Общие аспекты SPM зондов, их изготовление или относящееся к ним оснащение в той мере, в какой эти зонды не являются специально предназначенными для одного конкретного типа техники SPM, охватываемых одной из групп  ,G01Q 60/00: .изготовление зондов – G01Q 70/16

МПКРаздел GG01G01QG01Q 70/00G01Q 70/16
Раздел G ФИЗИКА
G01 Измерение
G01Q Техника сканирующего зонда или устройства; различные применения техники сканирующего зонда, например микроскопия сканирующего зонда (SPM)
G01Q 70/00 Общие аспекты SPM зондов, их изготовление или относящееся к ним оснащение в той мере, в какой эти зонды не являются специально предназначенными для одного конкретного типа техники SPM, охватываемых одной из групп  G01Q 60/00
G01Q 70/16 .изготовление зондов

Патенты в данной категории

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОЛЛОИДНОГО ЗОНДОВОГО ДАТЧИКА ДЛЯ АТОМНО-СИЛОВОГО МИКРОСКОПА

Изобретение относится к области приборостроения, преимущественно к измерительной технике. Сущность изобретения заключается в способе изготовления коллоидного зондового датчика, в котором используется атомно-силовой микроскоп (АСМ), и его собственном работоспособном зондовом датчике. Сначала с помощью АСМ производят визуализацию коллоидных частиц, предварительно осажденных на гладкую подложку, и по принципу минимального числа соседей выбирают среди них кандидата для закрепления. Затем с помощью АСМ производят закрепление частицы на кончике иглы зондового датчика. Завершают операции оперативным подтверждением с помощью АСМ, что выбранная частица закреплена. Технический результат - повышение воспроизводимости и надежности изготовления коллоидного зондового датчика, в особенности когда используются коллоидные частицы субмикронных размеров. 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

2481590
патент выдан:
опубликован: 10.05.2013
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРУБЧАТОЙ МИКРО-, НАНОИГЛЫ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

Способ предназначен для создания наноустройств, в частности трубчатых зондов, применяемых в сканирующей микроскопии, а также используемых в медицине, биохимии, цитологии и генетике при проведении исследований с инъекциями и/или отбором образцов тканей и жидкостей на клеточном уровне. На кристалле-подложке изготавливают многослойную пленочную структуру с внутренними механическими напряжениями. Формируют контур освобождаемой области многослойной пленочной структуры от кристалла-подложки содержащим участок, предназначенный для изготовления трубки. Также формируют в составе многослойной пленочной структуры участок, содержащий токовод к трубке и контактную площадку. При формировании изготавливают пленку диэлектрика, на которой осаждают электропроводящую пленку. Посредством литографии по электропроводящей пленке задают контуры участка, предназначенного для изготовления трубки, и участка с тоководом и контактной площадкой. Первый из участков выполняют в виде фигуры с геометрией, обеспечивающей при его освобождении от связи с кристаллом-подложкой и трансформации в трубку укладку краев многослойной пленочной структуры на конце трубки по конусообразной спирали. Используя литографию, покрывают диэлектрической пленкой участок, предназначенный для изготовления трубки, и участок с тоководом и контактной площадкой, включая и торцы. К указанной многослойной пленочной структуре таким же образом формируют парную многослойную пленочную структуру. Участки обеих структур, предназначенные для изготовления трубки, выполняют, сопрягая их в точке, являющейся центром симметрии в отношении направлений освобождения от связи с кристаллом-подложкой и трансформации в трубку, каждого из участков, предназначенных для изготовления трубки. Из-под каждого участка, предназначенного для изготовления трубки, удаляют материал кристалла-подложки, трансформируя участки за счет внутренних механических напряжений в трубки с острыми концами, в месте разрыва в точке сопряжения, возникающего в результате разных направлений трансформации, выступающими за край кристалла-подложки. В результате обеспечивается: повышение остроты иглы до величины, требуемой для получения изображения поверхности с атомным разрешением, достижение унификации иглы при изготовлении ее в качестве зонда для микроскопии; снижение травматичности биологических клеток при изготовлении иглы для проведения инвазивных манипуляций. 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

2425387
патент выдан:
опубликован: 27.07.2011
МИНИАТЮРИЗОВАННЫЙ ПРУЖИННЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к зондовой спектроскопии, а именно к миниатюризованному пружинному элементу, пригодному для использования в качестве балочного зонда или консоли (2) для определения атомарных или молекулярных сил, в частности, в растровом микроскопе (22) атомарных сил. Миниатюризованный пружинный элемент (1, 1') содержит гибкое основное тело (4), которое образовано из матрицы с внедренными наночастицами (14) или дефектами. Пружинный элемент (1, 1') изготавливается с применением принципа локального осаждения с помощью сфокусированных энергетических частиц или электромагнитных волн или с помощью пиролитически индуцированного осаждения. Технический результат - надежное и с высоким разрешением определение отклонения балочного зонда. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.

2420747
патент выдан:
опубликован: 10.06.2011
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗОНДОВ НА ОСНОВЕ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ

Изобретение относится к области сканирующей зондовой микроскопии, а именно к способам изготовления измерительных зондов. Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления зондов на основе кварцевых резонаторов, включающем фиксацию кварцевого резонатора, имеющего по меньшей мере одно плечо, при помощи первого держателя, нанесение клея на плечо кварцевого резонатора и осуществление контакта между плечом кварцевого резонатора и первым концом иглы в зоне нанесения клея с последующей ориентацией, перед осуществлением контакта проводят принудительную ориентацию иглы по трем координатам, которую уточняют и сохраняют в процессе склеивания. Технический результат изобретения состоит в расширении функциональных возможностей измерительных зондов и увеличении их надежности. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

2402782
патент выдан:
опубликован: 27.10.2010
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЗМ-НАНОСЕНСОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ СТИМУЛЯЦИИ

Изобретение относится к области сканирующей зондовой микроскопии. Способ изготовления СЗМ-наносенсоров основывается на методе электрон-стимулированного роста и осуществляется в три стадии. На кремниевом или металлическом держателе-основании электронным лучом из кремнийсодержащего газа-прекурсора формируют V-образный силиконовый кантилевер, на остром конце которого таким же образом из углеродсодержащего газа-прекурсора снизу наращивают сенсорный элемент и сверху формируют карбоновое плато, на котором из золотосодержащего газа-прекурсора с помощью электронного пучка наращивают светоотражающее покрытие. Технический результат - повышение гибкости кантилевера, упрощение технологии процесса изготовления.

2402022
патент выдан:
опубликован: 20.10.2010
Наверх