способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2005-02-24
публикация патента:

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: проводят измерения амплитуды динамического тока потребления для каждого инвертора схемы в цепи питания и земли при включении и выключении инверторов до и после воздействия электростатического разряда (ЭСР). Определяют коэффициенты К=IДвыкл/I Двкл для каждого инвертора схемы до и после воздействия ЭСР, где IДвкл>IДвыкл - амплитуда динамического тока потребления схемы соответственно при включении и выключении. Определяют максимальное KMAX и минимальное KMIN значения коэффициента для каждой схемы. Отбраковывают схемы, если они не удовлетворяют любому из двух критериев

А нач>1,3 и

АЭСР>1,3,

где А нач и АЭСР - коэффициенты соответственно до и после воздействия ЭСР, определяемые для каждой схемы как A=K MAX/KMIN. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. 4 табл.

Формула изобретения

Способ отбраковки потенциально ненадежных схем, включающий измерение тока потребления, отличающийся тем, что проводят измерения амплитуды динамического тока потребления для каждого инвертора схемы в цепи питания и земли при включении и выключении инверторов до и после воздействия электростатического разряда (ЭСР) допустимого по техническим условиям потенциала на вход и соответствующий выход каждого инвертора, меняя полярность, определяют коэффициенты К=IДвыкл/IДвкл для каждого инвертора схемы до и после воздействия ЭСР, где IДвкл, IДвыкл - амплитуда динамического тока потребления схемы соответственно при включении и выключении, определяют максимальное KMAX и минимальное KMIN значение коэффициента для каждой схемы до и после воздействия ЭРС и отбраковывают схемы, если они не удовлетворяют любому из двух критериев

Анач >1,3 и

АЭСР>1,3,

где Анач и АЭСР коэффициенты соответственно до и после воздействия ЭСР, определяемые для каждой схемы как A=КMAX MIN.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Известно [1], что способом анализа форм (параметров) динамического тока потребления могут отбраковываться дефектные и потенциально ненадежные, как правило, цифровые ИС малой, средней и большой степени интеграции, изготовленные по различным технологиям. Наличие аномалий в форме динамического тока потребления или его величины при обращении к заданному логическому элементу (или группе элементов) указывает на наличие дефектов ИС, что снижает потенциальную надежность данной схемы.

Наиболее близким по технической сущности является способ отбраковки ненадежных КМОП ИС [2], по которому ИС устанавливают в термокамеру и измеряют токи потребления при двух фиксированных значениях повышенной температуры, а отбраковывают схемы с наибольшим отношением второго тока к первому.

Недостатком данного способа является сложность измерения тока потребления при повышенных температурах, отсюда большая погрешность в измерениях.

Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей диагностических способов и повышение достоверности.

Это достигается тем, что на представительной выборке конкретного типа ИС набирается статистика значений измеряемого динамического тока потребления в цепи питания и земли при выключении и включении инверторов схемы до и после воздействия электростатическим разрядом, напряжением, равным предельно допустимому потенциалу, указанному в технических условиях (ТУ). По полученным данным определяют диапазон допустимых значений коэффициента К=IДвыкл /IДвкл, где IДвыкл - динамический ток потребления при выключении, а IДвкл - динамический ток при включении схемы, находят коэффициент А=KMAX/KMIN (KMAX - максимальное значение К для одной ИС, K MIN - минимальное значение К для той же ИС) для каждой схемы до и после воздействия ЭСР и определяют критерии для отбраковки потенциально ненадежных ИС:

первый критерий: Анач >1,3;

второй критерий: АЭСР>1,3,

т.е. KMAX не должно превышать KMIN более чем на 30% как до воздействия (Анач), так и после воздействия ЭСР (АЭСР) для каждой схемы. ИС считается потенциально ненадежной, если она не удовлетворяет любому из этих двух критериев.

Пример осуществления способа. На произвольно выбранных пяти ИС типа КР1533ЛН1 (шесть логических элементов НЕ) измерили амплитуду динамических токов потребления с помощью стробоскопического осциллографа С7-8 для каждого из шести инверторов каждой схемы в момент его включения и в момент выключения до и после воздействия ЭСР. Результаты измерения до воздействия ЭСР для каждого инвертора каждой ИС представлены в таблице 1, а рассчитанные значения К и Анач - в таблице 2. Минимальные и максимальные значения К в таблице 2 отмечены шрифтом.

Таблица 1
№ схемыМомент измерения Динамические токи потребления IД, мА, по инверторам до ЭСР
1 234 56
1Включение9 888 98
Выключение 5351 535052 51
2 Включение88 10810 9
Выключение 525253 515252
3Включение 88 987 8
Выключение 535352 535353
4Включение 1010 998 9
Выключение 535052 515252
5Включение 99 9910 9
Выключение 525053 535253

Таблица 2
№ схемыЗначение К=I Двыкл/IДвкл по инверторам до ЭСР Анач
12 345 6
15,889 6,3756,625 6,255,7786,375 1,14
2 6,56,55,3 6,3755,25,778 1,25
3 6,6256,6255,775 6,6257,571 6,6251,31
45,35 5,7785,6676,5 5,7781,3
55,778 5,5565,8895,889 5,25,889 1,13

Затем подаем по 5 электростатических разрядов амплитудой 200 В (допустимого значения по техническим условиям) на каждый вход и соответствующий выход каждого инвертора, меняя полярность, после чего измеряем динамический ток потребления.

Результаты измерения после воздействия ЭСР для каждого инвертора каждой ИС представлены в таблице 3, а рассчитанные значения К и АЭСР - в таблице 4. Минимальные и максимальные значения К в таблице 4 отмечены шрифтом.

Таблица 3
№ схемыМомент измерения Динамические ток и потребления IД, мА, по инверторам после ЭСР
1 234 56
1Включение10 99 888
Выключение52 545452 5252
2Включение9 9910 1010
Выключение 5052 555253 53
3 Включение99 1197 7
Выключение 525453 525250
4Включение 1011 101011 10
Выключение 525253 505453
5Включение 1010 11810 10
Выключение 505054 515154

Таблица 4
№ схемыЗначение К=I Двыкл/IДвкл, по инверторам после ЭСРАЭСР
12 345 6
15,2 66 6,56,56,5 1,25
25,556 5,7786,111 5,25,35,3 1,17
35,778 64,818 5,7787,4297,143 1,54
4 5,24,7285,3 54,9095,3 1.12
55 54,909 6,3755,15,4 1,27

По первому критерию потенциально ненадежной будет ИС №3, по второму критерию потенциально ненадежной будет также ИС №3. Таким образом схема №3 будет потенциально ненадежной.

Источники информации

1. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля динамических параметров.

2. А.С. СССР 1239658. МПК 4 G 01 R 31/26. Опубл.1986 г.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ измерения шума узлов мфпу -  патент 2521150 (27.06.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)
Наверх