газоразрядная индикаторная панель

Формула изобретения

1. Газоразрядная индикаторная панель, содержащая две диэлектрические пластины, соединенные по периметру швом герметизации, перекрещивающиеся системы электродов, соединенные за швом герметизации с контактными площадками, расположенными на одной или двух диэлектрических пластинах, отличающаяся тем, что, по крайней мере, часть общего количества электродов за швом герметизации покрыта диэлектриком.

2. Газоразрядная индикаторная панель по п.1, отличающаяся тем, что при расположении контактных площадок в один ряд электроды покрыты диэлектриком в промежутке между швом герметизации и контактными площадками.

3. Газоразрядная индикаторная панель по п.1, отличающаяся тем, что электроды за швом герметизации, контактные площадки которых смещены относительно друг друга, образуя ряды, покрыты диэлектриком, по крайней мере, в промежутке между контактными площадками первого ряда от шва герметизации.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области газоразрядной техники и может быть использовано при разработке средств отображения информации на газоразрядных индикаторных панелях (ГИП) переменного тока.

Известна ГИП, содержащая две диэлектрические пластины, соединенные по периметру швом герметизации, перекрещивающиеся системы проволочных электродов, которые за швом герметизации подсоединены к устройству управления (пат. США №4139250, 316-19, 1979 г.).

Недостатком данной конструкции является то, что при подсоединении ГИП к устройству управления нарушается целостность проволочных электродов, что приводит к обрывам электродов и браку ГИП.

Известна ГИП, содержащая две диэлектрические пластины, соединенные по периметру швом герметизации, перекрещивающиеся системы электродов, которые за швом герметизации соединены с контактными площадками, размещенными в один ряд на краевых частях диэлектрических пластин (Заявка ЕПВ №0554172, H 01 J 17/ 49, 1993 г.).

Недостатком данной ГИП является то, что в процессе ее изготовления и при подсоединении ГИП к устройству управления возможно механическое нарушение электродов, расположенных за швом герметизации, что снижает надежность работы устройства отображения информации.

Наиболее близкой к заявленной конструкции является ГИП, содержащая две диэлектрические пластины, соединенные по периметру швом герметизации, перекрещивающиеся системы электродов, соединенные за швом герметизации с контактными площадками, расположенными на одной или двух диэлектрических пластинах (пат. СССР №381244, H 01 J 7/00, G 06 K 15/18, 1973 -прототип).

Недостатком данной ГИП также является то, что в процессе изготовления и при подсоединении ГИП к схеме управления наблюдается нарушение целостности электродов, расположенных за швом герметизации, что приводит к обрывам электродов и браку ГИП.

Задача изобретения состоит в создании ГИП с высокой надежностью подсоединения к схеме управления за счет исключения нарушения целостности электродов, расположенных за швом герметизации.

Указанный технический результат при осуществлении изобретения достигается тем, что в известной ГИП, содержащей две диэлектрические пластины, соединенные по периметру швом герметизации, перекрещивающиеся системы электродов, соединенные за швом герметизации с контактными площадками, расположенными на одной или двух диэлектрических пластинах, по крайней мере, часть общего количества электродов за швом герметизации покрыта диэлектриком.

Если контактные площадки электродов ГИП расположены на краевых частях, по крайней мере, одной из диэлектрических пластин в один ряд, то в этом случае диэлектрик на электродах в промежутке между швом герметизации и контактными площадками может быть сформирован в виде одного сплошного слоя, а также может быть нанесен отдельно на каждый электрод или на электроды выборочно.

В ГИП с высокой плотностью расположения электродов контактные площадки могут быть расположены в два или более рядов. В этом случае диэлектрик наносят на электроды за швом герметизации, соединенные с контактными площадками второго или более рядов, по крайней мере, в промежутке между контактными площадками первого ряда. Дополнительно возможно нанесение диэлектрика на электроды за швом герметизации, соединенные с контактными площадками первого ряда.

Нанесение диэлектрического покрытия на электроды, расположенные за швом герметизации, позволяет исключить механическое повреждение электродов в процессе изготовления ГИП и при подсоединении ее к схеме управления и, тем самым, повысить надежность подсоединения ГИП к устройству отображения информации и исключить брак ГИП по обрывам.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно заявленное изобретение соответствует требованию “новизна”.

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованиям изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленных изобретений, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых повышение надежности подсоединения ГИП к устройству управления обеспечивалось бы за счет того, что, по крайней мере, часть общего количества электродов за швом герметизации, соединенных с контактными площадками, покрыта диэлектриком.

Следовательно заявленное изобретение соответствует требованию “изобретательский уровень”.

Предложенная конструкция ГИП поясняется чертежами.

На фиг.1 показан фрагмент одного из вариантов предлагаемой ГИП, где электроды ГИП подсоединены к контактным площадкам, расположенным в один ряд, а диэлектрическое покрытие нанесено в промежутке между швом герметизации и контактными площадками на электроды и между электродами за швом герметизации на одной из диэлектрических пластин и только на электроды за швом герметизации на другой диэлектрической пластине.

На фиг.2 представлен вариант конструкции ГИП, в которой электроды подсоединены к контактным площадкам, расположенным в два ряда, а диэлектрическое покрытие нанесено на электроды за швом герметизации, соединенные с контактными площадками второго ряда, между контактными площадками первого ряда на одной из диэлектрических пластин и на электроды за швом герметизации, соединенные с контактными площадками первого и второго ряда на другой диэлектрической пластине.

На фиг.3 представлен вариант конструкции ГИП, в которой электроды подсоединены к контактным площадкам, расположенным в три ряда, а диэлектрическое покрытие нанесено на электроды за швом герметизации, соединенные с контактными площадками второго и третьего рядов между контактными площадками первого и второго ряда.

На фиг.4 представлен вариант конструкции ГИП, в которой электроды подсоединены к контактным площадкам, расположенным в три ряда, причем один ряд расположен на торце пластины, а диэлектрическое покрытие нанесено на электроды за швом герметизации между контактными площадками первого и второго рядов и на электроды между швом герметизации и контактными площадками первого ряда.

ГИП согласно фиг.1, 2, 3, 4 содержит первую 1 и вторую 2 диэлектрические пластины, на внутренней поверхности первой из которых сформирована система параллельных электродов 3, а на внутренней поверхности второй - система электродов 4, соединенных за швом герметизации с контактными площадками 5 и 6 соответственно, диэлектрическое покрытие 7 на электродах за швом герметизации. Диэлектрическое покрытие может быть нанесено как на электроды, так и между ними.

Работает ГИП следующим образом. На электроды одной из систем подается опорное напряжение индикации, не изменяющее состояние ячеек индикации. Для выборочного зажигания ячеек индикации необходимо подать часть напряжения записи на выбранные электроды одной из систем, а другую - на выбранные электроды другой системы. В точках пересечения выбранных электродов возникнет разряд, подхватываемый затем в разрядном промежутке после подачи импульсов поддержания разряда. Для смены информации на электроды необходимо подать импульсы гашения и снова повторить цикл записи. Для обеспечения работы ГИП необходимо подсоединение ее к схеме управления. Надежное подсоединение к контактным площадкам электродов ГИП без повреждения электродов обеспечивается за счет нанесения на электроды за швом герметизации диэлектрического покрытия.

Диэлектрическое покрытие наносят на электроды между швом герметизации и контактными площадками, если электроды подсоединены к контактным площадкам, расположенным в один ряд, и наносят на электроды, по крайней мере, в промежутке между контактными площадками первого ряда, если электроды подсоединены к контактным площадкам, расположенным в несколько рядов. В последнем случае для повышения надежности подсоединения диэлектрическое покрытие дополнительно наносят между швом герметизации и контактными площадками первого ряда.

Пример конкретного выполнения. ГИП переменного тока состоит из двух диэлектрических пластин. На верхней диэлектрической пластине методом трафаретной печати из золотосодержащей пасты сформированы параллельные электроды индикации шириной 70 мкм с шагом расположения 0,21 мм. Электроды индикации покрыты диэлектрическим слоем из легкоплавкого стекла (ЛПС) толщиной 30 мкм и защитным слоем из окиси магния. На второй диэлектрической пластине также методом трафаретной печати из золотосодержащей пасты сформированы параллельные электроды управления шириной 60 мкм с шагом расположения 140 мкм. Диэлектрические пластины расположены одна над другой и загерметизированы швом герметизации, при этом электроды управления располагаются перпендикулярно электродам индикации. ГИП наполнена Ne+5% Хе, р=400 мм рт.ст.

Электроды индикации и управления поочередно выведены на противоположные стороны диэлектрических пластин и подсоединены к контактным площадкам, расположенным в два ряда на краевых частях этих пластин. На электроды, подсоединенные к второму ряду, в промежутке между контактными площадками первого ряда нанесено диэлектрическое покрытие. Данное диэлектрическое покрытие, нанесенное после формирования электродов, защищает электроды от повреждений при последующих операциях изготовления ГИП.

В данной ГИП обеспечено надежное подсоединение электродов к устройству управления. При подсоединении ГИП к устройству управления нарушений целостности электродов не наблюдалось.

Таким образом заявленное изобретение позволяет создать ГИП с надежным подсоединением электродов к системе управления.