Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов – H01L 21/78

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве электронных приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора в полупроводниковой пластине прошивают переходные сквозные отверстия, поверхности отверстий, образовавшиеся сколы, лицевую и обратную поверхности полупроводниковой пластины селективно покрывают изоляционным слоем, поверх изоляционного слоя наносят металлические проводники, необходимые для проведения электротермотренировки и полного контроля всех кристаллов, после электротермотренировки и полного контроля пластину разрезают на кристаллы, годные из которых используют для корпусирования. Изобретение обеспечивает групповую электротермотренировку и полный контроль кристаллов в составе полупроводниковой пластины, что значительно удешевляет производство полупроводниковых приборов. 8 з.п. ф-лы, 5ил.

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы. Сущность изобретения: в способе изготовления чипов мощных нитридных СВЧ-транзисторов, включающем изготовление эпитаксиальной пластины, изготовление диэлектрической пластины-носителя, совмещение эпитаксиальной пластины и диэлектрической пластины-носителя, разделение эпитаксиальной пластины и диэлектрической пластины-носителя на отдельные элементы и образование чипов, разделение эпитаксиальной пластины и диэлектрической пластины-носителя на отдельные элементы и образование чипов осуществляют после совмещения эпитаксиальной пластины и диэлектрической пластины-носителя. В результате предотвращается перераспределение остаточных механических напряжений в системе эпитаксиальная гетероструктура/сапфировая подложка, образующей эпитаксиальную пластину, при разделении последней на отдельные элементы (чипы) и обеспечивается тем самым сохранение электрофизических характеристик эпитаксиальной гетероструктуры. 8 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений. Изобретение направлено на повышение технологичности способа, повышение выхода годных кристаллов, повышение метрологических характеристик кристаллов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов, включающем создание на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделение пластины на кристаллы, перед разделением пластины на кристаллы проводят ее утонение путем травления. Перед травлением на обратной стороне пластины формируют защитную маску, обеспечивающую защиту периферийных областей пластины таким образом, что внутренняя конфигурация периферии площади маски совпадает с наружной конфигурацией периферии площади структур на лицевой стороне пластины. Перед разделением пластины на лицевой стороне проводят формирование защитного металлического покрытия с окнами, расположенными над соответствующими границами разделения пластины на кристаллы с учетом бокового подтравливания, а формирование защитной маски на обратной стороне пластины проводят таким образом, что она обеспечивает дополнительную защиту внутренних областей пластины так, что конфигурация маски не совпадает с областями расположения элементов топологии полупроводниковых приборов. 5 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритных размеров прибора. Сущность изобретения: в приборе для поверхностного монтажа, состоящем из диэлектрического основания с металлизированными переходными отверстиями, на нижней стороне которого расположены монтажные площадки, а на верхней стороне - элементы проводящего рисунка, к которым подключены один или более электронных компонентов, находящихся внутри тела корпуса, сформированного герметизирующим компаундом, монтажные площадки, металлизация переходных отверстий и участок соответствующих элементов проводящего рисунка, прилегающий к переходному отверстию, покрыты сплошным слоем облуживаемого материала, полностью заполняющим металлизированные переходные отверстия, образуя монолитные перемычки, которые одной или несколькими своими гранями могут выходить на боковые грани прибора для поверхностного монтажа. 5 ил.

Использование: в микроэлектронике, при производстве микросхем. Сущность изобретения: способ изготовления k штук микросхем заключается в том, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами. Затем наносят герметизирующий компаунд, который, обволакивая элементы, растекается по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нем за счет сил поверхностного натяжения. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части, получая k штук микросхем. Техническим результатом изобретения является создание группового способа изготовления микросхем без использования формообразующей индивидуальный корпус микросхемы оснастки. 2 ил.