷3,3 л/час, соответственно. Предлагаемый способ позволяет повысить чистоту и выход конечного продукта.

Формула изобретения

Способ получения карбида кремния, включающий высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего сырья, отличающийся тем, что нагрев ведут в атмосфере азота при давлении 0,049÷0,13 МПа или в токе азота со скоростью 0,5÷3,3 л/ч.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области производства абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния.

Известен способ получения карбида кремния путем карботермического восстановления в соответствии с уравнением SiO2+3C=SiC+2СО(-1120 кал). Процесс образования карбида кремния заключается во взаимодействии оксида кремния и углерода при температуре 2200-2300°С (И.С.Кайнарский, Э.В.Дегтерева "Карборундовые огнеупоры", Металлургиздат, 1963, стр.9-14).

Недостатками известного способа являются низкая чистота и невысокий выход конечного продукта, которые являются следствием следующих процессов: во-первых, образующийся в качестве промежуточного продукта в процессе карботермического восстановления монооксид кремния SiO не успевает полностью прореагировать и в значительных количествах уносится с печными газами, вызывая потери кремния и загрязняя окружающую среду; во-вторых, в интервале температур 1800-2000°С происходит разложение карбида кремния на кремний и углерод, что также увеличивает потери карбида кремния. Таким образом, получают технический карбид кремния, загрязненный примесями углерода, оксида кремния (кварц, кристалит и т.д.) с выходом 15-20%.

Известен способ получения карбида кремния путем электронагрева природной горной породы - шунгита, содержащего оксид кремния и углерод, при 1600-1800°С в вакуумной печи при остаточном давлении в ее рабочем пространстве 0,25-1,3 кПа (Патент РФ №2163563, МПК C 01 B 31/36, 2001 г.).

Недостатком способа является также невысокий выход конечного продукта (около 30%), который обусловлен тем, что в процессе нагрева шунгита при непрерывном удалении выделяющегося монооксида углерода из рабочего пространства печи вместе с ним удаляется и монооксид кремния, что неизбежно ведет к потерям по кремнию.

Таким образом, перед авторами стояла задача разработать способ получения карбида кремния, который бы обеспечивал высокий выход конечного продукта наряду с его высокой чистотой.

Поставленная задача решена в предлагаемом способе получения карбида кремния, включающем высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего сырья, в котором нагрев ведут в атмосфере азота при давлении 0,049-0,13М Па или токе азота со скоростью 0,5-3,3 л/час.

В настоящее время из патентной и научно-технической литературы не известен способ получения карбида кремния, в котором высокотемпературный нагрев ведут в атмосфере или токе азота в заявляемых пределах давления или скорости, соответственно.

В предлагаемом способе в качестве исходного сырья могут быть использованы либо смесь кремнийсодержащего сырья и углерода, например смесь кварцевой породы и сажи или техногенные отходы, например смесь золы и углерода (сажи и т.п.), либо кремний-углеродсодержащее сырье, например шунгит. Ведение процесса в атмосфере или токе азота практически полностью исключает потери кремния за счет образования монооксида кремния, так как происходит образование азотсодержащих соединений кремния типа оксинитридов кремния (Si2ON2), которые являются нелетучими промежуточными продуктами взаимодействия оксида кремния и углерода в среде азота, что позволяет значительно снизить потери кремния. При этом ведение нагрева при давлении ниже, чем 0.049 МПа или скорости подачи азота меньше, чем 0,5 л/час, приводит к появлению промежуточных соединений кремния, которые в дальнейшем загрязняют конечный продукт. При этом ведение нагрева при давлении выше, чем 0,13 МПа или скорости подачи азота больше, чем 3,3 л/час, приводит к неоправданному перерасходу азота и электроэнергии, не улучшая рабочие характеристики конечного продукта.

Предлагаемый способ может быть осуществлен следующим образом. Исходное сырье - смесь кремнийсодержащего сырья и углерода, например смесь кварцевой породы и сажи, или кремнийуглеродсодержащее сырье, например шунгит, тщательно перемешивают и загружают в нагревательный аппарат, например печь ТВВ-4 или проходную электропечь непрерывного действия, в который подают газообразный азот в количестве, необходимом для создания в рабочем пространстве печи давления, равного 0,049-0,13 МПа, или в случае, если печь проходная, со скоростью 0,5-3,3 л/час. Исходную смесь используют в насыпном виде или таблетированную и нагревают при температуре 1600-1900°С в течение 3-8 часов. Затем полученный продукт охлаждают и анализируют химическим и рентгенофазовым методами анализа.

Предлагаемый способ иллюстрируется следующими примерами.

Пример 1. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) - 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в графито-трубчатую печь, в рабочее пространство которой подают азот для создания давления 0,049 МПа. Смесь нагревают при температуре 1600°С в течение 8 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки способ получения карбида кремния, патент № 2240979=0,4355 Hм. Примеси отсутствуют.

Пример 2. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) - 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в графитотрубчатую печь, в рабочее пространство которой подают азот для создания давления 0,13 МПа. Смесь нагревают при температуре 1900°С в течение 3 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки способ получения карбида кремния, патент № 2240979=0,4354 Нм. Примеси отсутствуют.

Пример 3. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) – 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в проходную печь, рабочее пространство которой продувают азотом со скоростью 0,5 л/час. Смесь нагревают при температуре 1600°С в течение 8 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки способ получения карбида кремния, патент № 2240979=0,4353 Нм. Примеси отсутствуют.

Пример 4. Берут смесь следующего состава (вес.%): SiO2 - 62,5; С (сажа) - 37,5. Смесь тщательно перемешивают и полученную порошковую смесь помещают в проходную печь, рабочее пространство которой продувают азотом со скоростью 3,3 л/час. Смесь нагревают при температуре 1900°С в течение 3 часов. Полученный продукт охлаждают. По данным химического и рентгенофазового анализов получают однофазный продукт: чистый карбид кремния SiC с параметрами решетки способ получения карбида кремния, патент № 2240979=0,4354 Нм. Примеси отсутствуют.

Предлагаемый способ позволяет повысить выход карбида кремния. Так при нагреве исходной смеси при температуре 1600°С в атмосфере азота в соответствии с предлагаемым способом весовой процент соединений кремния составляет 39,75%, а при нагреве исходной смеси при температуре 1600°С в вакууме в соответствии с известным способом весовой процент соединений кремния составляет 20,83%. При нагреве исходной смеси при температуре 1700°С в атмосфере азота в соответствии с предлагаемым способом или вакууме в соответствии с известным способом весовой процент соединений кремния составляет 63,35 или 23,01, соответственно.

Таким образом, предлагаемый способ получения карбида кремния позволяет повысить чистоту и выход конечного продукта.

Класс C01B31/36 кремния или бора 

способ получения тонкодисперсного поликристаллического карбида кремния -  патент 2516547 (20.05.2014)
компонент системы сгорания и способ предотвращения накопления шлака, золы и угля -  патент 2510687 (10.04.2014)
способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации -  патент 2495163 (10.10.2013)
способ получения нанопорошка карбида кремния -  патент 2493937 (27.09.2013)
высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты) -  патент 2492139 (10.09.2013)
способ получения пористого наноструктурного карбида кремния -  патент 2484017 (10.06.2013)
способ получения -карбида кремния -  патент 2472703 (20.01.2013)
способ и устройство для получения энергии -  патент 2451057 (20.05.2012)
способ получения поликристаллического карбида кремния -  патент 2448041 (20.04.2012)
способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита -  патент 2434083 (20.11.2011)
Наверх