устройство для измерения параметров материалов

Классы МПК:G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2008-06-03
публикация патента:

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано как самостоятельно для измерения электрофизических параметров материалов, так и в качестве более сложных функциональных устройств: комплексных измерительных систем, комплексных систем по производству и контролю параметров материалов, автоматизированных измерительных, производственных и производственно-измерительных комплексов и т.д. Устройство согласно изобретению представляет собой прямоугольный волновод с подключенный к нему СВЧ-генератором, имеющий короткозамыкатель 2, измерительное устройство. Устройство содержит штырь 3, установленный в центральной части на одной из широких стенок волновода 1 параллельно короткозамыкателю 2. Высота штыря h меньше размера волновода b, так что между штырем и другой широкой стенкой имеется зазор. Короткозамыкатель 2 имеет на поверхности, обращенной внутрь волновода, полукруглую выемку 4, по всей его ширине параллельную штырю, и отверстие 5, в выемке коаксиально расположен зонд в виде иглы 6, с помощью петли связи 7 гальванически соединенный с короткозамыкателем 2, выступающий за пределы волновода 1. Расстояние от штыря 3 до короткозамыкателя 2 и величина зазора выбраны из условия возникновения резонанса с малым коэффициентом отражения. Изобретение обеспечивает одновременное измерение электрофизических параметров материала: диэлектрической проницаемости в диапазоне 1,5÷400, проводимости в диапазоне 2·10-2-1·м-1÷10 7-1·м-1. 1 ил., 1 табл. устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545

устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545

Формула изобретения

Устройство для измерения диэлектрической проницаемости и проводимости материалов, содержащее СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим короткозамыкатель, измерительное устройство, отличающееся тем, что в него введен штырь, установленный в центральной части на одной из широких стенок волновода параллельно короткозамыкателю с зазором между ним и другой широкой стенкой, короткозамыкатель имеет на поверхности, обращенной внутрь волновода, полукруглую выемку по всей его ширине, параллельную штырю, и отверстие, расположенное в выемке, в котором коаксиально расположен зонд в виде иглы с помощью петли связи, гальванически соединенный с короткозамыкателем, выступающий за пределы волновода, при этом расстояние от штыря до короткозамыкателя и величина зазора выбраны из условия возникновения резонанса.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано как самостоятельно для измерения электрофизических параметров материалов (совместно с генератором СВЧ и измерителем КСВН), так и в составе более сложных функциональных устройств: комплексных измерительных систем, комплексных систем по производству и контролю параметров материалов, автоматизированных измерительных, производственных и производственно-измерительных комплексов и т.д.

Известно близкое по принципу действия устройство на основе коаксиальной линии, представляющее собой резонансный, разомкнутый на конце, коаксиальный кабель с выступающим за пределы коаксиала внутренним проводником, подключенный через разделительный конденсатор и ответвитель к СВЧ-генератору. Измерения производятся при поднесении к разомкнутому концу коаксиального кабеля образца в широком диапазоне значений диэлектрической проницаемости (1-230). Сдвиг резонансной частоты при работе устройства составляет порядка 100 МГц. Чувствительность по сопротивлению устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 R/R=0,0064 при сопротивлении R=100 Oм·cм на частоте 7,5 ГГц. (S.M.Anlage, D.E.Steinhauer, B.J.Feenstra, C.P.Vlahacos, V.C.Welstood. Near-Field Microwave Microscopy of Material properties // Microwave Superconductivity. - Amsterdam. - 2001. - P.239-269.)

Однако данное устройство не позволяет производить одновременное измерение нескольких параметров, так как требуется производить перестройку резонансной системы.

Известно устройство, близкое по принципу действия на основе коаксиальной линии, совмещенное с туннельным микроскопом. Оно представляет собой резонансный, разомкнутый на конце, коаксиальный кабель с выступающим за пределы коаксиала внутренним проводником, подключенный через разделительный конденсатор и ответвитель к СВЧ-генератору, совмещенный с туннельным микроскопом, позволяющим точно контролировать расстояние между зондом и исследуемым материалом, обеспечивающее разрешение по высоте 2,5 нм. Такое разрешение достигнуто при работе генератора на частоте из диапазона 7-11 ГГц. (A.Imtiaz, S.Anlage. A novel Microwave Frequeny Scanning Capacitance Microscope // Ultramicroscopy. - 2003. - V.94 - Issues 3-4. - P.209-216.)

Однако данное устройство сложно в эксплуатации и не позволяет производить многопараметровые измерения.

Наиболее близким по конструктивному исполнению к предлагаемому решению является устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ. Оно представляет собой прямоугольный волновод, короткозамкнутый на конце, с продольной щелью на его боковой стенке, которая в процессе измерения закрывается эталонным короткозамыкателем или измеряемым образцом, перед процессом измерения воздушный зазор между волноводом и измеряемым образцом или эталоном заливается припоем (см. патент на изобретение РФ № 2234103, МПК G01R 27/26).

Однако данное устройство предполагает дополнительную подготовку образца, а также для его использования необходимо применять припой, который изменяет свойства исследуемого материала и перестраивает резонансную систему.

Задача настоящего устройства заключается в обеспечении возможности измерять два параметра материала (диэлектрической проницаемости в диапазоне 1,5÷4000, проводимости в диапазоне 2·10-2 Ом-1·м-1÷10 7 Ом-1·м-1) без дополнительной перестройки резонансной системы.

Технический результат заключается в получении информации о диэлектрических характеристиках материала в диапазоне 1,5÷400 и о его проводимости в диапазоне 2·10-2 Ом-1·м-1÷10 7 Ом-1·м-1 без дополнительной перестройки резонансной системы.

Поставленная задача достигается тем, что в устройство для измерения параметров материалов, содержащее СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим короткозамыкатель, измерительное устройство, согласно решению введен штырь, установленный в центральной части на одной из широких стенок волновода параллельно короткозамыкателю с зазором между ним и другой широкой стенкой, короткозамыкатель имеет на поверхности, обращенной внутрь волновода, полукруглую выемку, по всей его ширине параллельную штырю, и отверстие, расположенное в выемке, в котором коаксиально расположен зонд в виде иглы, с помощью петли связи гальванически соединенный с короткозамыкателем, выступающий за пределы волновода, при этом расстояние от штыря до короткозамыкателя и величина зазора выбраны из условия возникновения резонанса.

Предлагаемое устройство поясняется чертежом.

На чертеже приведено изображение предлагаемого устройства для измерения параметров материалов, где 1 - волновод; 2 - короткозамыкатель; 3 - штырь; 4 - выемка; 5 - отверстие в короткозамыкателе, 6 - игла; 7 - петля связи; а - размер широкой стенки волновода; b - размер узкой стенки волновода, h - высота штыря; d - диаметр штыря; k - расстояние между штырем и короткозамыкателем; s - ширина выемки; w - глубина выемки.

Разработанное для измерений параметров устройство представляет собой прямоугольный волновод 1 с подключенным к нему СВЧ-генератором (не показано), имеющий короткозамыкатель 2, измерительное устройство (не показано). Устройство содержит штырь 3, установленный в центральной части на одной из широких стенок волновода 1 параллельно короткозамыкателю 2. Высота штыря h меньше размера узкой стенки волновода b, так что между штырем и другой широкой стенкой имеется зазор. Короткозамыкатель 2 имеет на поверхности, обращенной внутрь волновода, полукруглую выемку 4, по всей его ширине параллельную штырю, и отверстие 5, в выемке коаксиально расположен зонд в виде иглы 6, с помощью петли связи 7 гальванически соединенный с короткозамыкателем 2, выступающий за пределы волновода 1. Расстояние от штыря 3 до короткозамыкателя 2 и величина зазора выбраны из условия возникновения резонанса с малым коэффициентом отражения.

Устройство работает следующим образом. СВЧ-сигнал от генератора поступает в волновод 1. Происходит взаимодействие в волноводе 1 СВЧ-сигнала со штырем 3 и короткозамыкателем 2, имеющим выемку 4. В результате возникает ближнее поле, приводящее к возникновению резонанса. Изменением расстояния между короткозамыкателем 2 и штырем 3 добиваются возникновения резонанса с малым коэффициентом отражения, после чего это расстояние фиксируется (данная операция выполняется однократно). Ближнее поле взаимодействует с иглой 6 через петлю связи 7, а через нее с исследуемым образцом, который располагается вблизи или касается иглы 6. В измерительное устройство поступает отраженный сигнал, и проводятся измерения частоты резонанса, добротности и коэффициента отражения. В данном измерительном устройстве благодаря взаимодействию ближнего поля на конце иглы 6 с измеряемым образцом при незначительном расстоянии между образцом и иглой 6 (несколько десятков мкм или контакт без усилия) возникает перестройка резонансной картины, выражающаяся в изменении частоты резонанса, его добротности и величины коэффициента отражения на частоте резонанса в зависимости от величины диэлектрической проницаемости, проводимости исследуемого слоя. Данные измерений сравниваются с калибровочными кривыми, в результате чего делается вывод обо всех вышеперечисленных величинах.

Пример практической реализации способа.

Разрабатывалось устройство в трехсантиметровом диапазоне длин волн со следующими параметрами:

Рабочий диапазон генератора, ГГц 8-12
Резонансная частота, ГГц10,251
Коэффициент отражения при отсутствии образцов 0,032814
Добротность системы при отсутствии образцов 5126

В данной системе а=23 мм, b=10 мм, h=6,5 мм, 1 мм - высота зазора в штыре, d=0,9 мм; выемка цилиндрической формы: s=7 мм; w=2,15 мм, радиус иглы составляет 0,1 мм, расстояние k между штырем и короткозамыкателем не превышает устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 /10. Результаты измерений приведены в таблице.

Таблица
Диэлектрическая проницаемостьПроводимость, Ом-1·м-1 Частота резонанса, ГГц Коэффициент отражения Добротность
устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 5,952·10 79,464 0,22697 1088
устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 2·10 610,132 0,19324 881
11,9 0,05 9,53850,55334 64
14устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 10,137 0,25417 579
16 0,02 9,47480,44211 115
160,025 9,34160,49594 82
30устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 9,3612 0,43049 184
100 устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 10,119 0,31667 613
400 устройство для измерения параметров материалов, патент № 2373545 10,103 0,31232 459

Таким образом, использование системы штырь с емкостным зазором - короткозамыкатель с выемкой, отверстием, петлей связи и иглой позволяет измерять электропроводность в диапазоне 2·10-2 Ом -1·м-1÷107 Ом-1 ·м-1, диэлектрическую проницаемость слоя исследуемого материала в диапазоне 1,5÷400.

Класс G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь с уравновешиванием резистивного моста уитстона методом широтно-импульсной модуляции -  патент 2515309 (10.05.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь сопротивления в двоичный код с генератором, управляемым напряжением -  патент 2502076 (20.12.2013)
способ определения коэффициента потерь tg диэлектриков -  патент 2501028 (10.12.2013)
микроконтроллерное устройство диагностики межвитковой изоляции обмотки электродвигателя по эдс самоиндукции -  патент 2498327 (10.11.2013)
способ определения сопротивления и индуктивности рассеяния первичной обмотки трансформатора напряжения -  патент 2491559 (27.08.2013)
сканирующий измеритель параметров cg-двухполюсников -  патент 2488130 (20.07.2013)
способ и устройство для емкостного обнаружения объектов -  патент 2486530 (27.06.2013)
Наверх