Нано-магнетизм, например полное магнитное сопротивление, анизотропное магнитное сопротивление, гигантское магнитное сопротивление или туннельное магнитное сопротивление – B82Y 25/00
Раздел B РАЗЛИЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ; ТРАНСПОРТИРОВАНИЕ
B82 Нанотехнология
B82Y Специфическое использование нано-структур; измерение или анализ нано-структур; производство или обработка нано-структур
B82Y 25/00 Нано-магнетизм, например полное магнитное сопротивление, анизотропное магнитное сопротивление, гигантское магнитное сопротивление или туннельное магнитное сопротивление
Патенты в данной категории
МАГНИТНЫЙ, ТЕЛЛУРСОДЕРЖАЩИЙ ХАЛЬКОГЕНИД МАРГАНЦА С ГИГАНТСКИМ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕМ
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Магнитный теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением MnSe1-xTex, в котором Х=0,1; 0,2, 0,4, включает марганец, селен и теллур при следующем соотношении компонентов соответственно, масс.%: марганец 50, 50, 50; селен 45, 40, 30; теллур 5, 10, 20. Изобретение позволяет разрабатывать на основе теллурсодержащего халькогенида марганца элементы миктоэлектроники, устойчивые к радиации и способные работать в экстремальных условиях, снизить затраты на изготовление материалов. 3 ил., 2 табл. |
2454370 выдан: опубликован: 27.06.2012 |