способ обработки кристаллов кремния

Формула изобретения

Способ обработки кристаллов кремния, включающий обработку кристаллов кремния после высокотемпературных операций в травителе, состоящем из азотной кислоты HNO₃, фтористоводородной кислоты HF и уксусной кислоты СН₃СООН, отличающийся тем, что в качестве травителя используют травитель, в состав которого входят: азотная кислота (HNO₃), фтористоводородная кислота (HF) и уксусная кислота (СН₃СООН) в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 мин, по окончании промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени равной 25±5 мин, процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.

Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.

Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO₃, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CH₃COOH в соотношении компонентов

Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO₃, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH₃COOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO₃, а замедлителем является уксусная кислота -CH₃COOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO₃ , фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH₃ COOH в соотношении компонентов

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO₃, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH₃COOH в соотношении компонентов:

Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO₃, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH₃COOH в соотношении компонентов

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.