Способы и устройства для тонкой обработки драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов: .с помощью невращающихся инструментов, например с возвратно-поступательным движением – B28D 5/04

Группа изобретений относится к порошку из абразивных зерен, предназначенному, в частности, для механической обработки кремниевых слитков, к абразивной проволоке, а также к способу резки слитка. Порошок характеризуется тем, что гранулометрическая фракция D₄₀-D₆o содержит более 15 об.% и менее 80 об.% зерен с округлостью менее 0,85. Абразивная проволока для резки слитков, в частности кремниевых слитков, содержит несущую проволоку, вышеуказанный порошок и связующее, обеспечивающее фиксацию зерен указанного порошка на указанной несущей проволоке. Способ резки слитка на основе кремния посредством абразивной проволоки обеспечивает получение пластин толщиной менее 200 мкм. Техническим результатом является получение зернистого порошка, обладающего высокой эффективностью в качестве абразивного порошка, который применим для изготовления абразивной проволоки и для изготовления режущих инструментов. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл.

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом является снижение расхода проволоки и увеличение производительности процесса резки. Указанная цель достигается за счет того, что в процессе резки слитка полупроводника рядами проволоки, смачиваемой абразивной суспензией, для использования реверсивного режима резки проволока ориентируется в зоне реза специальным образом, что обеспечивает подачу проволоки в зону реза недеформированной поверхностью. Это позволяет повторно использовать одну бобину проволоки для проведения двух процессов резки, при этом вероятность обрывов проволоки исключается, а суммарные затраты времени на проведение двух процессов резки снижаются более чем на 3 часа. 2 ил.

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом является увеличение производительности процесса резки. Способ включает фиксацию слитка на оправке с помощью клеящей мастики, подачу слитка в горизонтальном направлении боковой поверхностью сквозь совершающие циклическое возвратно-поступательное движение вертикальные ряды смачиваемой абразивной суспензией проволоки вплоть до полного прорезания слитка, слиток фиксируют на оправке торцевой частью. Причем между боковой поверхностью слитка и оправкой размещают слой вязкой мастики, оправку с приклеенным слитком располагают вертикально свободным торцом вниз под углом не менее 7° к виртуальной плоскости, в которой расположены ряды проволоки, а подачу слитка осуществляют сквозь ряды проволоки, совершающие циклическое возвратно-поступательное движение в горизонтальной плоскости. 3 ил.