каскодный усилитель

Формула изобретения

1. Каскодный усилитель, содержащий входной транзистор (1), база которого соединена с цепью установления статического режима (2) и через разделительный конденсатор (3) связана с источником сигнала (4), эмиттер по переменному току соединен с первой (5) шиной источников питания, а коллектор подключен к эмиттеру выходного транзистора (6), цепь смещения потенциалов (7), связанную с базой выходного транзистора (6), двухполюсник коллекторной нагрузки (8), первый вывод которого соединен с коллектором выходного транзистора (6) и выходом устройства, вторую шину источников питания, отличающийся тем, что второй вывод двухполюсника коллекторной нагрузки (8) соединен со второй (9) шиной источника питания через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник (10) и через вспомогательный двухполюсник (11) соединен с эмиттером выходного транзистора (6).

2. Каскодный усилитель по п.1, отличающийся тем, что в качестве цепи смещения потенциалов (7) используется выход дополнительного дифференциального усилителя напряжения (15), инвертирующий вход которого соединен с эмиттером выходного транзистора (6), а неинвертирующий вход подключен к источнику опорного напряжения (16).

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов).

В современной микроэлектронике находят широкое применение классические каскодные усилители (КУ) с резистивной нагрузкой, включенной в коллекторную цепь входного транзистора - каскада с общим эмиттером [1-19].

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является КУ фиг.1 по патенту США № 3.882.410, фиг.3.

Существенный недостаток известного КУ, архитектура которого присутствует также во многих других каскодных усилителях [1-19], состоит в том, что при ограничениях на напряжение питания (Е_п), характерных для SiGe технологических процессов (Е_п 2,0÷2,5 В), его коэффициент усиления по напряжению (К_у) получается небольшим (K_ymax=10÷20). В первую очередь это обусловлено ограничениями на сопротивления резисторов коллекторной нагрузки, которые из-за малых Е_п не могут выбираться высокоомными.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении коэффициента усиления по напряжению. Это позволяет в ряде случаев исключить дополнительные каскады усиления, уменьшить общее энергопотребление в сравнении с многокаскадными усилителями.

Поставленная задача решается тем, что в широкополосном усилителе фиг.1, содержащем входной транзистор 1, база которого соединена с цепью установления статического режима 2 и через разделительный конденсатор 3 связана с источником сигнала 4, эмиттер по переменному току соединен с первой 5 шиной источников питания, а коллектор подключен к эмиттеру выходного транзистора 6, цепь смещения потенциалов 7, связанную с базой выходного транзистора 6, двухполюсник коллекторной нагрузки 8, первый вывод которого соединен с коллектором выходного транзистора 6 и выходом устройства, вторую шину источников питания, предусмотрены новые элементы и связи - второй вывод двухполюсника коллекторной нагрузки 8 соединен со второй 9 шиной источника питания через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник 10 и через вспомогательный двухполюсник 11 соединен с эмиттером выходного транзистора 6. В качестве вспомогательного двухполюсника 11 могут применяться конденсаторы или источники опорного напряжения.

Схема усилителя-прототипа показана на чертеже фиг.1. На чертеже фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения для случая, когда вспомогательный двухполюсник 11 - конденсатор.

На чертеже фиг.3 показана схема КУ-прототипа, а на чертеже фиг.4 - заявляемого КУ в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW.

На чертеже фиг.5 представлены амплитудно-частотные характеристики сравниваемых схем фиг.3 и фиг.4. Из данных графиков следует, что КУ по п.1 формулы изобретения имеет коэффициент усиления К_у на 12 дБ больше, чем КУ-прототип.

На чертеже фиг.6 приведена схема КУ в соответствии с п.2 формулы изобретения, а на чертеже фиг.7 - пример конкретного выполнения его дополнительного дифференциального усилителя напряжения 15.

На чертеже фиг.8 представлена схема фиг.2 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW.

На чертеже фиг.9 показана схема КУ фиг.7 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW.

На чертеже фиг.10 приведены амплитудно-частотные характеристики сравниваемых схем фиг.3 (прототип, нижний график), фиг.8 (заявляемый КУ по п.1 формулы изобретения, средний график) и фиг.9 (заявляемый КУ по п.2 формулы изобретения, верхний график).

Данные графики показывают, что схема фиг.8 по п.1 формулы изобретения имеет более высокое усиление, чем КУ фиг.3. В свою очередь, КУ фиг.9 (п.2 формулы изобретения) имеет еще более высокое усиление, чем КУ по п.1 формулы изобретения, которое на 30 дБ превышает К_у усилителя-прототипа.

Каскодный усилитель фиг.2 содержит входной транзистор 1, база которого соединена с цепью установления статического режима 2 и через разделительный конденсатор 3 связана с источником сигнала 4, эмиттер по переменному току соединен с первой 5 шиной источников питания, а коллектор подключен к эмиттеру выходного транзистора 6, цепь смещения потенциалов 7, связанную с базой выходного транзистора 6, двухполюсник коллекторной нагрузки 8, первый вывод которого соединен с коллектором выходного транзистора 6 и выходом устройства, вторую шину источников питания. Второй вывод двухполюсника коллекторной нагрузки 8 соединен со второй 9 шиной источника питания через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник 10 и через вспомогательный двухполюсник 11, например конденсатор или стабилитрон, соединен с эмиттером выходного транзистора 6. В частном случае цепь установления статического режима 2 содержит источник тока 12, р-n переход 13 и резистор 14.

На чертеже фиг.6, в соответствии с п.2 формулы изобретения, в качестве цепи смещения потенциалов 7 используется выход дополнительного дифференциального усилителя напряжения 15, инвертирующий вход которого соединен с эмиттером выходного транзистора 6, а неинвертирующий вход подключен к источнику опорного напряжения 16. В частном случае (фиг.7) дополнительный дифференциальный усилитель напряжения 15 реализован на транзисторе 17, а в качестве источника опорного напряжения 16 используется общая шина источников питания.

Рассмотрим работу ДУ фиг.2.

Предельный коэффициент усиления по напряжению КУ фиг.1 определяется сопротивлением R₈ двухполюсника коллекторной нагрузки:

где S₁ (r_э1)^-1 - крутизна усиления ШУ в режиме короткого замыкания по выходу, зависящая от сопротивления эмиттерного перехода (r_э1) входного транзистора 1.

Покажем аналитически, что более высокие значения К_у в диапазоне средних частот реализуются в схеме фиг.2, а еще более высокий К_у имеет схема фиг.6 (фиг.7).

Действительно, комплексный коэффициент передачи по напряжению КУ фиг.2 определяется по формуле:

где - комплекс эквивалентного выходного импеданса узла «А»;

- комплексная крутизна транзистора 1 в режиме короткого замыкания выхода КУ (1).

Если емкость вспомогательного двухполюсника 11 (конденсатора) равна нулю, то для КУ фиг.2 при условии, что R8>>R10:

где R₈ - сопротивление двухполюсника коллекторной нагрузки 8.

То есть (3) - это формула для К_у.п. усилителя-прототипа.

Комплекс эквивалентной нагрузки в узле «А» КУ фиг.2 можно найти по формуле:

где ,

- комплекс импеданса вспомогательного двухполюсника 11 (конденсатора 11);

, - токи через двухполюсник коллекторной нагрузки 8 и через вспомогательный двухполюсник 11;

- комплекс коллекторного тока транзистора 6;

- комплексный коэффициент усиления по току эмиттера транзистора 6.

После преобразований последней формулы находим, что:

Поэтому коэффициент усиления по напряжению КУ фиг.2:

или при :

Выигрыш по K_y, который дает схема КУ фиг.2 в сравнении с прототипом фиг.1, можно оценить с помощью, в общем случае, комплексного коэффициента:

Если =0, то , т.е. на постоянном токе выигрыш по К_у отсутствует. При ₆=0,98-0,99, r_э6/R₁₀<<1, в области средних частот, когда можно пренебрегать влиянием емкости конденсатора 11, реализуется значительный выигрыш по коэффициенту усиления:

В схеме КУ фиг.6, фиг.7, которая является дальнейшим развитием схемы фиг.2, статический режим транзистора 6 устанавливается дополнительным дифференциальным усилителем напряжения 15.

Аналогично можно показать, что коэффициент усиления по напряжению более совершенной схемы каскодного усилителя фиг.6 определяется по формуле:

В области средних частот, когда влиянием сопротивления вспомогательного двухполюсника 11 можно пренебречь:

Сравнение (3), (9) и (11) показывает, что введение в схему в соответствии с п.2 формулы изобретения дополнительного дифференциального усилителя напряжения 15 повышает в в сравнении с каскодом-прототипом и в в сравнении с каскодом по п.1 формулы изобретения, где:

при типовых значениях параметров ₆=0,98-0,99, r_э6=25 Ом, R₁₀ =150 Ом.

Данные теоретические выводы подтверждают графики фиг.10.

Таким образом, заявляемое схемотехническое решение характеризуется более высокими значениями коэффициента усиления.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент США № 6.825.723, фиг.3.

2. Патент США № 4.151.483, фиг.2.

3. Патент США № 4.151.484.

4. Патент США № 3.882.410, фиг.3.

5. Патентная заявка WO 2004/030207.

6. Патент США № 2 4.021.749, фиг.2.

7. Патент США № 3.693.108, фиг.9.

8. Патент США № 7.113.043, фиг.2.

9. Патентная заявка США 2006/0033562.

10. Патентная заявка США 2006/0132242.

11. Патентная заявка США 2006/0119435.

12. Патентная заявка США 2005/0248408.

13. Патент США № 6.204.728.

14. Патент США № 6.278.329.

15. Патентная заявка США 2005/0225397.

16. Патент США № 5.451.906.

17. Патент США № 7.098.743, фиг.1.

18. Патент Англии GB № 1431481, фиг.2.

19. Патент США № 6.515.547, фиг.2.