способы получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава cs5(hso4)2(h2po4)3

Классы МПК:C30B7/08 охлаждением раствора
C30B28/02 непосредственно из твердого состояния
C30B28/04 из жидкостей
C30B29/14 фосфаты
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В. Ломоносова) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2011-09-27
публикация патента:

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала. Монокристаллы Cs5(HSO4) 2(H2PO4)3 получают путем приготовления водного раствора с мольным соотношением CsHSO 4:CsH2PO4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С с последующей кристаллизацией методом управляемого снижения растворимости. Cs5(HSO4 )2(H2PO4)3 в виде поликристаллического порошка получают приготовлением водного раствора с мольным соотношением CsHSO4:CsH2 PO4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С, высаливанием Cs5(HSO4)2(H 2PO4)3 этиловым спиртом с последующей просушкой при температуре до 80°С или методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH 2PO4, равным 2:3, при температуре 60-90°С. Полученное соединение CS5(HSO4)2 (H2PO4)3 обладает меньшим значением температуры фазового перехода (115,0°С) и большим значением протонной проводимости (1 Ом-1см-1 при температуре 120,0°С). Соединение Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 химически устойчиво до температуры 140,0°С. 3 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр.

Рисунок 1

Формула изобретения

1. Способ получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO4)2(H2PO 4)3, включающий приготовление водного раствора с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO 4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С, с последующей кристаллизацией методом управляемого снижения растворимости с образованием монокристаллов.

2. Способ получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO4 )2(H2PO4)3, включающий приготовление водного раствора с мольным соотношением CsHSO 4:CsH2PO4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С, высаливание Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 этиловым спиртом и последующую просушку при температуре до 80°С с образованием поликристаллического порошка.

3. Способ получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs5 (HSO4)2(H2PO4) 3 в виде поликристаллического порошка методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH 2PO4, равным 2:3, при температуре 60-90°С.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу нового гидросульфатфосфата цезия состава Cs5 (HSO4)2(H2PO4) 3, который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала.

В качестве твердого протонпроводящего материала может использоваться гидросульфат цезия CsHSO4 , который отличается от соединения Cs5(HSO4 )2(H2PO4)3 более высокой температурой фазового перехода (141,0°С) и меньшими значениями проводимости при повышенных температурах [Nardy Т., Friesel M., Melander B.E. Proton and deuteron conductivity in CsHSO4 and CsDSO4 by in situ isotopic exchange. Solid State Ionics 77 (1995) 105-110].

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является гидросульфат цезия с формулой Cs3(HSO4) 2(H2PO4).

Однако Cs 3(HSO4)2(H2PO4 ) претерпевает фазовый переход при более высокой температуре (~119°С) и проявляет меньшие значения проводимости при этой температуре (6,3·10-3 Ом-1см-1 ) [Haile S.M. et.al. Superprotonic conductivity in Cs3 (HSO4)2(H2PO4). Solid State Ionics 77 (1995) 128-134].

Технический результат изобретения - получение сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO4)2(H2PO 4)3, обладающего большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода.

Технический результат достигается тем, что соединение Cs5(HSO4)2(H2PO 4)3 кристаллизуется при мольном соотношении CsHSO4:CsH2PO4, равном 2:3, и за счет свойств соединения Cs5(HSO4) 2(H2PO4)3, а именно за счет более низкой температуры фазового перехода относительно соединения-аналога и большей химической устойчивости в суперпротонном проводящем состоянии.

Соединение Cs5 (HSO4)2(H2PO4) 3 проявляет суперпротонные свойства и обратимый воспроизводимый суперпротонный фазовый переход при температуре 115,0°С. Значение проводимости при температуре 120,0°С достигает 1 Ом-1см-1. Соединение Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 химически устойчиво до температуры 140,0°С, что подтверждается результатами рентгенофазового анализа образцов до и после нагрева (фиг.1).

Данное соединение в монокристаллической форме получают кристаллизацией из водных растворов с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4, равным 2:3, насыщенных при температуре 50-75°С, методами изотермического упаривания или методом управляемого снижения растворимости. Данная методика позволяет получать монокристаллы неограниченных размеров.

Соединение Cs5 (HSO4)2(H2PO4) 3 получают в поликристаллической форме методами твердофазного синтеза и высаливанием. Высаливание проводят спиртом из водного раствора с мольным соотношением CsHSO4:CsH2 PO4, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С, с последующей просушкой при температуре до 80°С. Твердофазный синтез проводят при соотношении компонентов CsHSO4 :CsH2PO4, равным 2:3, температуре 60-90°С, времени отжига в 120-200 часов. При твердофазном синтезе предложенные температурные параметры проведения синтеза являются оптимальными, т.к. снижение температуры синтеза приведет к многократному увеличению времени синтеза, а увеличение температуры синтеза приведет к образованию трудноудалимых примесей пиросолей.

Пример 1. Для получения монокристаллов размерами ~ 5×5×5 мм приготавливаем раствор состава: CsHSO4 - 115 г, CsH2PO4 - 145 г, Н2О - 30 мл; вымешиваем раствор в течение 7 суток при температуре 60°С. Кристаллизацию проводим от температуры 55°С медленным снижением до комнатной температуры в течение 28 суток (метод управляемого снижения растворимости).

Пример 2. Для получения 150 г поликристаллического порошка соединения Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 приготавливаем раствор аналогично п.1, к которому необходимо добавлять 96% этиловый спирт до прекращения выпадения осадка. Осадок отфильтровываем на фильтровальной бумаге с последующей сушкой при 60°С в течение 2 часов.

Концентрация спирта влияет только на степень (количество) получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO4 )2(H2PO4)3, на сам процесс извлечения концентрация спирта не влияет.

Пример 3. Для получения 25 г поликристаллического порошка соединения Cs5(HSO4)2(H2PO 4)3 приготавливаем шихту состава CsHSO4 - 10 г, CsH2PO4 - 15 г и совместно истираем вручную или в шаровой мельнице. Подготовленную шихту мы подвергаем непрерывному отжигу при 90°С в течение 200 часов.

Сложный гидросульфатфосфат цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 может применяться в качестве суперпротонного проводника во многих областях техники (топливные элементы и ячейки, протонные насосы, газоанализаторы, конденсаторы и т.д.).

Класс C30B7/08 охлаждением раствора

способ выращивания монокристаллов группы kdp на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2398921 (10.09.2010)
монокристалл гексагидрата сульфата цезия-никеля, способ его выращивания и применение в качестве фильтра ультрафиолетового излучения -  патент 2357020 (27.05.2009)
способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для его осуществления -  патент 2285068 (10.10.2006)
способ получения пятиводного метасиликата натрия -  патент 2213694 (10.10.2003)
устройство для выращивания ориентированных и профилированных кристаллов группы кдр из точечной затравки и затравочный узел устройства -  патент 2197569 (27.01.2003)
устройство для выращивания кристаллов группы кдр -  патент 2136789 (10.09.1999)
способ выращивания кристаллов в домашних условиях -  патент 2130978 (27.05.1999)

Класс C30B28/02 непосредственно из твердого состояния

Класс C30B28/04 из жидкостей

Класс C30B29/14 фосфаты

способ получения нанокристаллического кремнийзамещенного гидроксиапатита -  патент 2500840 (10.12.2013)
способ получения нанокристаллического кремний-замещенного гидроксилапатита -  патент 2489534 (10.08.2013)
способ выращивания монокристаллов группы kdp на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2398921 (10.09.2010)
установка для выращивания кристаллов из растворов -  патент 2381303 (10.02.2010)
способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для его осуществления -  патент 2285068 (10.10.2006)
монокристаллы, способ получения монокристаллов путем выращивания в растворе и варианты применения -  патент 2280719 (27.07.2006)
устройство для выращивания ориентированных и профилированных кристаллов группы кдр из точечной затравки и затравочный узел устройства -  патент 2197569 (27.01.2003)
способ выращивания монокристаллов -  патент 2194100 (10.12.2002)
гидротермальный способ выращивания крупноразмерных кристаллов ортофосфатов алюминия или галлия -  патент 2186884 (10.08.2002)
устройство для скоростного выращивания профилированных и ориентированных моносекториальных кристаллов группы кдр из раствора -  патент 2176000 (20.11.2001)
Наверх