устройство на поверхностных акустических волнах
Классы МПК: | H03H9/64 с использованием поверхностных акустических волн |
Автор(ы): | Багдасарян А.С. (RU), Багдасарян В.П. (RU), Карапетьян Г.Я. (RU), Кондратьев С.Н. (RU), Семенов В.В. (RU) |
Патентообладатель(и): | ООО "БУТИС - М" (RU) |
Приоритеты: |
подача заявки:
2002-05-15 публикация патента:
20.12.2004 |
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может использоваться в акустоэлектронных устройствах селекции частоты на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Достигаемый технический результат заключается в уменьшении вносимого затухания без увеличения его габаритов. Устройство содержит две входные и две выходные клеммы, на рабочей грани пьезоэлектрического звукопровода расположены первая и вторая встречно-штыревые системы электродов (ВШСЭ), однофазные электроды которых объединены первой, второй и общей электрической шинами. Устройство содержит дополнительный встречно-штыревой преобразователь (ВШП), первая шина которого гальванически соединена с первыми входной и выходной клеммами, а его вторая шина соединена с общей электрической шиной. Вторые входная и выходная клеммы соединены с первой и второй электрическими шинами. Число электродов в дополнительном ВШП, период и апертура первого и второго ВШП выбраны из условия индуктивной реакции дополнительного ВШП и емкостной реакции первого и второго ВШП обеспечивающие согласование входных и выходных импедансов. Такое выполнение топологической структуры обеспечивает уменьшение вносимого затухания до уровня 1-2 дБ. 2 ил.
Формула изобретения
Устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее две входных и две выходных клеммы и пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в параллельных акустических каналах расположены две идентичных встречно-штыревые системы электродов (ВШСЭ) чьи однофазные электроды объединены первой, второй и общей электрической шинами, отличающееся тем, что введен дополнительный встречно-штыревой преобразователь (ВШП), первая электрическая шина которого гальванически соединена с первой входной и первой выходной клеммами, вторая электрическая шина дополнительного ВШП гальванически соединена с общей электрической шиной, а вторая входная и вторая выходная клеммы гальванически соединены с первой и второй электрическими шинами, причем число электродов и период дополнительного ВШП, апертура первой и второй ВШСЭ связаны соотношениями
N1,2,g>0,56 V/V,
D1,2>Dg(1+A/Ng),
W1,2<1/В C s N1,2 Rн.г,
где N 1,2, Ng - число электродов в первой и второй ВШСЭ и дополнительном ВШП;
V/V - относительная разность скорости ПАВ на свободной и металлизированной поверхности пьезоэлектрика;
D1,2, Dg - период электродов в первой и второй ВШСЭ и дополнительном ВШП;
А - безразмерный коэффициент;
W1,2 - апертура первой и второй ВШСЭ, м;
В - требуемый уровень гарантированного затухания;
Cs - нормированная емкость пары электродов, Ф/м;
Rн.г - сопротивление нагрузки или генератора, Ом;
- частота, рад/с.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в акустоэлектронных устройствах селекции частоты на поверхностных акустических волнах (ПАВ).
Известно устройство на ПАВ, содержащее пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в общем акустическом канале расположены входной и выходной неаподизованные встречно-штыревые преобразователи (ВШП) [1]. Этот фильтр имеет малую избирательность.
Из известных устройств наиболее близким к заявленному по совокупности признаков является устройство на ПАВ, содержащее две входных и выходных клеммы и пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в параллельных акустических каналах расположены две идентичных встречно-штыревых системы электродов (ВШСЭ), однофазные электроды которых объединены первой, второй и общей электрическими шинами [2].
Это устройство имеет значительное вносимое затухание, связанное с взаимным преобразованием электрической энергии в акустическую.
Задача, на решение которой направлено изобретение, состоит в создании устройства на ПАВ, лишенного указанного недостатка. Технический результат, который дает осуществление изобретения, заключается в уменьшении вносимого затухания без увеличения его габаритов.
Это достигается тем, что в устройство на ПАВ, содержащее две входных и выходных клеммы и пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в параллельных акустических каналах расположены две идентичных встречно-штыревых системы электродов, однофазные электроды которых объединены первой, второй и общей электрическими шинами, введен дополнительный ВШП, первая электрическая шина которого гальванически соединена с первой входной и первой выходной клеммами, вторая электрическая шина дополнительного ВШП гальванически соединена с общей электрической шиной, а вторая входная и вторая выходная клеммы гальванически соединены с первой и второй электрическими шинами, причем число электродов и период дополнительного ВШП, апертура первой и второй ВШСЭ связаны соотношениями:
N1,2,g>0,56 V/V,
D>Dg(1+A/Ng),
W1,2 <1/B C s N1,2 Rн.г,
где N 1,2, Ng - число электродов в первой и второй ВШСЭ и дополнительном ВШП;
V/V - относительная разность скорости ПАВ на свободной и металлизированной поверхности пьезоэлектрика;
D1,2, Dg период электродов в первой и второй ВШСЭ и дополнительном ВШП;
А [1,10] - безразмерный коэффициент;
W1,2 - апертура первой и второй ВШСЭ, м;
В - требуемый уровень гарантированного затухания;
Cs - нормированная емкость пары электродов, Ф/м;
Rн.г - сопротивление нагрузки или генератора, Ом
- частота, рад/с.
Достигаемый технический результат обеспечивается всей совокупностью существенных признаков. Соединение электрических шин первой и второй ВШСЭ и дополнительного ВШП друг с другом и с входными и выходными клеммами обеспечивает получение Т-образной схемы включения преобразователей. Выбор числа электродов дополнительного ВШП из выражения:
Ng>0,56 V/V
обеспечивает индуктивный характер дополнительного ВШП на рабочей частоте устройства [3]. Выбор периодов электродов из соотношения:
Dg>D(1+AV/V),
обеспечивает при индивидуальном характере дополнительного ВШП емкостной характер первой и второй ВШСЭ на рабочей частоте устройства [3]. Выбор значения А в интервале от 1 до 10 определен с одной стороны необходимой частотной отстройкой для реализации емкостного характера ВШП, а с другой - протяженностью первой и второй ВШСЭ, длина которых пропорциональна периоду ВШП. Кроме того, выбор апертуры ВШСЭ из выражения:
W1,2 <1/B C s N1,2 Rн.г,
обеспечивает при расстройке фильтра требуемый уровень гарантированного затухания, т.к. это условие эквивалентно выражению:
Rс/R н.г>В.
Выполнение последнего условия в Т-образной схеме [4] гарантирует требуемый уровень затухания вне частоты акустического синхронизма.
На фиг.1 показана топологическая структура устройства на ПАВ в соответствии с изобретением.
Устройство на ПАВ содержит первую и вторую входные клеммы 1, 2, первую и вторую выходные клеммы 3, 4, пьезоэлектрический звукопровод 5. На его рабочей грани звукопровода 5 в параллельных акустических каналах расположены две идентичных ВШСЭ 6, 7. Однофазные электроды этих ВШСЭ объединены первой, второй и общей электрическими шинами 8, 9, 10. Устройство содержит дополнительный ВШП 11, первая электрическая шина 12 которого гальванически соединена первой входной и первой выходной клеммами 1 и 3, а его вторая электрическая шина 13 гальванически соединена с первой электрической шиной 8, а вторая выходная клемма 4 гальванически соединена с второй электрической шиной 9.
Устройство на ПАВ работает следующим образом. При подаче входного электрического сигнала на входные клеммы 1 и 2 на рабочей частоте устройства, напряжение распределяется на элементах Т-образной схемы. Так как дополнительный ВШП 11 имеет на рабочей частоте индуктивную составляющую, а первая и вторая ВШСЭ - емкостную реакцию, происходит полное или частичное согласование входных и выходных импедансов устройства, а сигнал практически без потерь можно снять с выходных клемм 3 и 4. При подаче входного электрического сигнала на частоте вне акустической полосы преобразователей происходит ослабление выходного сигнала по меньшей мере в Rc/Rн.г раз. Это отношение определяет требуемый уровень гарантированного затухания устройства в целом.
На фиг.2 изображены амплитудно-частотная характеристика устройства в диапазоне частот 400-520 МГц.
Изобретение обеспечивает уменьшение вносимого затухания устройства на ПАВ без увеличения его габаритов до уровня 1-2 дБ. При этом отсутствует необходимость в использовании сложных согласующих схем.
Источники информации
1. Патент США №3868608, кл. 333-72, 1975.
2. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. М.: Радио и связь с.135-136, 1987.
3. Морган. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах. М.: Радио и связь, с.99-100, 1990.
4. Босый Н.Д. Электрические фильтры. Киев: Изд-во тех. литературы, 1960.
Класс H03H9/64 с использованием поверхностных акустических волн