способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата

Классы МПК:C30B9/04 охлаждением раствора
C30B9/12 солевые растворители, например выращивание из флюсов
C30B15/36 отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией
C30B29/32 титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2011-07-21
публикация патента:

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3. Способ включает расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO 4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4, равном 2:3, соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/час. Предлагаемый способ позволяет получать оптически однородные кристаллы литий-магниевого молибдата, Li2 Mg2(MoO4)3, не содержащих включений, блоков и трещин, размерами 25×45 мм. 1 з.п. ф-лы.

Формула изобретения

1. Способ выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата из раствора в расплаве, включающий расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO 4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4, равном 2:3 соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/ч.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что вытягивание затравки ведут при автоматическом весовом контроле.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию монокристаллов, и касается получения крупных оптически однородных кристаллов литий-магниевого молибдата Li 2Mg2(MoO4)3.

Известен способ получения мелких кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3 путем спонтанной кристаллизации (Sebastian L., Piffard Y., Shukla A.K., Taulelle F., Gopalakrishnan, J. Synthesis, structure and lithium-ion conductivity of Li2-2xMg2+x (MoO4)3 and Li3M(MoO4 )3 (MIII=Cr, Fe), Journal of Materials Chemistry (2003), 13, 1797-1802). Кристаллы получают из расплава смеси Li2CO3, MgO, МоО3 и NH 4F, при этом Li2CO3 и NH4 F берут с 10% избытком (по весу). Реакцию проводят при 750 в течение 18 часов, а затем постепенно охлаждают до комнатной температуры (скорость охлаждения не указана). Получают мелкие кристаллы размером 0.17×0.045×0.045 мм.

Литий-магниевый молибдат, Li2Mg2(MoO4)3 , плавится с разложением при 1060°C и поэтому не может быть получен в виде объемных однородных кристаллов обычным методом Чохральского. Известен способ получения кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3 путем спонтанной кристаллизации из расплава смеси Li2 Mo2O7 и Li2Mg2(MoO 4)3, взятых в соотношении 2:1 (В.Г.Пенкова, П.В.Клевцов, «Синтез кристаллов двойных молибдатов лития с двухвалентными металлами Mg, Ni, Co и Zn», Ж. неорганич. химии. 22 (1977) 1713-1715), выбранный в качестве прототипа. Спонтанную кристаллизацию Li2Mg2(MoO 4)3 проводили путем снижения температуры раствора-расплава со скоростью 3-5 град/час в интервале температур от 1000 до 930 град. Размеры кристаллов в длину до 5-7 мм.

Указанными способами получают мелкие кристаллы, непригодные для практического применения.

Задачей изобретения является увеличение размеров кристаллов литий-магниевого молибдата с сохранением их оптического качества.

Поставленная задача достигается тем, что в способе выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата из раствора в расплаве, включающий расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2МоO 4, равном 2:3, соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки, и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/час, при этом, вытягивание затравки ведут при автоматическом весовом контроле.

Отличительными признаками предлагаемого способа являются:

- в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4,

- соотношение литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4,

- вращение затравки и ее ориентировка по направлению [010],

- скорость вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки,

- скорость охлаждения расплава от 0,2 до 5 град/сутки,

- вращение затравки со скоростью 35 об/мин,

- охлаждение кристаллов со скоростью 30 град/час,

- процесс ведут при автоматическом весовом контроле.

Использование таких заданных параметров выращивания позволяет получить крупные оптически однородные монокристаллы литий-магниевого молибдата Li2Mg 2(MoO4)3.

Мольное соотношение компонентов Li2Mg2(MoO 4)3 и Li2MoO4, равное 2:3. Выбор данного мольного соотношения компонентов системы обусловлен оптимальными режимами эксплуатации оборудования и энергопотребления.

Выбор молибдата лития обусловлен тем, что при использовании этого растворителя получаются более однородные, без включений, кристаллы (лучшего качества).

Оптимальные условия роста кристаллов: скорость вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки обусловлены тем, что вытягивание затравки при выращивании кристалла со скоростью, большей чем 3 мм/сутки, не соответствует скорости устойчивого однородного роста кристалла в данных условиях. Снижение скорости вытягивания меньше 1 мм/сутки нецелесообразно, так как это приводит к увеличению времени процесса. Вращение затравки с заданной скоростью (35 об/мин) способствует равномерному росту, что позволяет избежать появления дефектов в кристалле, которые влияют на его оптические свойства.

Охлаждение расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки обусловлено тем, что уменьшение скорости охлаждения ниже 0,2 град/сутки в начале процесса приводит к уменьшению массовой скорости кристаллизации, уменьшению размеров выращиваемого кристалла и увеличению времени процесса. Увеличение скорости охлаждения выше 5 град/сутки в конце приводит к образованию концентрационного переохлаждения и, как следствие, захвату растворителя, образованию блоков и других дефектов.

Ориентация затравки по направлению [010] обеспечивает при данных условиях образование наиболее однородных кристаллов по сравнению с другими кристаллографическими ориентациями.

Автоматический весовой контроль позволяет осуществлять контроль за процессом роста на всем протяжении роста кристалла. Выращенные кристаллы затем постепенно охлаждают, чтобы не происходило их растрескивание, и скорость охлаждения зависит от их размера.

Пример.

В платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 120 мм помещают смесь соединений Li2 Mg2(MoO4)3 и Li2MoO 4, синтезированных известным способом путем (твердофазный синтез) из Li2CO3, MgO, МоО3 , при этом Li2Mg2(MoO4) 3 - 130,15 г и Li2MoO4 - 62,57 г, или в соотношении 2:3, что соответствует концентрации раствора-расплава 40 мол.%. Смесь расплавляют при 1000°C на воздухе в резистивной печи установки для выращивания кристаллов. Для гомогенизации раствор-расплав перемешивают платиновой мешалкой, затем температуру понижают до точки равновесия кристалла с раствором-расплавом для данной концентрации Li2Mg2(MoO 4)3 (994°C) и к поверхности расплава подводят вращающуюся (35 об/мин) затравку, ориентированную по направлению [010].

После установления температуры, при которой наблюдается начало заметного роста затравки, осуществляют вытягивание затравки со скоростью 1-3 мм/сутки, одновременно понижают температуру раствора-расплава с начальной скоростью 0,2-5 град/сутки.

В процессе выращивания при увеличении массы кристалла скорость вытягивания плавно уменьшают до 1 мм/сутки, а скорость охлаждения - до 5 град/сутки в соответствии с графиком растворимости кристаллов Li2Mg2(MoO4) 3 в расплаве Li2MoO4.

За 30 суток выращивают монокристалл литий-магниевого молибдата весом 80 г размерами: длиной (конус + цилиндр) до 45 мм и диаметром до 25 мм оптического качества.

По окончании процесса выращивания монокристалл отделяют от раствора-расплава и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 30 град/час.

Оптическое качество выращенных кристаллов определяют под микроскопом визуально. В кристалле отсутствуют включения другой фазы, не выявлены блоки и другие дефекты.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет получить оптически однородные кристаллы литий-магниевого молибдата, Li2Mg 2(MoO 4)3, не содержащие включений, блоков и трещин, размерами 25×45 мм, достаточными для исследования физических свойств и практического использования.

Класс C30B9/04 охлаждением раствора

способ выращивания монокристаллов литий-висмутового молибдата -  патент 2519428 (10.06.2014)
способ получения кристаллогидрата платинохлористоводородной кислоты -  патент 2324016 (10.05.2008)
способ выращивания монокристалла -bab2o4 -  патент 2139957 (20.10.1999)

Класс C30B9/12 солевые растворители, например выращивание из флюсов

способ выращивания монокристаллов литий-висмутового молибдата -  патент 2519428 (10.06.2014)
способ выращивания кристалла методом киропулоса -  патент 2494176 (27.09.2013)
способ выращивания монокристаллов нитрида галлия -  патент 2477766 (20.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей -  патент 2315134 (20.01.2008)
устройство для выращивания монокристаллов сложных окислов -  патент 2245945 (10.02.2005)
способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4 -  патент 2195520 (27.12.2002)
способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений -  патент 2182194 (10.05.2002)
способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов -  патент 2164561 (27.03.2001)

Класс C30B15/36 отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)
способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида индия -  патент 2482228 (20.05.2013)
способ получения монокристаллов фосфида индия -  патент 2462541 (27.09.2012)
способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости -  патент 2436875 (20.12.2011)
способ выращивания монокристаллов сапфира из расплава -  патент 2350699 (27.03.2009)
сплав для монокристаллических затравок -  патент 2255130 (27.06.2005)
монокристалл со структурой галлогерманата кальция для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения -  патент 2250938 (27.04.2005)
способ выращивания кристаллов -  патент 2248418 (20.03.2005)
способ выращивания монокристаллов -  патент 2241792 (10.12.2004)
способ получения кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой -  патент 2208068 (10.07.2003)

Класс C30B29/32 титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы

Наверх