способ защиты полиимидных материалов при травлении

Формула изобретения

Способ защиты полиимидных материалов при травлении включает процесс травления участков полиимидного материала щелочными растворами, отличающийся тем, что до операции травления полиимидный материал покрывают смесью эпоксиуретанового лака с добавкой олигоэфироакрилата при следующем соотношении компонентов, мас.%:

лак эпоксиуретановый	93,7÷95,2
олигоэфиракрилат	4,8÷6,3,

а затем участок полиимидного материала, не подлежащий травлению, защищают изоляционным слоем.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способам защиты полиимидных материалов при травлении, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и вертолетостроения, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, например гибких печатных плат с открытыми выводами.

Известен способ производства полупроводниковых систем на полиимидном основании (патент РФ № 2295846, Н05К 3/26, опубл. 2007.03.20), в котором в качестве раствора травления используют щелочной раствор, содержащий моноэтаноламин, тетраметиламмоний гидрат или тетрабутиламмоний гидрат. Недостатком данного способа является невозможность получения точной границы травления из-за наличия капиллярного эффекта.

Техническим результатом изобретения является разработка условий травления полностью полимеризованного полиимида, обеспечивающих точность формы и размеров вытравленных участков, а также защиту полиимидного материала от капиллярного эффекта.

Технический результат достигается тем, что способ защиты полиимидных материалов при травлении включает процесс травления участков полиимидного материала щелочными растворами, причем до операции травления полиимидный материал покрывают смесью эпоксиуретанового лака с добавкой олигоэфиракрилата при следующем соотношении компонентов, мас.%:

лак эпоксиуретановый	93,7-95,2
олигоэфиракрилат	4,8-6,3,

а затем участок полиимидного материала, не подлежащий травлению, защищают изоляционным слоем.

Способ защиты полиимидных материалов при травлении, используется, например, при производстве гибкой печатной платы, включает травление полиимидной основы после создания электропроводящей схемы.

Пример 1

1. Покрытие: 93,7% лака эпоксиуретанового УР-231 ТУ 6-21-14-90; 6,3% олигоэфиракрилата марки МГФ-9 ТУ 113-00-05761643-27-92; покрытию подлежит вся плата.

2. Сушат в печи сушильной РН-201М при температуре 65°С.

3. Производят разметку основания печатной платы, например, липкой изоляционной лентой TESA FILM № 4174 для обозначения границ участка, подвергающегося травлению.

4. Производят окунание участка платы, подлежащего травлению полиимида, в водный раствор, содержащий 600-650 г/л гидроксида натрия, температура раствора 115-125°С, время выдержки 10-20 минут.

5. Промывают проточной водопроводной водой, температура 50-60°С, время 2-3 минуты.

6. Промывают проточной водопроводной водой, температура 15-20°С, время 2-3 минуты.

7. Сушат в печи сушильной АРСМ3.009.000 при температуре 70-80°С.

8. Активируют в соляной кислоте, содержание 150-200 г/л, время 0,08-0,16 минут.

9. Промывают проточной водопроводной водой, температура 15-20°С, время 2-3 минуты.

10. Сушат в печи сушильной РН-201М при температуре 65°С.

Пример 2

1. Покрытие: 94,5% лака эпоксиуретанового УР-231 ТУ 6-21-14-90; 5,5% олигоэфиракрилата марки МГФ-9 ТУ 113-00-05761643-27-92; покрытию подлежит вся плата.

П.п.2-10 аналогичны примеру 1.

Пример 3.

1. Покрытие: 95,2% лака эпоксиуретанового УР-231 ТУ 6-21-14-90; 4,8% олигоэфиракрилата марки МГФ-9 ТУ 113-00-05761643-27-92; покрытию подлежит вся плата.

П.п.2-10 аналогичны примеру 1.

Таким образом, при использовании предложенного способа защиты полиимидных материалов при травлении образуются вытравленные участки основания печатной платы с ровными краями и точными размерами, а также обеспечивается защита полиимидного материала от капиллярного эффекта.