магнитный датчик и способ компенсации зависящей от температуры характеристики магнитного датчика
| Классы МПК: | G01R33/09 приборов с магнитным сопротивлением |
| Автор(ы): | САТО Хидеки (JP) |
| Патентообладатель(и): | ЯМАХА КОРПОРЕЙШН (JP) |
| Приоритеты: |
подача заявки:
2006-12-07 публикация патента:
20.09.2008 |
Изобретение относится к магнитному датчику, использующему магниторезистивный элемент. Магнитный датчик 10 включает в себя СМР-элементы 11-18 и нагревательные катушки 21-24, служащие в качестве тепловыделяющих элементов. Элементы 11-14 и 15-18 соединяются между собой в виде моста, составляя датчики оси Х и оси Y соответственно. Нагревательные катушки 21, 22, 23 и 24 располагаются рядом с элементами 11 и 12, элементами 13 и 14, элементами 15 и 16 и элементами 17 и 18 соответственно. Нагревательные катушки 21-24 при электрическом возбуждении нагревают, главным образом, соседние элементы. Поэтому элементы могут нагреваться и охлаждаться в течение короткого периода времени, во время которого может обеспечиваться постоянный геомагнетизм. Данные для компенсации зависящей от температуры характеристики (отношение изменения выходного значения датчика к изменению температуры элемента) получают на основе температур элементов до и после нагревания и выходных значений магнитного датчика до и после нагревания. Затем компенсируются температурные характеристики элементов на основе этих данных. 2 н.п. ф-лы, 18 ил.
Формула изобретения
1. Магнитный датчик, содержащий единственную подложку и множество групп элементов, причем каждая группа элементов включает в себя пару магниторезистивных элементов, которые идентичны в смысле направления намагниченности фиксированного слоя, причем по меньшей мере две из групп элементов перпендикулярны в смысле направления намагниченности упомянутого фиксированного слоя друг другу, в котором каждая из упомянутого множества групп элементов располагается на упомянутой подложке так, что направление намагниченности упомянутого фиксированного слоя каждой группы элементов, по существу, параллельно направлению, в котором увеличивается расстояние от центроида упомянутой подложки, и так, что упомянутая пара магниторезистивных элементов располагается рядом друг с другом.
2. Магнитный датчик, содержащий единственную подложку и множество групп элементов, причем каждая группа элементов включает в себя пару магниторезистивных элементов, которые идентичны в смысле направления намагниченности фиксированного слоя, по меньшей мере две из групп элементов перпендикулярны в смысле направления намагниченности свободного слоя упомянутого магниторезистивного элемента друг другу, когда не прикладывается внешнее магнитное поле, в котором каждая из упомянутого множества групп элементов располагается на упомянутой подложке так, что, когда не прикладывается внешнее магнитное поле, направление намагниченности упомянутого свободного слоя каждой группы элементов, по существу, перпендикулярно направлению, в котором увеличивается расстояние от центроида упомянутой подложки, и так, что упомянутая пара магниторезистивных элементов располагается рядом друг с другом.
Описание изобретения к патенту
Текст описания приведен в факсимильном виде 
Класс G01R33/09 приборов с магнитным сопротивлением
