жидкокристаллическая панель отображения

Формула изобретения

1. Жидкокристаллическая панель отображения, содержащая:

подложку активной матрицы;

противоположную подложку, расположенную напротив подложки активной матрицы; и

жидкокристаллический слой, размещенный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой,

при этом подложка активной матрицы включает в себя множество переключающих элементов, сформированных на первой прозрачной подложке, изолирующую пленку, сформированную для покрытия переключающих элементов, и множество пиксельных электродов, сформированных на изолирующей пленке в виде матрицы для соединения с соответствующими переключающими элементами через сквозные отверстия, сформированные в изолирующей пленке для соответствующих переключающих элементов,

при этом противоположная подложка включает в себя фоторазделители, сформированные так, чтобы находиться на второй прозрачной подложке, чтобы сохранять толщину жидкокристаллического слоя,

множество пикселей, определенных в виде матрицы в соответствии с пиксельными электродами,

причем жидкокристаллическая панель отображения включает в себя первый ряд пикселей с множеством пикселей в ряду, в котором фоторазделители расположены так, чтобы находиться на одной стороне соответствующих сквозных отверстий, и второй ряд пикселей с множеством пикселей в ряду, в котором фоторазделители расположены так, чтобы находится на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий.

2. Жидкокристаллическая панель отображения по п.1, в которой первый ряд пикселей и второй ряд пикселей являются смежными друг с другом.

3. Жидкокристаллическая панель отображения по п.1 или 2, в которой изолирующая пленка является полимерной пленкой.

4. Жидкокристаллическая панель отображения по п.1, в которой фоторазделители включают в себя первые фоторазделители и вторые фоторазделители, более короткие, чем первые фоторазделители.

5. Жидкокристаллическая панель отображения по п.1, в которой фоторазделители сформированы так, чтобы быть центрами выравнивания в жидкокристаллическом слое.

6. Жидкокристаллическая панель отображения по п.1, в которой подложка активной матрицы включает в себя множество затворных шин, сформированных так, чтобы проходить параллельно друг другу, множество шин истока, сформированных так, чтобы проходить параллельно друг другу в направлении, пересекающем затворные шины, и множество шин конденсаторов, сформированных так, чтобы проходить параллельно друг другу вдоль затворных шин, и

фоторазделители и соответствующие сквозные отверстия сформированы вдоль шин истока так, что перекрывают шины конденсатора.

7. Жидкокристаллическая панель отображения по п.1, в которой подложка активной матрицы включает в себя множество затворных шин, сформированных так, чтобы проходить параллельно друг другу, множество шин истока, сформированных так, чтобы проходить параллельно друг другу в направлении, пересекающем затворные шины, и множество шин конденсаторов, сформированных так, чтобы проходить параллельно друг другу вдоль затворных шин, и

фоторазделитель и соответствующее сквозное отверстие сформированы вдоль затворных шин так, что перекрывают шины конденсатора.

8. Жидкокристаллическая панель отображения, содержащая:

подложку активной матрицы;

противоположную подложку, расположенную напротив подложки активной матрицы; и

жидкокристаллический слой, размещенный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой,

при этом подложка активной матрицы включает в себя множество переключающих элементов, сформированных на первой прозрачной подложке, изолирующую пленку, сформированную для покрытия переключающих элементов, и множество пиксельных электродов, сформированных на изолирующей пленке в виде матрицы для соединения с соответствующими переключающими элементами через сквозные отверстия, сформированные в изолирующей пленке для соответствующих переключающих элементов,

при этом противоположная подложка включает в себя первые фоторазделители и вторые фоторазделители, более короткие, чем первые фоторазделители, и те и другие сформированы на второй прозрачной подложке, чтобы сохранять толщину жидкокристаллического слоя,

при этом первые фоторазделители сформированы так, чтобы не перекрывать сквозные отверстия, и

вторые фоторазделители сформированы так, чтобы перекрывать сквозные отверстия.

Описание изобретения к патенту

Область изобретения, к которой относится изобретение

Настоящее раскрытие относится к жидкокристаллической панели отображения и, более конкретно, к жидкокристаллической панели отображения, толщина ячейки которой сохраняется за счет призматических фоторазделителей, сформированных на подложке.

Уровень техники

Жидкокристаллическая панель отображения включает в себя пару подложек, расположенных напротив друг друга, и жидкокристаллический слой, помещенный между подложками. В такой жидкокристаллической панели отображения толщина жидкокристаллического слоя или толщина ячейки сохраняется постоянной за счет разделителей, расположенных между подложками. Что касается разделителей, традиционно использовались разделители в форме шариков, которые рассыпаются на одной из парных подложек. Однако в последние годы для улучшения однородности толщины ячейки используются призматические фоторазделители, формируемые на одной из парных подложек путем фотолитографии, вместо шариковых разделителей.

Например, патентный документ 1 раскрывает полупрозрачную жидкокристаллическую панель отображения, имеющую выступы в пикселях, служащие в качестве разделителей, а также для управления распределением молекул жидкого кристалла, и способ изготовления такой жидкокристаллической панели отображения.

Патентный документ 1: опубликованный патент Японии № Р2006-330602.

Раскрытие изобретения

Техническая проблема

Жидкокристаллическая панель отображения схемы управления активной матрицы включает в себя подложку активной матрицы и противоположную подложку в качестве парных подложек, описанных выше.

Фиг. 11 представляет собой вид сверху традиционной подложки 120 активной матрицы.

Как показано на фиг. 11, подложка 120 активной матрицы включает в себя множество пиксельных электродов 117, размещенных в виде матрицы, множество затворных шин 113а, проходящих параллельно друг другу вдоль коротких сторон пиксельных электродов 117; множество шин 115 истока, проходящих параллельно друг другу вдоль длинных сторон пиксельных электродов 117; множество емкостных линий передачи 113b, проходящих параллельно друг другу вдоль затворных шин 113а; и множество тонкопленочных полевых транзисторов (TFT), предусмотренных на пересечениях затворных шин 113а и шин 115 истока. В каждом пикселе как минимальной единице изображения, как показано на фиг. 11, TFT 105 и пиксельный электрод 117 соединяются друг с другом через сквозное отверстие 116а, сформированное в полимерной пленке (не показана), покрывающей TFT 105. На фиг. 11 фоторазделители 123а (и 123b), сформированные на противоположной подложке, показаны с помощью двухточечных штрихпунктирных линий. Фоторазделители 123b сформированы так, чтобы быть короче фоторазделителей 123а. При такой конфигурации, если на поверхность панели надавливают, фоторазделители 123b будут контактировать с поверхностью подложки активной матрицы для сохранения толщины ячейки. Также, если холодовый шок будет оказан на жидкокристаллическую панель отображения, изготовленную с помощью технологии однокапельного заполнения, эта конструкция окажет сопротивление образованию вздутия.

В случае формирования фоторазделителей 123а на противоположной подложке, как описано выше, головки фоторазделителей 123а могут, вероятно, опускаться в сделанные сквозные отверстия 116а, сформированные на подложке 120 активной матрицы, если смещение происходит во время соединения между подложкой 120 активной матрицы и противоположной подложкой. В таком случае толщина ячейки может становиться меньше в областях, имеющих фоторазделители 123а, головки которых опускаются в соответствующие сквозные отверстия 116а, приводя к нарушению сохранения постоянства толщины ячейки. Это сделает затруднительным стабильное управление толщиной ячейки с помощью фоторазделителей 123а.

Для решения вышеупомянутой проблемы, как показано на фиг. 11, на подложке 120 активной матрицы формируются сквозные отверстия 116а, и фоторазделители 123а, сформированные на противоположной подложке, могут быть расположены на расстоянии друг от друга, как видно сверху, для того, чтобы предохранить головки фоторазделителей 123а противоположной подложки от погружения в сквозные отверстия 116а подложки 120 активной матрицы. Однако, на практике, если в жидкокристаллической панели отображения пиксели становятся тоньше, пространство между шинами 115 истока становится меньше и меньше. Следовательно, сквозные отверстия 116а и фоторазделители 123а располагаются на расстоянии друг от друга, как показано сверху, за счет такого расположенияния фоторазделителей 123а или сквозных отверстий 116а, при котором они выступают в области передачи, как показано сверху. На фиг. 11 каждая область передачи относится к области, представляющей собой зону, ограниченную двумя соседними затворными шинами 113а и двумя соседними шинами 115 истока, которая не перекрывает ни шину 113b конденсаторов, ни TFT 105, и к области, передающей свет от фоновой подсветки, на устройство отображения, формирующее изображение, например. Когда фоторазделители 123а или сквозные отверстия 116а выступают в области передачи, как видно сверху, части выступа в областях передачи больше содействуют устройству отображения изображения, тем самым уменьшая светосилу пикселей. Например, когда фоторазделители 123а формируются так, чтобы выступать в области передачи, такие части фоторазделителей 123а должны быть защищены, потому что порядок расположения в жидкокристаллическом слое имеет тенденцию нарушаться вблизи фоторазделителей 123а, приводя к уменьшению светосилы пикселей. Также светосила пикселей будет уменьшаться, когда сквозные отверстия 116а формируются так, что они выступают в области передачи, потому что порядок расположения в жидкокристаллическом слое имеет тенденцию нарушаться вблизи сквозного отверстия 116а. Кроме того, могут происходить небольшие потери света, возможно, вызывая ухудшение контрастности, в областях, где порядок расположения в жидкокристаллическом слое нарушается вблизи фоторазделителей 123а и сквозных отверстий 116а.

Как описано выше, в стандартной жидкокристаллической панели отображения трудно предотвратить уменьшение светосилы пикселей, сохраняя в то же время стабильность управления толщиной ячейки за счет расположения сквозных отверстий и фоторазделителей.

Ввиду описанной выше проблемы целью настоящего изобретения является снижение уменьшения светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

Решение проблемы

Для достижения описанной выше цели, в соответствии с настоящим изобретением, создаются первые ряды пикселей, в которых фоторазделители располагают так, чтобы они находились на одной стороне соответствующих сквозных отверстий, и вторые ряды пикселей, в которых фоторазделители располагают так, чтобы они находились на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий.

Более конкретно, жидкокристаллическая панель отображения настоящего изобретения включает в себя: подложку активной матрицы; противоположную подложку, расположенную напротив подложки активной матрицы; и жидкокристаллический слой, помещенный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой, при этом подложка активной матрицы включает в себя множество переключающих элементов, сформированных на первой прозрачной подложке, изолирующую пленку, служащую для покрывания переключающих элементов, и множество пиксельных электродов, сформированных на изолирующей пленке в матрице, которые соединяются с соответствующими переключающими элементами через сквозные отверстия, сделанные на изолирующей пленке для соответствующих переключающих элементов, при этом противоположная подложка включает в себя фоторазделители, сформированные так, чтобы они находились на второй прозрачной подложке для сохранения толщины жидкокристаллического слоя, множество пикселей, определенных в матрицу в соответствии с пиксельными электродами, где жидкокристаллическая панель отображения включает первый ряд пикселей, имеющий множество пикселей в ряду, в котором фоторазделители располагают так, чтобы они находились на одной стороне соответствующих сквозных отверстий, и второй ряд пикселей, имеющий множество пикселей в ряду, в котором фоторазделители располагают так, чтобы они находились на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий.

Жидкокристаллическая панель отображения, имеющая конструкцию, описанную выше, имеет первый ряд пикселей, включающий в себя множество пикселей в ряду, в котором фоторазделители располагают так, чтобы они находились на одной стороне соответствующих сквозных отверстий, и второй ряд пикселей, включающий в себя множество пикселей в ряду, в котором фоторазделители располагают так, чтобы они находились на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий. Следовательно, если головки фоторазделителей противоположной подложки опускаются в соответствующие сквозные отверстия подложки активной матрицы в первом ряду пикселей благодаря размещению и т.п. во время соединения между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой, такое явление опускания головок фоторазделителей противоположной подложки в соответствующие сквозные отверстия подложки активной матрицы не будет происходить во втором ряду пикселей. В этом случае, так как головки фоторазделителей противоположной подложки в пикселях второго ряда пикселей находятся в контакте с частями пиксельных электродов, расположенных вне сквозных отверстий подложки активной матрицы, толщина ячейки надежно сохраняется и, таким образом, сохраняется стабильность управления толщиной ячейки за счет фоторазделителей. Кроме того, так как фоторазделители располагают так, что они находятся на одной стороне или противоположной стороне сквозных отверстий, пространство между фоторазделителями и соответствующими сквозными отверстиями, как видно сверху, является маленьким. Следовательно, так как фоторазделители или сквозные отверстия защищены от попадания в области передачи, снижается уменьшение светосилы пикселей. Соответственно, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей, в то же время сохраняя стабильность управления толщиной ячейки за счет фоторазделителей.

Первый ряд пикселей и второй ряд пикселей могут быть соседними по отношению друг к другу.

В конструкции, описанной выше, где первый ряд пикселей и второй ряд пикселей являются соседними по отношению друг к другу, толщина ячейки, на практике, может надежно сохраняться в одном из двух соседних рядов пикселей.

Изолирующая пленка может быть полимерной пленкой.

В конструкции, описанной выше, в которой изолирующая пленка является полимерной пленкой, которая обычно толще, чем неорганическая изолирующая пленка, сквозные отверстия, сформированные в изолирующей пленке, являются глубокими и имеют внутренние стенки, наклоненные так, что в верхней части отверстия становятся шире, и это может ухудшать стабильное управление толщиной ячейки. Однако, обеспеченное первым рядом пикселей и вторым рядом пикселей, как описано выше, может достигаться стабильное управление толщиной ячейки.

Фоторазделители могут включать первые фоторазделители и вторые фоторазделители, более короткие, чем первые фоторазделители.

В конструкции, описанной выше, где вторые фоторазделители являются более короткими, чем первые фоторазделители, головки первых фоторазделителей находятся в контакте с поверхностью подложки активной матрицы в течение нормального времени, чтобы сохранять толщину ячейки. Когда на поверхность панели нажимают, головки вторых фоторазделителей будут контактировать с поверхностью подложки активной матрицы для сохранения толщины ячейки. Также в жидкокристаллической панели отображения, изготовленной путем однокапельного заполнения, разница в характеристиках упругости между фоторазделителями и второй прозрачной подложкой мала по сравнению со случаем, когда все фоторазделители являются первыми фоторазделителями. Следовательно, если будет оказан холодовый шок на поверхность панели, фоторазделители будут отклоняться, следуя отклонению второй прозрачной подложки, вызывая сопротивление формированию мельчайшего пространства и т.п. между ними и, таким образом, образование вздутий может быть уменьшено.

Фоторазделители могут быть сформированы так, чтобы они являлись центрами порядка расположения в жидкокристаллическом слое.

В конструкции, описанной выше, фоторазделители являются центрами порядка расположения в жидкокристаллическом слое. Следовательно, при вертикальной схеме порядка (VA) расположения жидкокристаллической панели отображения, фоторазделители не только сохраняют толщину ячейки, но также регулируют порядок расположения в жидкокристаллическом слое.

Подложка активной матрицы может включать в себя множество затворных шин, сформированных так, что они параллельны друг другу, множество шин истока, сформированных так, что они параллельны друг другу и пересекают затворные шины, и множество шин конденсаторов, сформированных так, что они проходят параллельно друг другу вдоль затворных шин, а фоторазделители и соответствующие сквозные отверстия могут быть сформированы вдоль шин истока для перекрытия шин конденсаторов.

В конструкции, описанной выше, фоторазделители и сквозные отверстия сформированы вдоль соответствующих шин истока для перекрытия соответствующих шин конденсаторов. Следовательно, в жидкокристаллической панели отображения с высоким разрешением, в которой шины истока располагаются с узкими промежутками между ними, уменьшение светосилы пикселей практически устраняется.

Подложка активной матрицы может включать множество затворных шин, сформированных так, что они параллельны друг другу, множество шин истока, сформированных так, что они параллельны друг другу и пересекают затворные шины, и множество шин конденсаторов, сформированных так, что они проходят параллельно друг другу вдоль затворных шин, а фоторазделители и соответствующие сквозные отверстия могут быть сформированы вдоль затворных шин передачи для перекрытия шин конденсаторов.

В конструкции, описанной выше, фоторазделители и сквозные отверстия сформированы вдоль соответствующих затворных шин для перекрытия соответствующих шин конденсаторов. Следовательно, в жидкокристаллической панели отображения с высоким разрешением, в которой шины истока располагаются с узкими промежутками между ними, уменьшение светосилы пикселей практически устраняется. Также, так как пространство между каждым электродом вывода стока, подсоединенным к стоковой области полупроводящего слоя каждого полевого транзистора, обеспечивается, например, как переключающий элемент, и соответствующая шина истока может быть сконструирована так, что она является широкой, нарушение герметичности и т. п. в том же слое между подсоединяемым электродом стока и шиной истока может быть уменьшено.

С другой стороны, жидкокристаллическая панель отображения настоящего изобретения включает: подложку активной матрицы; противоположную подложку, расположенную напротив подложки активной матрицы; и жидкокристаллический слой, помещенный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой, при этом подложка активной матрицы включает множество переключающих элементов, сформированных на первой прозрачной подложке, изолирующую пленку, служащую для покрывания переключающих элементов, и множество пиксельных электродов, сформированных на изолирующей пленке в матрице, которые соединяются с соответствующими переключающими элементами через сквозные отверстия, сделанные на изолирующей пленке для соответствующих переключающих элементов, при этом противоположная подложка включает в себя первые фоторазделители и вторые фоторазделители, более короткие, чем первые фоторазделители, и те, и другие формируются так, что они располагаются на второй прозрачной подложке для сохранения толщины жидкокристаллического слоя, где первые фоторазделители формируются так, что они не перекрывают сквозные отверстия, а вторые фоторазделители формируются так, что они перекрывают сквозные отверстия.

В конструкции, описанной выше, первые фоторазделители, которые находятся в контакте с поверхностью подложки активной матрицы в течение нормального времени, располагаются так, что они не перекрывают соответствующие сквозные отверстия. Таким образом, толщина ячейки может надежно сохраняться. Также вторые фоторазделители, которые будут контактировать с поверхностью подложки активной матрицы, когда на поверхность панели нажимают, располагаются так, что они перекрывают сквозные отверстия. Таким образом, уменьшение светосилы пикселей снижается. Соответственно, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

Преимущества изобретения

В соответствии с настоящим изобретением обеспечиваются первые ряды пикселей, в которых фоторазделители располагают так, что они находятся на одной стороне соответствующих сквозных отверстий, и вторые ряды пикселей, в которых фоторазделители располагают так, что они находятся на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий. Следовательно, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 представляет собой вид сверху подложки 20а активной матрицы, составляющей жидкокристаллическую панель отображения первого варианта реализации.

Фиг. 2 представляет собой вид поперечного сечения подложки 20а активной матрицы вместе с жидкокристаллической панелью 50а отображения, включающей в себя подложку, взятого вдоль линии II-II на фиг. 1.

Фиг. 3 представляет собой вид поперечного сечения подложки 20а активной матрицы, взятого вдоль линии III-III на фиг. 1.

Фиг. 4 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50а отображения.

Фиг. 5 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50b отображения второго варианта реализации.

Фиг. 6 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50с отображения третьего варианта реализации.

Фиг. 7 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50d отображения четвертого варианта реализации.

Фиг. 8 представляет собой вид сверху подложки 20е активной матрицы, составляющей жидкокристаллическую панель отображения первого варианта реализации.

Фиг. 9 представляет собой вид поперечного сечения подложки 20е активной матрицы и жидкокристаллической панели 50е отображения, включающей в себя подложку, взятого вдоль линии IX-IX на фиг. 8.

Фиг. 10 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50f отображения шестого варианта реализации.

ОПИСАНИЕ ССЫЛОЧНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

La первый ряд пикселей

Lb второй ряд пикселей

P пиксель

5 TFT (переключающий элемент)

10а первая прозрачная подложка

10b вторая прозрачная подложка

13а затворная шина

13b шина конденсаторов

15а шина истока

16 полимерная пленка (изолирующая пленка)

16а сквозное отверстие

17 пиксельный электрод

20а, 20е подложка активной матрицы

23а первый фоторазделитель

23b второй фоторазделитель

30а, 30е противоположная подложка

40 жидкокристаллический слой

50а-50f жидкокристаллическая панель отображения

Осуществление изобретения

Варианты осуществления настоящего изобретения будут описаны здесь ниже подробно со ссылкой на сопровождающие чертежи. Нужно отметить, что настоящее изобретение не ограничивается следующими вариантами реализации.

Первый вариант осуществления

Фиг. 1-4 показывают жидкокристаллическую панель отображения первого варианта осуществления настоящего изобретения. Более конкретно, фиг. 1 представляет собой вид сверху подложки 20а активной матрицы, составляющей жидкокристаллическую панель отображения первого варианта осуществления. Фиг. 2 представляет собой вид поперечного сечения подложки 20а активной матрицы и жидкокристаллической панели 50а отображения, включающей в себя подложку, взятого вдоль линии II-II на фиг. 1, и фиг. 3 представляет собой вид поперечного сечения подложки 20а активной матрицы, взятого вдоль линии III-III на фиг. 1. На фиг. 1 пиксельные электроды 17, образующие верхний слой подложки 20а активной матрицы, как будет описано ниже, показаны сплошными линиями.

Как показано на фиг. 2, жидкокристаллическая панель 50а отображения включает в себя подложку 20а активной матрицы и противоположную подложку 30а, расположенную напротив, жидкокристаллический слой 40, помещенный между подложками 20а и 30а, и материал уплотнения для соединения подложек 20а и 30а друг с другом и размещения жидкокристаллического слоя 40 между подложками 20а и 30а.

Как показано на фиг 1-3, подложка 20а активной матрицы включает в себя: первую прозрачную подложку 10а, такую как стеклянная подложка; полупроводниковый слой 11, имеющий части L-формы, сформированные на первой прозрачной подложке 10а; изолирующую пленку 12 для затворных шин, сформированную для защиты полупроводникового слоя 11; множество затворных шин 13а, сформированных на защитной пленке 12 для затворных шин, проходящих параллельно друг другу; множество шин 13b конденсаторов, сформированных на изолирующей пленке 12 для затворных шин, проходящих параллельно друг другу вдоль затворных шин 13а; промежуточную изолирующую пленку 14, сформированную для защиты затворных шин 13а и шин 13b конденсаторов; множество шин 15а истока, сформированных на промежуточной изолирующей пленке 14, проходящих параллельно друг другу в направлении, перпендикулярном направлению затворных шин 13а, множество подсоединенных электродов стока 15b, сформированных на промежуточной изолирующей пленке 14 как области между шинами 15а истока; полимерную пленку 16, сформированную так, чтобы покрывать шины 15а истока и подсоединенные электроды стока 15b; множество пиксельных электродов 17, сформированных в матрице на полимерной пленке 16; и выравнивающую пленку (не показана) для защиты пиксельных электродов 17.

В жидкокристаллической панели 50а отображения множество пикселей Р (см. фиг. 4, которая будет описана ниже) в качестве минимальных единиц изображения определяются в матрицу для соответствия пиксельным электродам 17. Каждый пиксель Р имеет область (область передачи), передающую свет, например, от фоновой подсветки, для содействия устройству отображения изображения, эта область представляет собой зону, окруженную двумя соседними затворными шинами 13а и двумя соседними шинами 15а истока, которая не перекрывает ни шину 13b конденсаторов, ни полевой транзистор TFT 5, который будет описан позже.

В подложке 20а активной матрицы также TFT 5 предусмотрен как переключающий элемент на каждом пересечении затворных шин 13а и шин 15а истока, как показано на фиг. 1.

Как показано на фиг. 3, TFT 5 включает в себя: затворный электрод G, содержащий часть затворных шин 13а, и выступ, идущий вбок от затворных шин 13а; полупроводниковый слой 11, в котором расположены области каналов 11а, проходящие под затворным электродом G, слаболегированные области (LDD области) 11b вне областей каналов 11а и сильнолегированные области 11с, включающие в себя область S источника и область D стока вне слаболегированных областей 11b; и между затворным электродом G и полупроводниковым слоем 11 предусмотрена изолирующая затворные шины пленка 12. Как показано на фиг. 1 и 3, область S источника соединена с шинами 15а истока через отверстие 14а активного контакта, сформированное в слое пленки, представляющем собой изолирующую пленку 12 для затворных шин и промежуточную изолирующую пленку 14. Как показано на фиг.2, область D стока подсоединяется к присоединяемому электроду 15b стока через активное контактное отверстие 14b, сделанное в слое пленки, представляющем собой изолирующую пленку 12 для затворных шин и промежуточную изолирующую пленку 14. Подсоединяемый электрод 15b стока затем присоединяется к пиксельному электроду 17 через сквозное отверстие 16а, сделанное в полимерной пленке 16, как показано на фиг. 1 и 2.

Также область D стока формируется под шиной 13b конденсаторов, как показано на фиг. 1 и 2, образуя запоминающий конденсатор и шину 13b конденсаторов, а также изолирующую пленку 12 для затворных шин, предусмотренную между ними.

Как показано на фиг. 2, противоположная подложка 30а включает в себя: вторую прозрачную подложку 10b, такую как стеклянная подложка; черную матрицу 21а, сформированную в форме решетки на второй прозрачной подложке 10b; фильтрующий цвет слой 21b, включающий цветные слои, такие как красные слои, зеленые слои и синие слои, сформированные в отверстиях решетки черной матрицы 21а, общий электрод 22, предназначенный для покрытия фильтрующего цвет слоя 21; первые фоторазделители 23а и вторые фоторазделители 23b (см. фиг. 1), предназначенные для установки на общий электрод 22; и выравнивающую пленку (не показана), сформированную, чтобы покрывать общий электрод 22. На виде сверху подложки 20а активной матрицы фиг. 1 первые фоторазделители 23а и вторые фоторазделители 23b противоположной подложки 30а показаны с помощью двухточечных пунктирных линий.

Первые фоторазделители 23а, имеющие высоту приблизительно 4,5 мкм, например, контактируют с поверхностью подложки 20а активной матрицы (поверхностями пиксельных электродов 17), для сохранения толщины жидкокристаллического слоя 40 или толщины ячейки.

Вторые фоторазделители 23b, имеющие высоту приблизительно 4,2 мкм, например, которые являются более короткими, чем первые фоторазделители 23а, будут контактировать с поверхностью подложки 20а активной матрицы (поверхностями пиксельных электродов 17) для сохранения толщины жидкокристаллического слоя 40, когда на поверхность панели нажимают. При таких вторых фоторазделителях 23b, более коротких, чем первые фоторазделители 23а, разница в упругих характеристиках между фоторазделителями и второй упругой подложкой 10b мала по сравнению со случаем, когда все фоторазделители являются первыми фоторазделитлями 23а, когда жидкокристаллическая панель 50а отображения изготавливается путем однокапельного заполнения. Следовательно, если поверхность панели будет испытывать холодовый шок, фоторазделители будут отклоняться в направлении отклонения второй прозрачной подложки 10b, вызывая сопротивление формированию минимального пространства и т.п. между ними, и, таким образом, уменьшается образование вздутий.

Фиг. 4 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50а отображения. На фиг. 4 показаны сквозные отверстия 16а, сформированные на подложке 20а активной матрицы, и первые и вторые фоторазделители 23а и 23b, сформированные на противоположной подложке 30а, и те, и другие расположены в пикселях Р.

Как показано на фиг. 4, жидкокристаллическая панель 50а отображения включает в себя первые ряды пикселей La, в которых первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на одной стороне (нижняя сторона, как видно на фиг. 4) соответствующих сквозных отверстий 16а, и вторые ряды Lb пикселей, в которых первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на противоположной стороне (верхняя сторона, как видно на фиг. 4) соответствующих сквозных отверстий 16а.

В жидкокристаллической панели 50а отображения, как показано на фиг. 4, вторые фоторазделители 23b расположены, чтобы находиться над соответствующими сквозными отверстиями 16а как в первых рядах La пикселей, так и во вторых рядах Lb пикселей. Примеры значений плотности фоторазделителей: когда размер каждого пикселя P составляет приблизительно 30 мкм х 90 мкм, плотность первых фоторазделителей 23а составляет приблизительно 11 единиц на мм², а плотность вторых фоторазделителей 23b составляет приблизительно 360 единиц на мм². Когда размер каждого пикселя Р составляет приблизительно 40×120 мкм, плотность первых фоторазделителей 23а составляет приблизительно 11 единиц на мм², а плотность вторых фоторазделителей 23b составляет приблизительно 197 единиц на мм². Когда размер каждого пикселя Р составляет приблизительно 50×150 мкм, плотность первых фоторазделителей 23а составляет приблизительно 11 единиц на мм², а плотность вторых фоторазделителей 23b составляет приблизительно 122 единиц на мм². Предпочтительно размещать первые фоторазделители 23а только на пикселях Р, отображающих синий цвет, для уменьшения ухудшения качества отображения.

В жидкокристаллической панели 50а отображения, имеющей конструкцию, описанную выше, предопределенное напряжение прикладывается поперек жидкокристаллического слоя 40, помещенного между пиксельными электродами 17 на подложке 20а активной матрицы и общим электродом 22 на противоположной подложке 30а, для изменения порядка расположения молекул жидкого кристалла, составляющих жидкокристаллический слой 40, так, что передача света, проходящего внутри панели, настраивается для каждого пикселя Р, чтобы отображать изображение.

Далее будет описан пример способа изготовления жидкокристаллической панели 50а отображения этого варианта осуществления. Способ изготовления этого варианта осуществления включает процесс изготовления подложки активной матрицы, процесс изготовления противоположной подложки и процесс соединения путем однокапельного заполнения.

Процесс изготовления подложки активной матрицы

Сначала аморфная кремниевая пленка (толщина приблизительно 50 нм) формируется на всей первой прозрачной подложке 10а, такой как стеклянная подложка, путем плазменного химического осаждения из паровой фазы (CVD) с использованием дисилана или т.п., например, в качестве газа материала, а затем она превращается в поликремниевую пленку за счет нагревания с помощью излучения света лазера и т.п. Поликремниевая пленка затем обрабатывается путем фотолитографии для формирования полупроводникового слоя 11. Пленка из оксида кремния или т.п. может быть сформирована между первой прозрачной подложкой 10а и полупроводниковым слоем 11 с помощью плазменного CVD для формирования пленки с основным покрытием.

Вслед за этим пленка из оксида кремния (толщина приблизительно 100 нм), например, формируется на всей подложке, включающей в себя полупроводниковый слой 11 путем плазменного CVD, для формирования изолирующей пленки 12 для затворных шин. Следовательно, полупроводниковый слой 11 легирован фосфором или бором в качестве примеси через изолирующую пленку 12 для затворных шин.

Пленка из нитрида тантала (толщина приблизительно 50 нм) и пленка из вольфрама (толщина приблизительно 350 нм), например, формируются далее на поверхности изолирующей пленки 12 для затворных шин всей подложки путем напыления, и затем обрабатываются путем фотолитографии для формирования затворных шин 13а и шин 13b конденсаторов.

Затем полупроводниковый слой 11 легируют фосфором или бором через изолирующую пленку 12 для затворных шин, использующую затворные шины 13а (затворные электроды G) в виде маски, для формирования областей 11а каналов, проходящих под затворными электродами G.

Площадки из фоторезистивного материала (не показаны) затем формируются, чтобы покрывать затворные электроды G, и полупроводниковый слой 11 затем легируют фосфором или бором через области из фоторезистивного материала и изолирующую пленку 12 для затворных шин. Заметим, что области полупроводникового слоя 11, лежащего под шинами 13b конденсаторов, отдельно легированы фосфором или бором, перед формированием шин 13b конденсаторов. Следовательно, получающаяся в результате подложка нагревается для активации примесных фосфора или бора, для формирования слаболегированных областей 11b и сильнолегированных областей 11с, включающих области S источников и области D стоков.

Далее, на всей подложке, включая области 11а каналов, слаболегированные области 11b и сильнолегированные области 11с, сформированные в полупроводниковом слое 11, формируются пленка из нитрида кремния (толщина приблизительно 250 нм) и пленка из оксида кремния (толщина приблизительно 700 нм) последовательно, с помощью плазменного CVD, для формирования промежуточной изолирующей пленки 14. Части слоистой пленки изолирующей пленки 12 для затворных шин и промежуточной изолирующей пленки 14, расположенные над областями S источников и областями D стоков, затем удаляются путем травления для формирования активных контактных отверстий 14а и 14b, соответственно.

На всей подложке, включая промежуточную изолирующую пленку 14, имеющую активные контактные отверстия 14а и 14b, формируются пленка из титана (толщина приблизительно 100 нм), пленка из алюминия (толщина приблизительно 350 нм) и титановая пленка (толщина приблизительно 100 нм), например, последовательно, с помощью напыления, затем обрабатываются путем фотолитографии, для формирования шин 15а истока и подсоединяемых электродов стока 15b.

Например, акриловые полимеры наносятся на всю поверхность подложки, включая затворные шины 15а и подсоединяемые электроды 15b стока путем нанесения покрытия методом центрифугирования, для формирования полимерной пленки 16 (толщина приблизительно 2 мкм), части полимерной пленки 16, расположенные над подсоединяемыми электродами стока 15b, удаляются путем травления для формирования сквозных отверстий 16а.

Пленка из оксида индия-олова (ITO) (толщина приблизительно 100 нм), например, затем формируется на всей подложке, включая полимерную пленку 16, имеющую сквозные отверстия 16а, путем напыления, и обрабатывается с помощью фотолитографии для формирования пиксельных электродов 17.

Наконец, полиимидный полимер наносится на всю подложку, включая пиксельные электроды 17, путем печати и последующего покрытия резиной для формирования выравнивающей пленки.

Таким способом, который описан выше, может быть изготовлена подложка 20а активной матрицы.

Процесс изготовления противоположной подложки

Сначала фоточувствительный резистивный материал, окрашенный в черный, например, формируется на всей второй прозрачной подложке 10b, такой как стеклянная подложка, до толщины приблизительно 2 мкм, а затем обрабатывается путем фотолитографии, для формирования черной матрицы 21а.

Затем фоточувствительный резистивный материал, окрашенный в красный, зеленый или синий, например, формируется в отверстиях черной матрицы 21а до толщины приблизительно 2 мкм, затем обрабатывается путем фотолитографии для формирования цветного слоя выбранного цвета (например, красного слоя). Этот процесс повторяется для двух других цветов, для формирования других цветных слоев (например, зеленого слоя и синего слоя), так формируется фильтрующий цвет слой 21b.

ITO пленка (толщина приблизительно 100 нм) затем формируется на подложке, включающей фильтрующий цвет слой 21b, путем напыления, для формирования общего электрода 22. Заметим, что перед формированием ITO пленки на подложке, включающей фильтрующий цвет слой 21b, слой покрытия может быть сформирован для покрытия фильтрующего цвет слоя 21b, для улучшения плоскостности.

Далее фоточувствительный акриловый полимер наносится на всю подложку, включая общий электрод 22, до толщины приблизительно 4,5 мкм путем покрытия методом центрифугирования, например, и обрабатывается путем фотолитографии, для формирования первых фоторазделителей 23а (высота приблизительно 4,5 мкм) и вторых фоторазделителей 23b (высота приблизительно 4,2 мкм). Первые фоторазделители 23а и вторые фоторазделители 23b формируются так, что они имеют предопределенные высоты следующим образом: фоточувствительный акриловый полимер освещается световым пучком, имеющим длину волны 365 нм (i-линия), или световым пучком, имеющим длину волны 405/436 нм (gh-линия), например, через полутоновую маску или маску серого тона, имеющую области, отличные по передаче света в условиях обработки времени и соответствующим образом настроенной световой интенсивности, и испытавший световое воздействие фоточувствительный акриловый полимер подвергается избирательной полировке для получения предварительно заданных высот.

В итоге полиимидный полимер наносится на всю подложку, включая первые фоторазделители 23а и вторые фоторазделители 23b, путем печати и последующего покрытия резиной, для формирования выравнивающей пленки.

Способом, описанным выше, может быть получена противоположная подложка 30а.

Процесс соединения путем однокапельного заполнения

Сначала рамка из уплотняющего материала, изготовленная из УФ-отверждаемого термореактивного полимера и т.п., натягивается с помощью распределительного устройства на противоположную подложку 30а, изготовленную с помощью процесса получения противоположной подложки, описанного выше.

Затем жидкокристаллический материал по капле подается в область противоположной подложки 30а внутри натянутой рамки уплотняющего материала.

Противоположная подложка 30а, имеющая подаваемый по капле жидкокристаллический материал, и подложка 20а активной матрицы, полученная в процессе изготовления подложки активной матрицы, описанном выше, соединяются вместе при уменьшенном давлении. Соединенные подложки затем подвергаются воздействию атмосферного давления, для герметизации поверхностей связываемых подложек.

Далее уплотняющий материал, размещенный между соединенными подложками, освещается с помощью УФ излучения, а затем соединенные подложки нагреваются для отверждения герметизирующего материала.

Способом, описанным выше, может быть изготовлена жидкокристаллическая панель 50а отображения.

Как описано выше, жидкокристаллическая панель 50а отображения этого варианта осуществления имеет первые ряды La пикселей, каждый из которых включает в себя множество пикселей P в ряду, в котором первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на одной стороне соответствующих сквозных отверстий 16а, и вторые ряды Lb пикселей, каждый из которых включает в себя множество пикселей P в ряду, где первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий 16а. Следовательно, даже если головки первых фоторазделителей 23а противоположной подложки 30а опустятся в сквозные отверстия 16а подложки 20а активной матрицы в первом ряду La пикселей из-за смещения во время связывания между подложкой 20а активной матрицы и противоположной подложки 30а, такое событие, когда головки первых фоторазделителей 23а противоположной подложки 30а опустятся в сквозные отверстия 16а подложки 20а активной матрицы, не произойдет во вторых рядах Lb пикселей. В этом случае, так как головки первых фоторазделителей 23а противоположной подложки 30а в пикселях P вторых рядов Lb пикселей находятся в контакте с частями пиксельных электродов 17, расположенными вне сквозных отверстий 16а подложки 20а активной матрицы, толщина ячейки надежно сохраняется. Таким образом, стабильность управления толщиной ячейки с помощью первых фоторазделителей 23а сохраняется. Кроме того, так как первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на одной стороне или на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий 16а, не требуется границ для защиты против смещений соединений, и, таким образом, пространство между первыми фоторазделителями 23а и соответствующими сквозными отверстиями 16а, как видно сверху, может быть уменьшено. Следовательно, так как первые фоторазделители 23а или сквозные отверстия 16а могут быть защищены от выступания в области передачи, уменьшение светосилы пикселей может быть снижено. Соответственно, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

Кроме того, в жидкокристаллической панели 50а отображения этого варианта осуществления вторые фоторазделители 23b короче, чем первые фоторазделители 23а. Следовательно, головки первых фоторазделителей 23а находятся в контакте с поверхностью подложки 20а активной матрицы в течение нормального времени, для сохранения толщины ячейки. Когда на поверхность панели нажимают, головки вторых фоторазделителей 23b будут контактировать с поверхностью подложки 20а активной матрицы, для сохранения толщины ячейки. Также в жидкокристаллической панели отображения, изготовленной путем однокапельного заполнения, разница в упругих характеристиках между фоторазделителями и второй прозрачной подложкой 10b мала по сравнению со случаем, когда все фоторазделители являются первыми фоторазделителями 23а. Следовательно, если поверхность панели испытывает холодовый шок, фоторазделители будут отклоняться по направлению отклонения второй прозрачной подложки 10b, вызывая сопротивление формированию минимального пространства и тому подобного между ними, и, таким образом, образование вздутий может быть уменьшено.

Кроме того, в жидкокристаллической панели 50а отображения этого варианта реализации первые и вторые фоторазделители 23а и 23b и соответствующие сквозные отверстия 16а располагаются вдоль соответствующих шин 15а истока для перекрывания соответствующих шин 13b конденсаторов. Следовательно, в жидкокристаллической панели отображения с высоким разрешением, где шины 15а истока располагаются с узким пространством между ними, в частности, уменьшение светосилы пикселей может быть снижено.

Кроме того, в жидкокристаллической панели 50а отображения этого варианта осуществления части жидкокристаллического слоя 40, расположенные около первых фоторазделителей 23а и сквозных отверстий 16а, в которых порядок расположения жидкого кристалла имеет тенденцию изменяться, могут быть защищены от выступания в области передачи. Следовательно, образование недостаточного освещения и ухудшение контраста могут быть уменьшены. Это исключает или уменьшает необходимость отдельного обеспечения пленки светлого тона для противодействия недостаточному освещению и ухудшению контрастности.

Второй вариант осуществления

Фиг. 5 представляет собой вид сверху, схематично показывающий жидкокристаллическую панель 50b отображения этого варианта осуществления. Заметим, что в последующих вариантах осуществления одни и те же компоненты, как на фиг. 1-4, обозначены одними и теми же числами, и их подробное описание опущено.

В жидкокристаллической панели 50а отображения первого варианта осуществления каждый из вторых фоторазделителей 23b расположен так, чтобы находиться над всем соответствующим сквозным отверстием 16а, как показано на фиг. 4. В жидкокристаллической панели 50b отображения этого варианта осуществления каждый из вторых фоторазделителей 23b расположен так, чтобы находиться над частью соответствующего сквозного отверстия 16а, как показано на фиг. 5.

В жидкокристаллической панели 50b отображения этого варианта осуществления, как в первом варианте осуществления, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

Третий вариант осуществления

Фиг. 6 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50с отображения этого варианта осуществления.

В жидкокристаллической панели 50а отображения первого варианта осуществления и жидкокристаллической панели 50b отображения второго варианта осуществления сквозные отверстия 16а располагаются по отношению к первым фоторазделителям 23а вдоль линий шин 15а истока (продольное направление, как видно на чертеже), как показано на фиг. 4 и 5. В жидкокристаллической панели 50с отображения этого варианта осуществления сквозные отверстия 16а располагаются по отношению к первым фоторазделителям 23а вдоль линий затворных шин 13а (поперечное направление, как видно на чертеже), как показано на фиг. 6.

Более конкретно, как показано на фиг. 6, жидкокристаллическая панель 50с отображения включает первые ряды La пикселей, в которых первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на одной стороне (левая сторона, как видно на фиг. 6) соответствующих сквозных отверстий 16а, и вторые ряды Lb пикселей, каждый из которых является соседним к каждому ряду La пикселей, в которых первые фоторазделители 23а располагаются так, что они находятся на противоположной стороне (правая сторона, как видно на фиг. 6) соответствующих сквозных отверстий 16а.

В жидкокристаллической панели 50с отображения данного варианта осуществления, так же как первого и второго вариантов осуществления, можно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

В жидкокристаллической панели 50с отображения этого варианта осуществления, так как пространство между первыми фоторазделителями 23а и соответствующими сквозными отверстиями 16а, как видно сверху, может быть уменьшено, пространство между шинами истока и соответствующими подсоединяемыми электродами стока может быть сделано шире. Таким образом, потери и т.п. в таком же слое могут быть уменьшены.

Четвертый вариант реализации

Фиг. 7 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50d отображения этого варианта осуществления.

В жидкокристаллической панели 50с отображения третьего варианта реализации каждый из вторых фоторазделителей 23b расположен так, чтобы находиться над всем соответствующим сквозным отверстием 16а, как показано на фиг. 6. В жидкокристаллической панели 50d отображения этого варианта осуществления каждый из вторых фоторазделителей 23b расположен так, чтобы находиться над частью соответствующего сквозного отверстия 16а, как показано на фиг. 7.

В жидкокристаллической панели 50d отображения этого варианта осуществления, как и в вариантах с первого по третий, описанных выше, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

Пятый вариант реализации

Фиг. 8 представляет собой вид сверху подложки 20е активной матрицы, составляющей жидкокристаллическую панель отображения этого варианта осуществления. Фиг. 9 представляет собой вид поперечного сечения подложки 20е активной матрицы и жидкокристаллической панели 50е отображения, включающей в себя подложку, взятого вдоль линии IX-IX на фиг. 8.

В то время как обычные жидкокристаллические панели отображения с задней подсветкой были взяты в качестве примера в вариантах осуществления, описанных выше, в этом варианте осуществления будет описана прозрачно-отражающая жидкокристаллическая панель отображения.

Более конкретно, как показано на фиг. 9, полупрозрачная жидкокристаллическая панель 50е отображения включает в себя: подложку 20е активной матрицы и противоположную подложку 30е, расположенные друг напротив друга; жидкокристаллический слой 40, помещенный между подложками 20е и 30е; и уплотняющий материал (не показан) для соединения подложек 20е и 30е друг с другом и закрепления жидкокристаллического слоя 40 между подложками 20е и 30е.

В подложке 20е активной матрицы, как показано на фиг. 9, электрод 18 отражения формируется на каждом из пиксельных электродов 17 подложки 20а активной матрицы в первом варианте осуществления, описанном выше. Электрод 18 отражения, сформированный на каждом пиксельном электроде 17, в части между затворными шинами 13а и шиной 13b конденсаторов, соседней с затворной шиной 13а, образует область отражения для прозрачно-отражающего устройства отображения. Часть пиксельного электрода 17, не покрытая электродом 18 отражения, образует область передачи для традиционного дисплея с задней подсветкой.

Подложка 20е активной матрицы может быть получена следующим образом. В процессе изготовления подложки активной матрицы, описанном в первом варианте осуществления, после формирования пиксельных электродов 17, пленка молибдена и алюминия, например, затем формируется на всей подложке, включая пиксельные электроды 17, путем напыления, а далее формируется с помощью литографии, для получения электродов 18 отражения.

В противоположной подложке 30е, как показано на фиг. 9, слой белого цвета 21с формируется между фильтрующим цвет слоем 21b и общим электродом 22 противоположной подложки 30а в первом варианте осуществления. Слой белого цвета 21с формируется для перекрытия каждой из областей 18 отражения подложки 20е активной матрицы, поэтому толщина ячейки в области отражения составляет половину толщины ячейки в области передачи.

Противоположная подложка 30е может быть изготовлена следующим способом. В процессе изготовления противоположной подложки, описанном в первом варианте осуществления, после формирования фильтрующего цвет слоя 21b создается бесцветный фоточувствительный резистивный материал на всей подложке, включая формирующий цвет слой 21b, а далее обрабатывается путем фотолитографии для формирования слоев белого цвета 21с.

В жидкокристаллической панели 50е отображения этого варианта реализации сохраняется стабильность управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей, и пространство между шинами истока и соответствующими подсоединяемыми электродами стока может быть сконструировано так, чтобы оно было шире. Таким образом, потери и т.п. в таком же слое могут быть уменьшены.

В вариантах осуществления, описанных выше, было установлено взаимное расположение фоторазделителей и сквозных отверстий путем смещения положений сквозных отверстий 16а при фиксации положений первых фоторазделителей 23а и вторых фоторазделителей 23b. С другой стороны, в соответствии с настоящим изобретением, относительное положение фоторазделителей и сквозных отверстий может быть установлено путем смещения положений фоторазделителей при фиксации положений сквозных отверстий. Другими словами, эти способы установки взаимного расположения могут быть совмещены.

В вариантах осуществления, описанных выше, в одном первом ряду La пикселей и одном втором ряду Lb пикселей, соседних друг с другом, любые два соседних первых фоторазделителя 23а расположены так, чтобы находиться на сторонах соответствующих сквозных отверстий, соседних друг с другом, которые расположены внутри по отношению к соседним сквозным отверстиям. С другой стороны, в соответствии с настоящим изобретением, первые фоторазделители могут быть расположены, чтобы находиться на сторонах соответствующих сквозных отверстий, соседних друг с другом, которые находятся снаружи по отношению к соседним сквозным отверстиям.

В раскрытых выше вариантах осуществления в одном первом ряду La пикселей и одном втором ряду Lb пикселей, прилегающих друг к другу, любые два прилегающих первых фоторазделителя 23а были размещены так, чтобы стоять на сторонах соответствующих сквозных отверстий, прилегающих друг к другу, которые находятся внутри по отношению к прилегающим сквозным отверстиям. Альтернативно, в соответствии с настоящим изобретением, первые фоторазделители могут быть размещены так, чтобы стоять на сторонах соответствующих сквозных отверстий, прилегающих друг к другу, которые находятся снаружи по отношению к прилегающим сквозным отверстиям.

В раскрытых выше вариантах осуществления один первый ряд La пикселей и один второй ряд Lb пикселей были прилегающими друг к другу. Альтернативно, в соответствии с настоящим изобретением, первый ряд La пикселей и второй ряд Lb пикселей могут быть отнесены один от другого.

Другими словами, один или более рядов пикселей, в которых не установлено специальное взаимное расположение между фоторазделителями и сквозными отверстиями, могут быть расположены между первым рядом La пикселей и вторым рядом Lb пикселей, и порядок таких рядов пикселей может повторяться.

Шестой вариант реализации

Фиг. 10 представляет собой вид сверху, схематически показывающий жидкокристаллическую панель 50f отображения этого варианта осуществления.

В жидкокристаллических панелях отображения предшествующих вариантов осуществления первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на одной стороне соответствующих сквозных отверстий 16а в первом ряду La пикселей, и первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы находиться на противоположной стороне соответствующих сквозных отверстий 16а во втором ряду Lb пикселей. Однако в жидкокристаллической панели 50f отображения этого варианта осуществления первые фоторазделители 23а расположены так, чтобы не перекрывать соответствующие сквозные отверстия 16а, и первые фоторазделители 23b расположены так, чтобы перекрывать соответствующие сквозные отверстия 16а.

В жидкокристаллической панели 50f отображения этого варианта осуществления первые фоторазделители 23а, которые находятся в контакте с поверхностью подложки активной матрицы в течение нормального времени, расположены так, чтобы не перекрывать сквозные отверстия 16а. Таким образом, толщина ячейки может надежно сохраняться. Также, вторые фоторазделители 23b, которые короче, чем первые фоторазделители 23а, и контактируют с поверхностью подложки активной матрицы, когда на поверхность панели нажимают, расположены так, что они перекрывают сквозные отверстия 16а. Таким образом, уменьшение светосилы пикселей может быть снижено. Соответственно, возможно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей.

В вариантах осуществления, описанных выше, не упоминалась схема порядка расположения жидкокристаллического слоя. В жидкокристаллической панели отображения на основе VA-схемы, такой как улучшенный (ASV) LCD, каждый из фоторазделителей в упомянутых выше вариантах осуществления может использоваться как центр порядка расположения в жидкокристаллическом слое.

В вариантах осуществления, описанных выше, первые фоторазделители и вторые фоторазделители используются как примеры фоторазделителей. В соответствии с настоящим изобретением могут создаваться только фоторазделители, которые находятся в контакте с поверхностью подложки активной матрицы в течение нормального времени.

В вариантах осуществления, описанных выше, каждый фоторазделитель располагался приблизительно в центре каждого пикселя (приблизительно в центре каждой области отражения в прозрачно-отражающей панели отображения). С другой стороны, фоторазделитель может быть расположен повсюду внутри каждого пикселя.

В вариантах осуществления, описанных выше, в качестве примера использовались жидкокристаллические панели отображения, с предусмотренными TFT в качестве переключающих элементов. Настоящее изобретение также применимо к жидкокристаллическим панелям отображения, созданным на основе переключающих элементов других типов, таких как MIM элементы (металл-изолятор-металл).

Промышленная применимость

Как описано выше, настоящее изобретение способно снизить уменьшение светосилы пикселей при сохранении стабильности управления толщиной ячейки с помощью фоторазделителей, является полезным в жидкокристаллических панелях отображения, имеющих фоторазделители, расположенные в пикселях как целое.