Изготовление или обработка нано-структур – B82Y 40/00

Светоизлучающий прибор согласно изобретению содержит связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем первая область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью, при этом первая область и третья область связаны напрямую. Также предложен способ изготовления светоизлучающего прибора. Изобретение обеспечивает прочную связь между светоизлучающим элементом и элементом, преобразующим длину волны. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к литейному и металлургическому производству, в частности к получению модификатора для алюминиевых сплавов. Способ включает смешивание порошка носителя с ультрадисперсным модифицирующим порошком в планетарной мельнице и прессование полученной композиции. В качестве ультрадисперсного модифицирующего порошка используют композицию порошков карбида кремния (SiC) - 50÷70%, нитрида кремния (Si₃N₄) - 20÷30%, гексафторалюмината натрия (Nа₃АlF ₆) - 10÷20%, полученных по азидной технологии самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, с размерами частиц 70-100 нм, при этом карбид кремния имеет -модификацию, а в качестве носителя ультрадисперсного порошка используют порошок меди с размером частиц менее 180 мкм в соотношении медь:ультрадисперсный порошок=9:1. Изобретение позволяет изготавливать прутки, содержащие 10% ультрадисперсной модифицирующей композиции, при этом использование модификатора при модифицировании алюминиевых сплавов позволяет измельчать дендриты -А1 в 2,4 раза для повышения механических свойств сплава. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к газовому анализу и может быть использовано для контроля токсичных и взрывоопасных газов и в тех областях науки и техники, где необходим анализ газовых сред. Полупроводниковый чувствительный элемент согласно изобретению представляет собой изолирующую подложку с предварительно нанесенными контактами, на которой нанесением пленкообразующего водно-спиртового раствора SnCl₂ с углеродными нанотрубками формируют слой нанокомпозита диоксид олова. Изготовленный таким образом чувствительный элемент подвергают сушке в течение 10 минут при температуре 150°С с последующим стабилизирующим отжигом на воздухе в течение 30 минут при температуре не ниже 370°С для формирования нанокристаллической структуры. Изобретение направлено на повышение величины газовой чувствительности и селективности сенсорного элемента. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Наноразмерные оксиды металлов получают химической реакцией окисления металлоорганического соединения при инициировании процессов энергетическим воздействием, в качестве которого используют импульсный электронный пучок энергией электронов 100÷500 кэВ, длительностью 10÷100 нс и с полным током пучка 1-10 кА. Предложенное изобретение позволяет увеличить производительность и расширить номенклатуру получаемых наноразмерных оксидов на одном и том же оборудовании без изменения режима синтеза. 2 табл., 1 ил.

Изобретение может быть использовано в области химии, медицины и нанотехнологии. Способ получения наночастиц серебра включает приготовление водных растворов нитрата серебра концентрации 0,001÷0,02 М/л и L-цистеина концентрации 0,00125÷0,04 М/л. Полученные растворы смешивают при мольном соотношении нитрата серебра и L-цистеина в диапазоне 1,25÷2,00 и выдерживают при температуре 15÷55°C в течение 0,34÷48 часов в защищенном от света месте с получением раствора супрамолекулярного полимера. Полученный раствор супрамолекулярного полимера разбавляют водой в объемном соотношении 1:1. Готовят водный раствора борогидрида натрия концентрации 0,003÷0,010 М/л и добавляют в раствор супрамолекулярного полимера при постоянном перемешивании. Изобретение позволяет получить наночастицы серебра со средним гидродинамическим радиусом 20 нм. 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода. Датчик микропримесей оксида углерода содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления, при этом обеспечивается возможность определения микропримесей оксида углерода в газовых смесях при комнатной температуре. 3 ил.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар капельная жидкость кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь пластину кремния легируют фосфором до удельного сопротивления 0,008-0,018 Ом·см и анодируют длительностью не более 5 мин с подсветкой галогенной лампы в смеси 48%-ного раствора HF и C₂H₅ OH (96%) в соотношении 1:1, причем плотность тока анодизации поддерживают на уровне не менее 10 мА/см², а наночастицы катализатора наносят электронно-лучевым напылением пленки металла толщиной не более 2 нм. Изобретение обеспечивает возможность получения тонких полупроводниковых нитевидных нанокристаллов диаметром менее 10 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих высокую поверхностную плотность. 7 пр.

Изобретение относится к способу получения нановискерных структур оксидных вольфрамовых бронз на угольном материале, в котором электролиз ведут в импульсном потенциостатическом режиме при перенапряжении 300 мВ в расплаве, содержащем 30 мол. % K ₂WO₄, 25 мол. % Li₂WO₄ и 45 мол. % WO₃, с использованием платинового анода, при этом электроосаждение ведут на катоде из угольного материала с высокой удельной поверхностью, перед подачей на электрод импульса перенапряжения катод пропитывают расплавом в течение времени, достаточного для пропитки, но недостаточного для активного выгорания углерода из угольного катода. Использование настоящего способа позволяет получить нановискерные структуры вольфрамовых бронз на угольном материале, которые могут использоваться как катализаторы с высокой активностью, обладающие технологическими свойствами для процессов органического и нефтехимического синтеза. 3 пр., 1 табл., 6 ил.

Изобретения могут быть использованы в области нанотехнологий и неорганической химии. Способ получения боридной наноплёнки или нанонити включает осаждение на корундовую нанонить или на стекловолокно из легкоплавкого стекла в вакууме несколько чередующихся слоев титана и бора, после чего полученную композицию постепенно нагревают до температуры 1500°С. По другому варианту способ получения боридной наноплёнки включает осаждение слоя борида титана нанотолщины на корундовую нанопленку из газовой фазы, содержащей галогенид титана и бор. Изобретения позволяют получить боридные наноструктуры, 4 н.п. ф-лы, 2 пр.

Изобретение может быть использовано при изготовлении инструментов для горнодобывающей, камнеобрабатывающей и металлообрабатывающей промышленности. Готовят исходную композицию, состоящую из следующих компонентов, мас.%: фуллерены С-60 или С-70 - 30-50; теплопроводящий компонент - 10-60; связующая добавка - остальное. Теплопроводящий компонент выбирают из ряда: вюртцитный нитрид бора, кубический нитрид бора, алмаз или их смеси. Связующую добавку выбирают из элементов IVa группы Периодической системы или их сплава с медью. Теплопроводящий компонент можно предварительно покрыть связующей добавкой. На полученную композицию воздействуют статическим давлением от 8 до 13 ГПа при нагреве до 900-2000°C в течение не менее 20 секунд. Получают сверхтвёрдый композиционный материал с теплопроводностью до 330 Вт/м·К, отношением микротвердости к модулю упругости 0,12, что указывает на его высокую износостойкость. 1 з.п. ф-лы, 3 пр.

Изобретение относится к области получения нанодисперсных порошков неорганических материалов и соединений. Плазмохимические реакции инициируют импульсным микроволновым разрядом, воздействующим на исходные реагенты, в качестве которых используют смесь порошков титана и бора в атмосфере азота, при этом в качестве исходных реагентов используют порошок аморфного бора с размером частиц 1 мкм-100 мкм и порошок титана с размером частиц 1 мкм-100 мкм, причем используется микроволновой разряд мощностью от 50 кВт до 500 кВт и длительностью импульса от 100·10^-6 с до 100·10^-3 с, а рабочее давление азота составляет от 0,1 до 1 атмосферы. В результате протекания плазмохимических реакций совместно образуются два целевых продукта - нанодисперсные порошки диборида титана и нитрида бора различных форм и размеров. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Заявляемое изобретение относится к области электрической техники, в частности к способам создания электропроводящих слоев, применяемых в широких областях техники, в том числе в электронике или электротехнике, и может быть использовано для создания проводящих соединений в микросхемах. Способ формирования электропроводящих слоев на основе углеродных нанотрубок включает нанесение на подложку суспензии, содержащей углеродные нанотрубки и раствор карбоксиметилцеллюлозы в воде при следующем соотношении компонентов, мас.%: карбоксиметилцеллюлоза 1-10 и углеродные нанотрубки 1-10, сушку при температуре от 20 до 150°С, пиролиз при температуре выше 250°С. Технический результат заключается в повышении электропроводности формируемых слоев. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам создания эпитаксиальных медных структур на поверхности полупроводниковых подложек и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек включает формирование моноатомного слоя силицида меди Cu₂Si на предварительно подготовленной атомарно-чистой поверхности Si(111)7×7 при температуре 550-600°C в условиях сверхвысокого вакуума, последующее осаждение на него меди при температуре 500-550°C при эффективной толщине меди от 0,4 до 2,5 нм. При эффективной толщине меди от 0,4 до 0,8 нм формируют островки эпитаксиальных наноструктур меди треугольной и многоугольной формы, а при толщине меди в диапазоне от 0,8 до 2,5 нм наряду с островками меди треугольной и многоугольной форм формируют идеально ровные проволоки меди. Сформированные эпитаксиальные наноструктуры меди обладают огранкой, ориентированы вдоль кристаллографических направлений <110>Cu <112>Si. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковых подложек эпитаксиальных наноструктур меди с заданной формой и размерами. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства и измерения новых изделий наноэлектроники. Нанотехнологический комплекс включает робот-раздатчик с возможностью осевого вращения, сопряженный с камерой загрузки образцов и модулем локального воздействия, а также измерительный модуль, включающий сканирующий зондовый микроскоп, аналитическую камеру, монохроматор и источник рентгена. Измерительный модуль и аналитическая камера сопряжены с роботом-раздатчиком, монохроматор сопряжен с аналитической камерой, а источник рентгена - с монохроматором. Модуль локального воздействия содержит модуль фокусированных ионных пучков и первый растровый электронный микроскоп. Технический результат - расширение функциональных возможностей нанотехнологического комплекса. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технике переработки углеводородного сырья, в частности природного газа, и может быть использовано при получении углеродных нанотрубок и водорода. СВЧ плазменный конвертор содержит проточный реактор 1 из радиопрозрачного термостойкого материала, заполненный газопроницаемым электропроводящим веществом - катализатором 2, помещенный в сверхвысокочастотный волновод 3, соединенный с источником сверхвысокочастотного электромагнитного излучения 5, снабженный концентратором СВЧ электромагнитного поля, выполненным в виде волноводно-коаксиального перехода (ВКП) 8 с полыми внешним и внутренним 9 проводниками, образующими разрядную камеру 11, и системой вспомогательного разряда. Система вспомогательного разряда выполнена из N разрядников 12, где N больше 1, расположенных в плоскости поперечного сечения разрядной камеры 11 равномерно по ее окружности. Продольные оси разрядников 12 ориентированы тангенциально по отношению к боковой поверхности разрядной камеры 11 в одном направлении. На выходном конце внутреннего полого проводника 9 коаксиала ВКП 8 выполнено сопло 10. Каждый из разрядников 12 снабжен индивидуальным газопроводом 13 для подачи плазмообразующего газа в зону разряда. Изобретение позволяет увеличить реакционный объём, производительность и продолжительность непрерывной работы, а также стабилизировать «горение» СВЧ разряда. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области синтеза оксидов металлов простого и сложного состава, обладающих диэлектрическими или полупроводниковыми свойствами, в виде тонких наноструктурированных покрытий на поверхности изделий различной формы. Способ заключается в том, что готовят спиртовой раствор -дикетонатов одного или более p-, d- или f-металлов с концентрацией 0,001÷2 моль/л, раствор нагревают до 368÷523 К и выдерживают при данной температуре в течение 10÷360 минут до образования раствора алкоксо- -дикетонатов металлов, полученный раствор по каплям наносят на центральную часть подложки, которую при этом вращают со скоростью 100÷16000 об/мин, либо в указанный раствор погружают подложку со скоростью 0,1÷1000 мм/мин под углом по вертикали 0÷60°, после чего выдерживают подложку с нанесенной пленкой раствора алкоксо- -дикетонатов при 77÷523 К до прекращения потери массы с образованием ксерогеля на поверхности подложки, затем проводят процесс кристаллизации оксида из ксерогеля при 573÷1773 К. Изобретение позволяет получать одно- и многослойные плотные и пористые, аморфные и кристаллические наноструктурированные оксидные покрытия с размером упорядоченных частиц от единиц до сотен нанометров с заданными функциональными свойствами (защитными, оптическими, магнитными, каталитическими). 8 з.п. ф-лы, 5 ил., 10 пр.

Изобретение может быть использовано в медицине при производстве препаратов для послеоперационной поддерживающей терапии. Проводят термическое разложение метана в герметичной камере на подложках из кремния или никеля при давлении 10-30 Торр и температуре 1050-1150 °С. Нагрев осуществляют пропусканием электрического тока через пластину из углеродной фольги, ткани, войлока или конструкционного графита, на которой размещены подложки. Над этой пластиной установлена аналогичная пластина, на которую подают потенциал смещения от внешнего источника. На подложках осаждаются наноалмазы размером от 4 нм до 10 нм. 1 ил., 6 пр.

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Изобретение позволяет получать слои наноразмерной толщины из слоистых кристаллов с возможностью последующего осаждения на различные подложки. 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области биотехнологии. Предложено устройство для получения наночастиц металлов путем восстановления металлов из исходных солей в присутствии культивируемых клеток микроорганизмов. Устройство включает управляющий компьютер (1), связанный с ним электронный блок регуляции и управления (2) всеми функциональными узлами и блоками ферментера (3), pH-стабилизирующий блок (4) с датчиком pH (5) и шлангами для подачи подтитровочных растворов посредством насосов (6, 7), блок (8) для регулирования редокс-потенциала культуральной смеси, оснащенный редокс-датчиком (9), независимо управляемые насосы (10, 11) для введения в ферментер (3) исходных растворов солей металлов, восстановителей и ростовых факторов, блок (12) для регулирования уровня растворенного кислорода с датчиком pO₂ (13), насос (14) для подачи ростового субстрата, блок (15) для измерения оптической плотности культуры с применением оптоволоконного датчика (16), блок (17) для измерения спектральных характеристик культуральной смеси с применением оптоволоконного датчика (18), изолированного не проницаемой для клеток мембраной с размером пор 100-250 нм, блок (19) для терморегуляции ферментера (3), оснащенный датчиком температуры (20), блок (21) для регулирования перемешивания культуральной смеси, приводящий во вращение лопастную мешалку (22), блок (23) для регулирования освещения культуральной смеси при культивировании фототрофных микроорганизмов и управления спектральными параметрами погружного диодного светильника (24), блок (25) для ультрафильтрации отбираемой культуральной смеси со стерилизующей мембраной с размером пор 100-250 нм с возможностью вывода из ферментера только взвеси наночастиц, конденсатор выходящей влаги (26), препятствующий потере культуральной смеси. Изобретение способствует расширению арсенала технологических методов получения наночастиц металлов и позволяет достичь контролируемости режимов формирования наночастиц. 2 ил., 3 пр.

Изобретение относится к технологиям повышения износостойких, прочностных и антифрикционных свойств металлорежущего инструмента, внешних поверхностей обшивки авиационных и космических летательных аппаратов, оптических приборов и нанотехнологиям. Алмазоподобные покрытия получают в вакууме путем распыления материала мишени импульсным лазером. На материал мишени, выполненной из графита высокой степени чистоты (более 99.9%), воздействуют комбинированным лазерным излучением: сначала коротковолновым (менее 300 нм) импульсным излучением, в качестве источника которого используют KrF-лазер с длиной волны 248 нм и удельной энергией 5·10⁷ Вт/см², в результате чего осуществляется абляция и образуется газоплазменная фаза материала мишени. Последующее воздействие на газоплазменное облако во время разлета облака от мишени к подложке осуществляют длинноволновым (более 1 мкм) лазерным излучением. В качестве источника длинноволнового лазерного излучения используют газовый CO₂-лазер или твердотельный волоконный лазерный излучатель. Технический результат изобретения заключается в увеличении алмазной фазы в получаемом покрытии и увеличении энергетического спектра плазмы на стадии ее разлета. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к химической промышленности. Углерод-металлический материал в виде смеси углеродных волокон и капсулированных в неструктурированном углероде частиц никеля диаметром от 10 до 150 нанометров получают каталитическим пиролизом этанола при атмосферном давлении. Катализатор в виде оксидов никеля и магния, наносимый на поверхность графитовой фольги в качестве инертной подложки в пылевидном или гранулированном состоянии, помещают в замкнутый герметичный объем, в котором поддерживают постоянную температуру 600 - 750 °C. Через входной коллектор подают пары этанола, а через выходной коллектор удаляют газообразные продукты пиролиза. Пары этанола разбавляют инертным газом, например аргоном, в массовом соотношении этанол : инертный газ 1:4 5. Время синтеза от 1 до 180 мин. Изобретение позволяет получать углеродные наноматериалы из возобновляемого сырья и упростить процесс. 5 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к химической и электротехнической промышленности и может быть использовано для модификации резин и каучуков, при производстве высокоемких конденсаторов и композитных материалов. Тонкоизмельченную смесь, содержащую, мас.ч.: углевод - 100, окислитель - 200, помещают в термостойкий сосуд, закрытый сетчатой термостойкой крышкой, нагревают в печи до 150-250°С. Пиролиз смеси ведут в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при нагреве до 900^оС со скоростью 20-30 ^оС/мин с выдержкой при этой температуре 15-30 минут и отведении избытка выделяемого газа. В качестве углевода используют сахар, глюкозу, фруктозу или крахмал, а в качестве окислителя - азотнокислый аммоний. Получают вспененный наноструктурный углерод с объемной плотностью 0,006 г/см³ и удельной поверхностью не менее 150 м²/г. Выход вспененного углерода - около 31% от массы углевода. Исключается выделение агрессивных продуктов. 7 ил., 4 пр.

Изобретение относится к области физической и коллоидной химии и может быть использовано при получении полимерных композиций. Тонкодисперсную органическую суспензию углеродных металлсодержащих наноструктур получают взаимодействием наноструктур и полиэтиленполиамина. Сначала механически измельчают порошок углеродных металлсодержащих наноструктур, представляющих собой наночастицы 3d-металла, такого как медь, или кобальт, или никель, стабилизированные в углеродных наноструктурах, затем механически перетирают совместно с порционно вводимым полиэтиленполиамином до достижения содержания наноструктур не более 1 г/мл. Изобретение обеспечивает снижение энергозатрат, поскольку полученная тонкодисперсная органическая суспензия углеродных металлсодержащих наноструктур способна к восстановлению в результате простого перемешивания. 2 н.п. ф-лы, 5 ил., 2 пр.

Изобретение относится к получению наноструктур. Содержащую карбид наноструктуру получают осаждением на основу нанослоя металла или неметалла, или их окислов и последующей карбидизацией путем обработки в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С. Обеспечивается получение карбидной нанонити или нанопленки. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 пр.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем (НиМЭМС), предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования. Способ изготовления заключается в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками. При этом формирование тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними проводят в областях, в которых воздействующие на них при эксплуатации деформации и температуры удовлетворяют соответствующему соотношению. После формирования измеряют размеры и площадь элементов и переходов НиМЭМС с учетом количества, размеров и распределения дефектов, затем вычисляют по ним критерий временной стабильности по соответствующему соотношению. Если критерий временной стабильности меньше, чем предельно допустимое значение критерия временной стабильности, которое определяется экспериментальным путем по статистическим данным для конкретного типоразмера датчика, то данную сборку передают на последующие операции. Технический результат заключается в повышении временной стабильности, ресурса и срока службы. 2 ил.

Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем проводят операцию фторирования с использованием плавиковой кислоты при условиях, обеспечивающих получение слоев фторографена толщиной до 10÷15 нм. При этом используют подложку кремния. На ее рабочей поверхности предварительно может быть выращен слой окиси кремния. Фторирование проводят в водном растворе плавиковой кислоты с содержанием 3÷7% HF длительностью обработки до 30 минут, но не менее t_cr , при котором меняется проводимость фторируемых слоев. Кроме того, при фторировании используют температуры до 60°C. В результате достигается повышение качества слоев фторографена, снижение дефектности, уменьшение длительности процесса, повышение экологичности. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к нефтехимической промышленности и плазмохимии и может быть использовано для плазменной обработки и утилизации отходов нефтепереработки. Жидкое углеводородное сырьёе 5 разлагают электрическим разрядом в разрядном устройстве, расположенном в вакуумной камере 6. Устройство включает изготовленные из меди катод 1 и анод 2, а также токопроводящие к ним шины 3. Катод 1 находится в диэлектрической кювете 4 и его поверхность покрыта слоем углеводородного сырья 5 толщиной 1-4 мм. На катод 1 и анод 2 подают электрическое напряжение, достаточное для пробоя межэлектродного промежутка. Разложение сырья 5 осуществляют в высоковольтном сильнонеравновесном электрическом разряде при давлении 20-50 Торр. Изобретение обеспечивает увеличение скорости получения целевого продукта из отходов нефтепереработки. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению наночастиц металлов. Предварительно подготовленную суспензию зародышевых наночастиц металла вводят в ростовую среду, содержащую водный раствор соединения металла концентрацией 10 ^-5-10^-3 М, восстанавливающий агент концентрацией 10^-5-10^-2 М, стабилизирующий агент концентрацией 10^-3-1,0 М и термочувствительный агент концентрацией 0,1-10 мас. %. Полученную смесь облучают монохроматическим электромагнитным излучением с длиной волны, соответствующей длине волны поверхностного плазменного резонанса получаемых наночастиц. Облучение ведут до достижения максимального значения отношения разности оптических плотностей на длинах волн, соответствующих максимальному и минимальному значениям оптической плотности смеси, и разности длин волн, соответствующих максимальной оптической плотности смеси и оптической плотности, в два раза меньшей максимальной оптической плотности смеси в длинноволновой области спектра, определенных путем периодической регистрации спектра ростовой среды с растущими наночастицами, после чего выделяют наночастицы путем центрифугирования. Получают наночастицы металлов требуемого размера с узким распределением по размерам и вследствие этого с узким пиком поглощения на частоте поверхностного плазменного резонанса. 2 ил., 4 пр.

Изобретение относится к электрохимии наноуглеродных кластеров, в частности к получению в электрохимическом процессе фуллереновой пленки, осажденной на токопроводящих материалах (металлах, графите). Фуллереновая пленка может быть использована в эндопротезировании, в радиоэлектронике и физике полупроводников. Осаждение пленки проводят на аноде из безводного раствора фуллерена в пиридин-ацетоновой смеси при соотношении пиридина к ацетону 1:4, температуре 20-30°C, разности потенциалов электродов 6,0-8,0 V, плотности тока 1,0-2,0 мА/ кв.дм и длительности процесса 30-60 мин. Получаемая пленка устойчива к действию разбавленных растворов кислот и щелочей. 8 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области фотолитографии, а именно к способу изготовления резистивных масок для нанолитографии. Способ включает восстановление серебра с образованием наночастиц серебра и последующую стимуляцию процесса термической полимеризации капролактама на поверхности полученных наночастиц с помощью лазерного возбуждения в них плазмонных колебаний. При этом для пространственной локализации процесса восстановления серебра используют STED-метод. Изобретение позволяет получить резистивные маски с минимальным размером элементов до 10 нм. 1 табл., 1 ил.