Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы приборов: ....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI, например CdS, ZnS, HgCdTe – H01L 31/0296

Фоточувствительная структура может быть использована при разработке фотоприемников ИК излучения. Фоточувствительная структура содержит подложку с выполненной на ней варизонной структурой с рабочей областью, в которой расположен рабочий поглощающий слой. В составе рабочей области кроме рабочего поглощающего слоя выполнен предотвращающий введение собственных дефектов слой с возможностью его примыкания к поверхности рабочей области или на расстоянии от нее, или в составе рабочей области выполнена периодическая структура из чередующихся слоев, предотвращающих введение собственных дефектов и рабочих поглощающих, с возможностью примыкания ее к поверхности рабочей области или на расстоянии от нее. Изобретение обеспечивает предельное повышение термической стабильности параметров фоточувствительных слоев структуры, что приводит к снижению деградации фотоэлектрических и электрофизических параметров фоточувствительного элемента. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: в области ядерной медицины, радиационной диагностике, в атомной энергетике, астрономии, физике космических лучей и т.д. Технический результат изобретения: исключение «поляризационного эффекта» за счет использования улучшенной конфигурации электрода. Сущность: полупроводниковый элемент-детектор излучения с барьером Шоттки включает кристалл полупроводникового соединения, содержащего в качестве главных компонентов кадмий и теллур, средства для приложения напряжения к кристаллу полупроводникового соединения. Указанные средства приложения напряжения содержат соединение индия, кадмия и теллура In_xCd_yTe_z , сформированное на одной поверхности кристалла полупроводникового соединения. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.