керамический материал с низкой температурой обжига

Классы МПК:C04B35/465 на основе титанатов щелочноземельных металлов
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ "ФЕРРИТ-ДОМЕН" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2013-02-12
публикация патента:

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания керамических материалов с низкой температурой обжига, предназначенных для использования в СВЧ-диапазоне, в том числе при изготовлении керамических подложек для гибридных интегральных схем в изделиях СВЧ-техники. Технический результат изобретения - получение керамического материала с низкой температурой обжига для изделий электронной техники с высоким значением диэлектрической проницаемости до керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 =70, низким значением тангенса угла диэлектрических потерь до 15·10-4, с высокой механической прочностью, высоким электросопротивлением и плотностью не ниже 0,95керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 теор. Предлагаемый керамический материал с низкой температурой обжига в исходных компонентах содержащий в качестве базового состава оксиды магния, кальция и титана, а также оксиды циркония и цинка, отличается тем, что он дополнительно содержит оксид никеля и железа при следующем соотношении компонентов, вес.%: оксид магния (MgO) 50,5÷0,5, оксид кальция (СаО) 1,0÷41,5, оксид циркония (ZrO2) 0,25÷0,05, оксид цинка (ZnO) 2,5÷0,5, оксид железа (Fe2O 3) 0,1÷0,7, оксид никеля (NiO) 0,1÷1,5, оксид титана (TiO2) - остальное. 1 табл., 13 пр.

Формула изобретения

Керамический материал с низкой температурой обжига, содержащий в качестве базового состава оксиды магния, кальция и титана, а также оксиды циркония и цинка, отличающийся тем, что он дополнительно содержит оксид никеля и железа при следующем соотношении компонентов, вес.%:

оксид магния (MgO) 50,5÷0,5
оксид кальция (СаО) 1,0÷41,5
оксид циркония (ZrO2)0,25÷0,05
оксид цинка (ZnO) 2,5÷0,5
оксид железа (Fe 2O3)0,1÷0,7
оксид никеля (NiO) 0,1÷1,5
оксид титана (TiO 2)остальное

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания керамических материалов с низкой температурой обжига, предназначенных для использования в СВЧ-диапазоне, в том числе при изготовлении керамических подложек для гибридных интегральных схем в изделиях СВЧ-техники.

Материал современных керамических подложек должен обладать следующими техническими характеристиками при температуре обжига не выше 1000°C:

- заданной величиной диэлектрической проницаемости на частоте 1керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 5 гГц - керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 ;

- низким значением тангенса угла диэлектрических потерь на 1керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 5 гГц - tgкерамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 ;

- высокой плотностью - керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 , г/см3;

- высоким удельным объемным электрическим сопротивлением - керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 , Ом-см;

- низким температурным коэффициентом линейного расширения - ТКЛР, 1/град;

- высоким значением механической прочности на изгиб - керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 изг, МПа.

При создании такого керамического материала должна быть решена задача обеспечения указанных характеристик при проведении технологического процесса на низких температурах обжига.

Известен патент РФ № 2410358 (приоритет 06.07.2009, опубл. 27.01.2011 г.), в котором низкотемпературный стеклокерамический материал имеет в своем составе алюмооксидную и барий-титановую керамику, а также низкотемпературное кристаллизующееся стекло следующего многокомпонентного состава, вес %:

оксид алюминия (Al2O3 )2÷8
оксид кремния (SiO2)17÷7
оксид бора (B2O3 )3,2÷12,5
оксид кальция (CaO)22÷11
оксид магния (MgO) 4,2÷3,5
оксид стронция (SrO) 0,4÷2,5
оксид меди (Cu2O)0,4÷1,5
оксид циркония (ZrO) 1,8÷0,5
оксид цинка (ZnO) 9÷3,5
керамика остальное

Стеклокерамический материал содержит низкотемпературное кристаллизирующееся стекло и керамику при соотношении (1,2÷1) и (0,8÷1,0) соответственно.

Данный низкотемпературный стеклокерамический материал имеет достаточно высокие технические характеристики: диэлектрическая проницаемость на f=10 гГц - 6,7÷7,2 и 19÷20; тангенс угла диэлектрических потерь на f=10 гГц - (17÷21)×10 -4;удельное объемное электрическое сопротивление керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 1012 Ом·см; ТКЛР=5,4÷6,5·10 -6 1/град; керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 изг=125-150 МПа.

Оптимально возможное снижение температуры обжига за счет низкотемпературного кристаллизующегося стекла достигает порядка 900°C.

Однако при использовании основных компонентов стекловарения B2 O3 и SiO2 используется относительно дорогостоящее сырье. Кроме того, B2O3 может испаряться в процессе обжига, что приводит к колебаниям в составе. Требуются специальные установки для контроля за испарением бора.

Все это удорожает и усложняет производство указанных материалов.

Керамика с низкой температурой обжига без стекла с диэлектрической проницаемостью керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 <10 предложена в патенте США № 8173565 (приоритет 09.08.2011 г., опубл. 08.05.2012 г.). Основные компоненты керамики составляют 100% вес:

оксид кремния (SiO2) 48-75
оксид бария (BaO) 20-40
оксид алюминия (Al2 O3)5-20

В качестве добавок, снижающих температуру обжига (1050-900°C) и позволяющих получать достаточно хорошие электрофизические свойства (диэлектрическую проницаемость керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 (f-3 гГц) 6,5÷7,2; мелкую зерновую структуру керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 ср=2÷7 мк и механическую прочность), берутся оксиды, вес %:

оксид марганца (MnO) 2-10
оксид титана (TiO2 )0,1-10
оксид магния (MgO)0,1-5

Однако низкая диэлектрическая проницаемость материала не позволяет использовать его в миллиметровом диапазоне.

Керамика с низкой температурой обжига, не содержащая стекла и аналогичная по основным компонентам составу по патенту США № 8173565 предложена в патенте США № 8231961 (приоритет 18.10.2010 г., опубл. 31.07.2012 г.), где используются в качестве основных компонентов, вес %:

оксид кремния (SiO2) 47-60
оксид бария (BaO) 20-42
оксид алюминия (Al2 O3)5-30

и в качестве вспомогательных компонентов, взятых от 100% основных компонентов, вес %:

оксид железа (Fe2O3 )0,044-0,077
оксид циркония (ZrO2)0,3-0,55

Данный керамический материал имеет следующие технические характеристики:

- температура обжига <1000°C;

- усадка после спекания - ±6%;

- прочность на изгиб - 180÷220 МПа;

- плотность - 0,95-0,98% от теоретической (рентгеновской)

Состав основных компонентов свидетельствует о низком значении диэлектрической проницаемости керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 <8, что также затрудняет его использование в миллиметровом диапазоне.

Известен керамический материал, предназначенный для СВЧ-техники и имеющий в своей основе сложный оксид лантана, кальция, магния и титана, а также добавки Al2O 3, ZnO, SrO и по крайней мере один из группы оксидов Si, Na, Zr, W, Nb, Ta, Cu, Cr (US 2012/0218054, кл. H03H 9/24, C04B 35/465, опубл. 30.08.2012 г.). Этот керамический материал получают при высоких температурах обжига Т=1500÷1700°C, а его диэлектрическая проницаемость имеет значение керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 =40÷55.

Высокая температура обжига не позволяет использовать его в качестве керамической подложки для гибридных интегральных схем в изделиях СВЧ-техники.

Материал этой заявки является наиболее близким аналогом заявляемого изобретения по совокупности существенных признаков и достигаемому результату, и взят за прототип.

Целью изобретения является получение керамического материала с низкой температурой обжига с высоким значением диэлектрической проницаемости до керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 =70, сниженным значением тангенса угла диэлектрических потерь до 15·10-4, с высокой механической прочностью, высоким электросопротивлением и плотностью не ниже 0,95 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 теор. Указанные материалы благодаря высокому значению диэлектрической проницаемости успешно работают в миллиметровом диапазоне.

Для этого предлагается керамический материал, который содержит в исходных компонентах в качестве базового состава оксиды магния, кальция и титана, а также оксиды циркония и цинка, отличающийся тем, что он дополнительно содержит оксиды никеля и железа при следующем соотношении компонентов, вес %:

оксид магния (MgO) 50,5÷0,5
оксид кальция (CaO) 1,0÷41,5
оксид циркония (ZrO2)0,25÷0,05
оксид цинка (ZnO) 2,5÷0,5
оксид железа (Fe 2O3)0,1÷0,7
оксид никеля (NiO) 0,1÷1,5
оксид титана (TiO 2)остальное

Предлагаемый материал получают по следующей технологии.

Исходные компоненты, взятые в необходимых соотношениях, за исключением оксидов никеля и железа тщательно перемешиваются алундовыми мелющими телами в шаровой мельнице в дистиллированной воде в течение 20-24 часов. Высушенную смесь протирают через капроновое сито и синтезируют при температуре 1050-1100°C в течение 4-6 часов. Измельчение проводят по режиму аналогичному первому помолу в этиловом спирте, добавляя оксиды никеля и железа в заданных соотношениях. Затем добавляют в качестве связующего - поливинилбутираль и пластификатора - дибутилфталат.

Далее из шликера изготавливают образцы заданной формы методом прессования либо литья.

Затем изготовленные образцы подвергают металлизации, например, на основе серебра.

Затем изготовленные образцы обжигают в камерных электропечах при температуре 850-1000°C в течение 0,5÷2 часов. В результате процесса обжига осуществляется синтез керамического материала.

Примеры получения керамики их состав и электрофизические свойства приведены в таблице.

В примерах № 1, 2, 3, 4, 5, 6 даны химические составы в пределах заявленных процентных соотношениях и соответствующие им электрофизические свойства, полученные в результате испытаний по стандартным методикам.

Пример № 7. Увеличение содержания MgO и уменьшение СаО по сравнению с заявленными пределами приводит к росту диэлектрических потерь.

Пример № 8. Уменьшение содержания MgO и увеличение СаО по сравнению с заявленными пределами приводит к снижению плотности.

Пример № 9. Увеличение содержания ZrO2 по сравнению с заявленными пределами снижает прочностные характеристики и в дальнейшем приводит к растрескиванию изделий.

Пример № 10. Увеличение содержания Fe2O3 и ZnO по сравнению с заявленным приводит к выпадению фазы по границам зерен и к снижению удельного сопротивления и росту тангенса угла диэлектрических потерь.

Пример № 11. Увеличение содержания NiO по сравнению с заявленными пределами приводит к увеличению тангенса диэлектрических потерь и снижению прочности.

Пример № 12. Уменьшение содержания NiO по сравнению с заявленными пределами приводит к повышению температуры обжига выше 1000°C и снижению плотности и удельного электросопротивления.

Пример № 13. Уменьшение содержания ZrO2, Fe2 O3, ZnO по сравнению с заявленными пределами снижает плотность материала ниже допустимых значений.

Предполагаемое изобретение было создано в процессе выполнения технического задания на опытно-конструкторскую работу «Разработка базовой технологии получения керамических ленточных материалов для производства компонентов радиоэлектронной аппаратуры». Создание керамического материала с низкой температурой обжига позволит изготавливать многофункциональные СВЧ-компоненты, обладающие малой массой и габаритами. Получены опытные образцы и готовится комплект технической и технологической документации.

Таблица
Примеры № п/пХимический состав низкотемпературной керамики, вес % Диэлектрические свойства на частотекерамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 , г/см3керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 теор, %керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 ,

Ом·см
ТКЛР×10 6 1/градкерамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 изг, МПа
керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 MgOCaO TiO2ZrO 2Fe2O3 ZnONiO керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 tgкерамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 fкерамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965 керамический материал с низкой температурой обжига, патент № 2527965
1 50,51,045,5 0,050,1 1,50,457,2 8·10-4 103,197 10126,0 200
2 31,22,964,7 0,10,5 0,50,111,3 9·10-4 103,395 10135,5 180
3 16,720,6559,2 0,250,3 2,00,940,6 11·10-4 63,596 10135,2 180
4 0,541,553,1 0,20,7 2,51,570,5 15·10-4 63,795 10125,8 190
5 0,51,097,75 0,050,1 0,50,170,8 14·10-4 63,895 10125,6 180
6 50,541,53,05 0,250,7 2,51,59,5 13·10-4 103,596 10126,0 190
7 50,60,945,5 0,060,14 1,550,46,8 20·10-4 103,095 10126,0 170
8 0,441,653,4 0,150,6 2,451,463 13·10-4 62,880 10126,5 180
9 16,720,659,3 0,31,5 0,61,038 12·10-4 63,596 10125,7 115
10 33,51,1862,3 0,070,75 2,61,210,4 22·10-4 103,498 1086,0 180
11 23,413,158,8 0,070,4 2,631,622 21·10-4 63,496 10125,4 120
12 31,23,0563,8 0,170,5 1,650,0810,5 14·10-4 102,778 10105,5 185
13 23,313,262,7 0,040,08 0,40,2824 12·10-4 62,982 10126,0 180

Наверх