способ получения синтетических алмазов

Классы МПК:C01B31/06 алмаз 
C30B29/04 алмаз
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Гончаров Алексей Иванович (RU),
Гончарова Алсу Камильевна (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2013-03-22
публикация патента:

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для получения технических или ювелирных изделий. Ионы углерода с разноименными зарядами взаимодействуют между собой в течение 20-30 часов при температуре 850-950 °C в высокочастотном электрополе в диапазоне частот 40-80 кГц в присутствии железа в качестве катализатора. Процесс проводят в расплаве солей, содержащем, масс.%: SiC - 7,5-11,0; Na 2CO3 или K2CO3 - 89,0-92,5. Используют гранулированное железо, имеющее размер гранул 1-3 мм, в количестве 5-10% от массы расплава. Изобретение позволяет упростить процесс синтеза алмаза и его аппаратурное оформление, устранить вредные и опасные условия. 1 табл., 1 пр.

Формула изобретения

Способ получения синтетических алмазов путем взаимодействия между собой ионов углерода с разноименными зарядами при повышенной температуре в высокочастотном электрополе в присутствии железа в качестве катализатора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 850-950°C и диапазоне частот 40-80 кГц в расплаве солей, содержащем, масс.%: SiC - 7,5-11,0; Na2 CO3 или K2CO3 - 89,0-92,5, при этом используют гранулированное железо, имеющее размер гранул 1-3 мм, в количестве 5-10% от массы расплава, а продолжительность процесса синтеза алмазов составляет 20-30 часов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к химической промышленности и может быть применено для получения синтетических алмазов для изготовления технических или ювелирных изделий.

Известен способ синтеза алмазов из смеси простых воднорастворимых органических соединений алифатического ряда, содержащих противоположно заряженные атомы углерода. Процесс ведут в водной фазе при температуре 100-350°C и под давлением инертного газа-компрессанта 100-400 атм. (Патент РФ № 2042748, опубл. 27.08.1995 г.). Недостатками известного способа являются:

- высокое давление в реакторе для синтеза алмазов;

- опасные условия производства синтетических алмазов;

- сложное аппаратурное оформление.

Известен способ синтеза алмазов, основанный на разложении карбида кремния в водной среде, в которую вводят один из компонентов: хлорид магния, кальция или железа. Процесс разложения карбида кремния ведут в интервале температур 200-350°C. В водную среду дополнительно вводят растворимые химические вещества, в состав которых входят легирующие алмаз элементы. Процесс ведут в течение 25 часов (Патент РФ № 2181795, опубл. 27.04.2002 г.).

Недостатком данного известного изобретения, так же как и ранее приведенного изобретения, является высокое давление в реакторе синтеза алмазов - 200-400 атм, что является причиной опасного производства и применения сложного аппаратурного оформления.

Известен способ синтеза алмазов из газовой фазы CH4 и H 2, выбранный нами в качестве прототипа, с использованием металлов в качестве катализаторов. Для осуществления способа тигель с установленными в него базой и металлом для синтеза алмазов, таких как Fe, Ni и т.д. или их сплавов, помещают в вакуумный контейнер. Тигель нагревают до температуры 400-1000°C вместе с содержащимися в нем базой, каталитическим металлом и смешанным газом CH4 и H2. В тигле образуются пары металла порядка 0,1-10% на один моль CH4. В зоне реакции, где присутствуют пары металла и ионизированные газы, между тиглем и базой создают высокочастотное электрическое поле. Смешанные газы CH4 и H2 подают в тигель из баллона, где эти газы находятся под давлением в интервале 10<-4>-10 torr (мм рт.ст.) [[Патент № JP 59018197 A (SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES), 30.01.1984 г.].

Недостатками данного изобретения являются:

- сложное аппаратурное оформление,

- применение водорода может создать взрывоопасную ситуацию.

Задачами предлагаемого способа получения синтетических алмазов являются:

- упрощение технологического процесса;

- упрощение аппаратурного оформления;

- снижение эксплуатационных затрат;

- устранение вредных и опасных условий способа получения синтетических алмазов;

- снижение себестоимости получаемых синтетических алмазов.

Указанные задачи решаются следующим образом.

В тигель печи загружают тщательно перемешанные компоненты реакции синтеза алмазов: карбид кремния, карбонат натрия или калия, гранулированное железо. Карбид кремния должен быть дробленным и иметь размер кусков 0,5-3,0 мм, или порошкообразным, карбонат натрия или калия должен пройти термическую обработку при температуре 400-450°C в течение двух часов и также должен быть раздроблен на куски, имеющие размер 0,5-3,0 мм, гранулы железа должны иметь размер 1-3 мм. Состав исходной смеси компонентов имеет следующие значения, мас.%:

SiC - 7,5-11,0; Na2CO3 или К2СО3 - 89,0-92,5. Содержание гранулированного железа в составе карбида кремния и карбоната натрия или калия составляет 5-10% от суммарной массы SiC и Na2CO3 или К2СO 3. Тигель, заполненный исходными компонентами реакции синтеза алмазов на 70-80% от полного его объема, изолированный от атмосферы, помещают в индуктор печи и на пульте управления индукционной печью устанавливают температуру расплава, равную 850-950°C, и частоту электрического поля, равную 40-80 кГц.

Нагрев карбоната натрия или калия и карбида кремния в тигле осуществляется за счет содержания в смеси компонентов гранул железа, обладающих электромагнитными свойствами и используемых в качестве катализаторов в процессе синтеза алмазов. Процесс синтеза алмазов осуществляется согласно схеме реакции:

SiC+Na2CO 3 (K2CO3)=2Cспособ получения синтетических алмазов, патент № 2531311 +Na2SiO3 (K2SiO3 ) (1)

алмаз

Данный процесс протекает очень медленно и может длиться в течение 20-30 час.

Расчет производят по формуле способ получения синтетических алмазов, патент № 2531311 mи.к.=Vт·k·dc (2),

где способ получения синтетических алмазов, патент № 2531311 mи.k. - суммарная масса исходных компонентов SiC, Na2CO3 или К2СO3 , кг; Vt - объем тигля индукционной печи, л; k - коэффициент заполнения объема тигля смесью SiC и Na2CO3 или K2CO3. k может иметь значения в интервале 0,7-0,8 (70-80% от полного объема тигля).

d c - средняя удельная масса смеси соединений SiC и Na 2CO3 или SiC и К2СO3. Для смеси SiC - 9,0-11,0%; Na2CO3 - 89,0-91,0% dс=2,51 кг/л. Для смеси SiC - 7,5-9,0%; К2 СO3 - 91,0-92,5% dc=2,35 кг/л.

Пример.

Проведем получение синтетических алмазов для смеси:

SiC=9,0%, Na2CO3 =91,0%, Fe=10%, К=0,75.

Объем тигля составляет 100 см3.

способ получения синтетических алмазов, патент № 2531311 mи.к.=100 см3×0,75×2,51 г/см3=188,25 г

msic=188.25г×0,09=16,94 г

mNa2CO3=188,25 г-16,94 г=171,31 г

mFe=188,25 г×0,1=18,83 г

Объем железа составляет 2,4 см3, что в сумме с объемом смеси SiC и Na2CO3 не превышает 80% объема тигля.

Карбонат натрия подвергли термической обработке в течение двух часов при температуре 450°C в тигельной печи. Образующие продукты реакции синтеза алмазов Na2SiO 3 и Na2CO3 или К2СO 3 после их растворения в дистиллированной воде и отделения кристаллов алмазов фильтрацией могут быть использованы как исходное сырье для изготовления моющих средств различного назначения.

Для установления необходимых технологических параметров были проведены опыты в лабораторных условиях по методике, представленной выше.

В работе использовали:

1. Индукционную высокочастотную печь марки ВЧ-15А.

Мощность печи - 15кВт, интервал частот индукционного электрического поля 30-100 кГц.

2. Тигель керамический огнеупорный объемом 100 см3.

3. Гранулы железа, размер гранул 1-3 мм.

4. Карбид кремния марки 54С черный.

5. Карбонат натрия марки «ч».

6. Карбонат калия марки «ч».

7. Вода дистиллированная.

8. Тигельная печь лабораторная, регулируемый интервал температур нагрева 50-1000°C.

9. Мешалка лабораторная якорная.

Элементный анализ синтетических алмазов определяли с помощью электронного микроскопа, а структуру кристаллов - с помощью рентгеновского дифрактометра.

Результаты экспериментальных данных представлены в таблице 1.

Таблица 1.
№ № опытаНаименова

ние загружаемых компонентов в тигель печи
Масса компо

нен

тов, г
Частота электрополя, кГцТемпера

тура процес

са, °C
Длитель

ность процесса, час
Выход алмазов и их свойства
1.SiC Na2 CO3 Fe (гранулы)20,7

167,6

18,8
40 86022Выход алмазов - 10,3 г (82,9% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,04-1,3 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
2. SiC Na2CO3 Fe (гранулы) 20,7 167,6 18,860 86022Выход алмазов - 10,6 г (85,3% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,05-1,5 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
3. SiC Na2CO3 Fe (гранулы) 20,7 167,6 18,880 86022Выход алмазов - 10,6 г (85,3% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,05-1,7 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
4. SiC Na2CO3 Fe (гранулы) 20,7 167,6 18,860 95022Выход алмазов - 11,0 г (88,6% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,05-1,2 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
5. SiC Na2CO3 Fe (гранулы) 20,7 167,6 18,880 86030Выход алмазов - 11,4 г (91,8% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,05-1,7 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
6. SiC Na2CO3 Fe (гранулы) 20,7 167,6 9,480 86030Выход алмазов - 10,8 г (87,0% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,05-1,7 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный

Продолжение таблицы 1.
№ № опытаНаимено

вание загружае

мых компонен

тов в тигель печи
Масса компонентов, гЧастота электрополя, кГцТемпература процесса, °C Длительность процесса, час Выход алмазов и их свойства
7. SiC К2СО3 Fe (гранулы) 15,9 160,4 17,680 90025 Выход алмазов - 9,2 г (96,4% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,07-2,1 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
8. SiC К2СО3 Fe (гранулы) 15,9 160,4 17,680 95025 Выход алмазов - 9,5 г (99,6% от стехиометрии). Размер кристаллов - 0,05-1,9 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный
9. SiC K2CO3 Fe (гранулы) 15,9 160,4 8,880 95025 Выход алмазов - 9,1 г (95,4% от стехиометрии).

Размер кристаллов - 0,07-2,2 мм Элемент - С Структура кристаллов - алмаз Цвет - прозрачный, бесцветный

Класс C01B31/06 алмаз 

способ получения сверхтвердого композиционного материала -  патент 2523477 (20.07.2014)
способ определения угла разориентированности кристаллитов алмаза в композите алмаза -  патент 2522596 (20.07.2014)
поликристаллический алмаз -  патент 2522028 (10.07.2014)
способ получения наноалмазов при пиролизе метана в электрическом поле -  патент 2521581 (27.06.2014)
устройство для получения алмазов -  патент 2514869 (10.05.2014)
способ селективной доочистки наноалмаза -  патент 2506095 (10.02.2014)
способ избирательного дробления алмазов -  патент 2492138 (10.09.2013)
способ получения сверхтвердого композиционного материала -  патент 2491987 (10.09.2013)
способ получения алмазов с полупроводниковыми свойствами -  патент 2484189 (10.06.2013)
способ получения синтетических алмазов и установка для осуществления способа -  патент 2484016 (10.06.2013)

Класс C30B29/04 алмаз

поликристаллический алмаз -  патент 2522028 (10.07.2014)
монокристаллический алмазный материал -  патент 2519104 (10.06.2014)
способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием -  патент 2516632 (20.05.2014)
синтетический cvd алмаз -  патент 2516574 (20.05.2014)
способ изготовления фантазийно окрашенного оранжевого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт -  патент 2497981 (10.11.2013)
способ избирательного дробления алмазов -  патент 2492138 (10.09.2013)
способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза -  патент 2489532 (10.08.2013)
способ получения поликристаллического материала на основе кубического нитрида бора, содержащего алмазы -  патент 2484888 (20.06.2013)
способ получения алмазов с полупроводниковыми свойствами -  патент 2484189 (10.06.2013)
способ получения синтетических алмазов и установка для осуществления способа -  патент 2484016 (10.06.2013)
Наверх