способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала

Классы МПК:C03C10/02 кристаллическая фаза, не содержащая кремнезема и силикатов, например шпинель, титанат бария
Автор(ы):, , , , , ,
Патентообладатель(и):Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2004-11-10
публикация патента:

Изобретение относится к области изготовления пироэлектрических материалов, широко используемых в современной технике (устройства дистанционного теплового контроля производственных процессов, тепловой мониторинг окружающей среды, электронный контроль режима работы двигателей внутреннего сгорания, устройства пожарной сигнализации и т.п.). Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала включает расплавление шихты следующего состава (мол.%): (23-27) La2О3, (23-27) В2О 3, (48-52) GeO2, в платиновом тигле, прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, и кристаллизацию стеклянных пластин. Кристаллизацию стеклянных пластин проводят при температурах 920-980°С в поле температурного градиента 50-100°С/мм в течение 2-8 часов. Полученные образцы стеклокристаллического материала характеризуются следующими показателями: способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 =3,5-4,5 нКл/см2K, способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 =10-11. Соотношение способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 /способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 составило ˜ 0,35 нКл/см2K. 1 табл.

Формула изобретения

Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, включающий расплавление шихты, содержащей GeO 2, в платиновом тигле, прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, и кристаллизацию стеклянных пластин, отличающийся тем, что стеклянные пластины имеют состав, мол.%: La2O3 - 23-27, В2О3 - 23-27, GeO2 - 48-52, а кристаллизацию стеклянных пластин проводят при температурах 920-980°С в поле температурного градиента 50-100°С/мм в течение 2-8 ч.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области изготовления пироэлектрических материалов, широко используемых в современной технике (устройства дистанционного теплового контроля производственных процессов, тепловой мониторинг окружающей среды, электронный контроль режима работы двигателей внутреннего сгорания, устройства пожарной сигнализации и т.п.), в частности, к способу получения стеклокристаллического пироэлектрического материала.

Известен способ получения монокристаллического пироэлектрического материала, содержащий оксид сурьмы, оксид ниобия и оксид никеля (патент РФ №2079582, кл. С 30 В 29/22, 1997.05.20). Недостатком этого способа является менее технологичное и в то же время дорогостоящее по сравнению со стеклокерамикой получение монокристаллического материала.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения стеклокристаллического материала на основе Pb5Ge3O11 [О.Ю.Малеванная, В.В.Михневич, С.Р.Сырцов, В.Н.Шут. Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики Pb5Ge3 O11, полученного по стеклокерамической технологии, ФТТ, 1990, Т.32, №2, С.422, В.В.Михневич, В.Н.Шут, С.Р.Сырцов. Получение и исследование стеклокерамики германата свинца с ориентированными поверхностными слоями, ФТТ, 1991, Т.33, №3, С.802]. Стекла, имеющие молярный состав 5PbO·3GeO2, были приготовлены из материалов PbO и GeO2 марки о. с. ч. (особо чистый). Тщательно смешанную и отожженную шихту плавили в платиновом тигле и выдерживали в расплавленном состоянии в течение нескольких часов с последующей закалкой расплава прессованием между двумя медными пластинами. С целью гомогенизации стекла перемалывали, нагревали выше температуры плавления и закаливали повторно. В результате получали пластины толщиной 0,5-1 мм и площадью до 300 мм2, которые подвергали изотермической обработке при температурах выше 490°С в течении 6 ч. Перед кристаллизацией поверхности стекол полировались. Кристаллизацию осуществляли в изотермических условиях с точностью поддержания температуры ±3°С. В результате получали образцы со следующими характеристиками: диэлектрическая проницаемость способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 40, коэффициент пироэлектричества способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 =4-6 нКл/см2 К. Соотношение способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 /способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 (пироэлектрическая добротность), являющееся одним из основных показателей качества пироэлектрика, для стеклокристаллического материала на основе Pb5Ge3О5 составило 0,10-0,15 нКл/см2K. Недостатком прототипа является низкая пироэлектрическая добротность способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 /способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 .

Задачей изобретения является получение стеклокристаллического пироэлектрического материала с улучшенным соотношением способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 /способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 .

Поставленная задача решается способом получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, включающим расплавление в платиновом тигле шихты, содержащей GeO2 , прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, и кристаллизацию стеклянных пластин, имеющих состав (в мол.%) (23-27) La2O3, (23-27) В2О 3, (48-52) GeO2. При этом кристаллизацию стеклянных пластин проводят при 920-980°С в поле температурного градиента 50-100°С/мм в течение 2-8 часов.

Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала осуществляли по следующей схеме. Шихту составляли с использованием реактивов La2O3, Н3ВО3, GeO 2 марки о.с.ч. в соотношениях, обеспечивающих получение стекол составов (в мол.%): (23-27) La2O3 , (23-27) В2О3, (48-52) GeO2 , и тщательно перемешивали. Варку стекол указанных составов производили при температуре 1300°С в течение 30 мин в электропечи на воздухе в платиновых тиглях. Нагрев до 1300°С вели со скоростью 10 °С/мин. Стекла отливали на металлическую плиту и прессовали другой металлической плитой до толщины 0,8-2 мм. Полученные пластины разрезали до образцов площадью ˜1 см2 и полировали с двух сторон. Полированные стеклянные пластины помещали в градиентную печь, представляющую собой горизонтально расположенные нагреватели из карбида кремния, на которых размещались корундовые подложки, на которые и помещали образцы стекол. Температура выдержки пластин в печи изменялась от 920°С до 980°С при длительности от 2 до 8 часов в зависимости от температуры. Градиент температур создавался за счет направленного сверху на поверхность образцов потока воздуха и создавал разницу температур (по сравнению с температурой корундовой подложки) от 0 до 200°С. Закристаллизованные образцы подвергали поляризации в постоянном электрическом поле напряженностью 4 кВ/мм при температурах от 450°С до комнатной в режиме охлаждения в течение 2-4 ч. Полученные образцы характеризуются следующими показателями: способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 =3,5-4,5 нКл/см2К, способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 =10-11. Соответственно соотношение способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 /способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 составило ˜ 0,35 нКл/см2К.

Пример 1. Стекло состава (мол.%): 25La2O3-25В 2О3 50GeO2, сваренное в платиновом тигле при 1300°С в течение 30 мин на воздухе в электропечи, кристаллизуют при 950°С в градиентной печи при градиенте температуры 80°С/мм в течение 4 часов. При этом стекло кристаллизуется с образованием текстуры, растущей со стороны «горячей» поверхности образца и состоящей из нитевидных кристаллов стилвеллитоподобного LaBGeO5, сочетающего высокий коэффициент пироэлектричества с низкими значениями диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь при высоком электрическом сопротивлении при повышенных температурах (3·1012 Ом·см при 350°С). Коэффициент пироэлектричества полученной стеклокерамики составляет 4.5 нКл/см2·К, а отношение способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 /способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 равно 0.45.

Все остальные примеры сведены в таблицу примеров.

При отклонении от технологических параметров, описанных в формуле изобретения, полученный материал либо вообще не обладал пироэлектрическими свойствами, либо они были слабо выражены. Например, отклонение состава за указанные в формуле изобретения допуски приводит либо к повышенному содержанию остаточной стеклофазы в закристаллизованном продукте (пример 3), либо продуктом кристаллизации является фаза, не обладающая пироэлектрической активностью (примеры 5, 7, 8).

При температурах ниже 920°С закристаллизованные стекла содержат высокое содержание стеклофазы, что подавляет пироэлектрический эффект (пример 9), а кристаллизация при температурах выше 980°С сопровождается излишне быстрым ростом кристаллов и формированием грубой микроструктуры, не позволяющей осуществлять поляризацию образца из-за его пробоя (пример 12).

При градиенте температур по толщине образца менее 50°С/мм наблюдается поверхностная кристаллизация, развивающаяся с обеих поверхностей пластины, что приводит к разрыву сплошности текстуры в объеме образца и к деградации пироэлектрических свойств (пример 13). Слишком большой градиент температур (свыше 100°С/мм) приводит к тому, что фронт кристаллизации, распространяющийся с высокотемпературной поверхности образца, останавливается, не достигнув противоположной поверхности. В этом случае пироэлектрический эффект в образце не наблюдался (пример 16).

Малое время выдержки (менее 2 ч) при температуре кристаллизации снижает количество кристаллической фазы и, соответственно, коэффициент пироэлектричества (пример 17). Напротив, выдержка образца более 8 ч приводит к рекристаллизации и ухудшению качества текстуры, что приводит к заметному снижению способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 (пример 20).

Таблица примеров
№при мераСостав, мол.% Ткр-ции,°СГрадиент,°С/мм Выдержка, чспособ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, патент № 2278833 , нКл/см2·К Примечания
1 25Lа2O3-25В 2O3-50GеO2 95080 44,5 
223Lа 2O3-27В2O 3-50GеO2950 804 3,9 
3 21Lа2O 3-29В2O3-50GеO 295080 40,6 Повышенное количество остаточной стеклофазы
427Lа2O 3-23В2O3-50GеO 295080 43,8  
529Lа 2O3-21В2O 3-50GеO2950 804 0Кристаллизуется непироэлектрическая фаза
624Lа 2O3-25В2O 3-50GеO2950 804 4,4 
7 22Lа2O 3-25В2O3-50GеO 295080 40 Кристаллизуется непироэлектрическая фаза
825Lа2O 3-22В2O3-50GеO 2950100 40 Кристаллизуется непироэлектрическая фаза
925Lа2O 3-25В2O3-50GеO 2900100 40,5 Повышенное количество остаточной стеклофазы
1025Lа2O 3-25В2O3-50GеO 2920100 43,8  
11 25Lа2O3-25В 2O3-50GеO2 980100 43,6 
1225Lа 2O3-25В2O 3-50GеO21000 1004 0Грубая текстура, пробой образцов при поляризации
1325Lа 2O3-25В2O 3-50GеO2950 204 0Расслоение текстуры
1425Lа2O 3-25В2O3-50GеO 295050 43,2  
15 25Lа2O3-25В 2O3-50GеO2 95080 54,0 
1625Lа 2O3-25В2O 3-50GеO2950 1506 0Остеклованность «холодной» поверхности образца
17 25Lа2O3-25В 2O3-50GеO2 950100 10,1Повышенное количество остаточной стеклофазы
18 25Lа2O3-25В 2O3-50GеO2 950100 23,1 
1925Lа 2O3-25В2O 3-50GеO2950 1008 4,3 
20 25Lа2O 3-25В2O3-50GеO 2950100 100,9 Рекристаллизация, грубая текстура

Класс C03C10/02 кристаллическая фаза, не содержащая кремнезема и силикатов, например шпинель, титанат бария

стекло с наночастицами сульфида свинца для просветляющихся фильтров -  патент 2485062 (20.06.2013)
способ получения волоконно-текстурированной стеклокерамики -  патент 2422390 (27.06.2011)
стекло с нанокристаллами селенида свинца для просветляющихся фильтров ближней ик области спектра -  патент 2412917 (27.02.2011)
состав для получения ситаллокомпозиционного облицовочного материала и способ его получения -  патент 2360873 (10.07.2009)
стекло с нанокристаллами селенида свинца для насыщающих поглотителей -  патент 2341472 (20.12.2008)
абразивные частицы и способы их получения и применения -  патент 2303621 (27.07.2007)
стеклокерамика -  патент 2297397 (20.04.2007)
стекло с нанокристаллами сульфида свинца для просветляющихся фильтров в ближней ик области спектра -  патент 2269492 (10.02.2006)
стекло для стеклокристаллического цемента -  патент 2237624 (10.10.2004)
Наверх