структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати

Формула изобретения

1. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (001), по отношению к указанной подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:

u=(C _c/C_a)·(W_a /W_c),

где u представляет собой действительное число больше 2; С_с представляет собой интенсивность пика от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; 1' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение С _с достигало максимума; С_а представляет собой интенсивность пика от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; h' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение С_c достигало максимума; W_c представляет собой ширину пика кривой качания на половине высоты от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W_a представляет собой ширину пика кривой качания на половине высоты от (h'00) плоскости диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.

2. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность пиков от плоскостей иных, чем плоскость (001), меньше 10% от интенсивности пика от плоскости (001') при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, а интенсивность пиков от плоскостей иных, чем плоскость (h00), меньше 10% от интенсивности пика от плоскости (h'00) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения, причем h' и 1 представляют собой любые целые числа, 1' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы интенсивность пика от плоскости (001') достигала максимума при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, h представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы интенсивность пика от плоскости (h'00) достигало максимума при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.

3. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что толщина диэлектрической пленки больше 10 нм и меньше 20 мкм.

4. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что кристаллическая структура диэлектрической пленки представляет собой квадратный кристалл.

5. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (111) по отношению к подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:

v=(C ₁₁₁/C_-110)·(W _-110/W₁₁₁),

где v представляет собой действительное число больше 2; С₁₁₁ представляет собой интенсивность пика от плоскости (111) диэлектрической пленки, при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; С_-110 представляет собой интенсивность пика от плоскости (-110) указанной диэлектрической пленки, при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; W₁₁₁ представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (111) указанной диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W_-110 представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (-110) указанной диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.

6. Структура диэлектрической пленки по п.5, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (111), составляет меньше 10% от интенсивности от плоскости (111) при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, и интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (-110), составляет меньше 10% от интенсивности от плоскости (-100) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.

7. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что кристаллическая структура диэлектрической пленки представляет собой ромбический кристалл.

8. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (110) по отношению к указанной подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:

w=(C₁₁₀/C_00m)·(W _00m/W₁₁₀),

где w представляет собой действительное число больше 2; С₁₁₀ представляет собой интенсивность пика от плоскости (110) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; С_00m представляет собой интенсивность пика от плоскости (00m) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; m представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение С _00m достигало максимума; W₁₁₀ представляет собой ширину пика на половине высоты кривой качания от плоскости (110) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W_00m представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (00m) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.

9. Структура диэлектрической пленки по п.8, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (110), меньше 10% интенсивности от плоскости (110) при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, а интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (-110), меньше 10% от интенсивности от плоскости (-110) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.

10. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.1, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.

11. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.5, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.

12. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.8, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.

13. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.1 и электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.

14. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.5 и электрод для приложения напряжения к структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.

15. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.8 и электрод для приложения напряжения к структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.

Описание изобретения к патенту

Текст описания приведен в факсимильном виде.